MOSFET bilen IGBT arasynda näme tapawut bar? Olukey siziň soraglaryňyza jogap berer!

Geçiriji elementler hökmünde MOSFET we IGBT köplenç elektron zynjyrlarda ýüze çykýar. Şeýle hem daşky görnüşi we häsiýetli parametrleri boýunça meňzeşdir. Käbir zynjyrlaryň näme üçin MOSFET ulanmalydygyna, beýlekileriň bolsa näme üçin ulanmalydygyna köpleriň geň galjakdygyna ynanýaryn. IGBT?

Olaryň arasynda näme tapawut bar? Ondan soň,Olukeysoraglaryňyza jogap berer!

NämeMOSFET?

MOSFET, doly hytaý ady metal-oksid ýarymgeçiriji meýdan effekt tranzistorydyr. Bu meýdan effekti tranzistorynyň derwezesi izolýasiýa gatlagy bilen izolirlenenligi sebäpli, izolýasiýa edilen derwezäniň meýdan effekti tranzistory hem diýilýär. MOSFET-i iki görnüşe bölmek bolar: "N-tip" we "P-tip", "kanalynyň" (işleýän daşaýjy) polýarlygyna görä, adatça N MOSFET we P MOSFET hem diýilýär.

MOSFET-iň öz parazit diody bar, VDD aşa naprýa .eniýe bolanda MOSFET-iň ýanmagynyň öňüni almak üçin ulanylýar. Artykmaç wolt MOSFET-e zeper ýetirmezden ozal, diod tersine döwülýär we uly toky ýere gönükdirýär we şeýlelik bilen MOSFET-iň ýanmagynyň öňüni alýar.

IGBT näme?

IGBT (izolýasiýa derwezesi Bipolýar tranzistor) tranzistordan we MOSFET-den ybarat goşma ýarymgeçiriji enjam.

IGBT-iň zynjyr nyşanlary entek birleşdirilenok. Sxematiki diagramma çekilende, triodyň we MOSFET nyşanlary köplenç karz alýarlar. Bu wagt, shematiki diagrammada bellenen modelden IGBT ýa-da MOSFET bolandygyna baha berip bilersiňiz.

Şol bir wagtyň özünde, IGBT-de beden diodynyň bardygyna-da üns bermeli. Suratda bellik edilmedik bolsa, onuň ýokdugyny aňlatmaýar. Resmi maglumatlar başgaça aýdylmasa, bu diod bar. IGBT-iň içindäki beden diody parazit däl, ýöne IGBT-iň naprýatageeniýe garşy naprýa .eniýesine garşy durmak üçin ýörite gurnalan. Oňa FWD (erkin diod) hem diýilýär.

Ikisiniň içki gurluşy başga

MOSFET-iň üç polýusy çeşme (S), zeýkeş (D) we derweze (G).

IGBT-iň üç polýusy kollektor (C), emitter (E) we derweze (G).

IGBT, MOSFET-iň zeýkeşine goşmaça gatlak goşmak arkaly gurulýar. Içki gurluşy aşakdaky ýaly:

Ikisiniň amaly meýdanlary başga

MOSFET we IGBT-iň içki gurluşlary, amaly meýdanlaryny kesgitleýän dürli-dürli.

MOSFET-iň gurluşy sebäpli, adatça KA-a ýetip bilýän uly tok gazanyp biler, ýöne deslapky naprýa .eniýe çydamlylygy IGBT ýaly güýçli däl. Esasy ulanylýan ýerleri elektrik üpjünçiligini, balastlary, ýokary ýygylykly induksiýa ýyladyşyny, ýokary ýygylykly inwertor kebşirleýiş maşynlaryny, aragatnaşyk elektrik üpjünçiligini we beýleki ýokary ýygylykly elektrik üpjünçilik meýdanlaryny üýtgetmekdir.

IGBT köp güýç, tok we naprýa .eniýe öndürip biler, ýöne ýygylygy gaty ýokary däl. Häzirki wagtda IGBT-iň gaty kommutasiýa tizligi 100 KHZ-a ýetip biler. IGBT kebşirleýiş maşynlarynda, inwertorlarda, ýygylyk öwrüjilerinde, elektrolitiki elektrik üpjünçiliginde, ultrases induksiýa ýyladyşynda we beýleki meýdanlarda giňden ulanylýar.

MOSFET we IGBT-iň esasy aýratynlyklary

MOSFET ýokary giriş impedansynyň, çalt kommutasiýa tizliginiň, gowy ýylylyk durnuklylygynyň, naprýa controleniýäni dolandyrmagyň tok we ş.m. aýratynlyklaryna eýedir. Zynjyrda güýçlendiriji, elektron wyklýuçatel we beýleki maksatlar hökmünde ulanylyp bilner.

Elektron ýarymgeçiriji enjamyň täze görnüşi hökmünde IGBT ýokary giriş impedansynyň, pes woltly dolandyryş güýjüniň sarp edilmeginiň, ýönekeý dolandyryş zynjyrynyň, ýokary woltly garşylygyň we uly tok çydamlylygynyň aýratynlyklaryna eýedir we dürli elektron zynjyrlarda giňden ulanyldy.

IGBT-iň ideal ekwiwalent zynjyry aşakdaky suratda görkezilýär. IGBT aslynda MOSFET bilen tranzistoryň utgaşmasydyr. MOSFET-de ýokary garşylykly kemçilik bar, ýöne IGBT bu kemçiligi ýeňýär. IGBT henizem ýokary woltly pes garşylyga eýe. .

Umuman aýdanyňda, MOSFET-iň artykmaçlygy, ýokary ýygylykly häsiýetlere eýe bolup, ýüzlerçe kHz ýygylykda we MGs çenli ýygylykda işläp bilýär. .Etmezçiligi, garşylygyň uly bolmagy we ýokary woltly we ýokary tokly ýagdaýlarda güýç sarp etmegiň köp bolmagydyr. IGBT pes ýygylykda we ýokary güýçli ýagdaýlarda, az garşylykly we ýokary çydamly naprýa .eniýede gowy ýerine ýetirýär.

MOSFET ýa-da IGBT saýlaň

Zynjyrda, MOSFET-i tok wyklýuçateli turbasy ýa-da IGBT saýlamalymy, inersenerleriň köplenç duş gelýän soragy. Ulgamyň naprýa .eniýesi, tok we kommutasiýa güýji ýaly faktorlar göz öňünde tutulsa, aşakdaky nokatlary jemläp bolar:

Adamlar köplenç soraýarlar: "MOSFET ýa-da IGBT gowumy?" Aslynda, ikisiniň arasynda gowy ýa-da erbet tapawut ýok. Iň esasy zat, onuň hakyky ulanylyşyny görmekdir.

MOSFET bilen IGBT arasyndaky tapawut barada soraglaryňyz bar bolsa, jikme-jiklikler üçin Olukey bilen habarlaşyp bilersiňiz.

Olukey esasan WINSOK orta we pes woltly MOSFET önümlerini paýlaýar. Önümler harby senagatda, LED / LCD sürüjiler tagtalarynda, motor sürüjiler tagtalarynda, çalt zarýad berişde, elektron çilimlerde, LCD monitorlarda, elektrik üpjünçiliginde, kiçi durmuş enjamlarynda, lukmançylyk önümlerinde we Bluetooth önümlerinde giňden ulanylýar. Elektron tereziler, ulag elektronikasy, tor önümleri, durmuş enjamlary, kompýuter enjamlary we dürli sanly önümler.