Gaplanan MOSFET-iň G, S we D üç nokady nämäni aňladýar?

Kazyýet derwezesi G.

MOS sürüjisi esasan tolkun formasynyň emele gelmegi we hereketlendirijiniň güýçlendirilmegi roluny ýerine ýetirýär: Eger G signal tolkun formasyMOSFETýeterlik derejede dik däl, kommutasiýa döwründe köp mukdarda ýitgä sebäp bolar. Onuň ters täsiri, zynjyryň öwrülişiniň netijeliligini peseltmekdir. MOSFET-de güýçli gyzzyrma bolar we yssydan aňsatlyk bilen zaýalanar. MOSFETGS arasynda belli bir kuwwat bar. , G signalyny sürmek ukyby ýeterlik bolmasa, tolkun formasynyň bökmek wagtyna çynlakaý täsir eder.

GS polýusyny gysga utgaşdyryň, multimetriň R × 1 derejesini saýlaň, gara synag gurşuny S polýusyna, gyzyl synag bolsa D polýusyna eltiň. Garşylyk birnäçe Ω ondan on köp bolmaly. Belli bir çeňňegiň we iki çeňňegiň garşylygynyň çäksizdigi we synag netijelerini çalşandan soňam çäksizdigi ýüze çykarylsa, bu piniň G polýusydygy tassyklanýar, sebäbi beýleki iki çeňňekden izolýasiýa edilýär.

S çeşmesini kesgitläň we D suwy çykaryň

Multimetri R × 1k edip düzüň we üç çeňňegiň arasyndaky garşylygy ölçäň. Garşylygy iki gezek ölçemek üçin alyş-çalyş synag gurşaw usulyny ulanyň. Has pes garşylyk bahasy bolan (köplenç birnäçe müň Ω on müňden gowrak) öňe garşylykdyr. Bu wagt gara synag gurşuny S polýusy we gyzyl synag gurşuny D polýusyna birikdirildi. Dürli synag şertleri sebäpli ölçenen RDS (on) bahasy gollanmada berlen adaty bahadan has ýokarydyr.

TakmynanMOSFET

Tranzistorda N görnüşli kanal bar, şonuň üçin oňa N-kanal diýilýärMOSFET, ýa-daNMOS. P-kanal MOS (PMOS) FET hem bar, bu ýeňil doplanan N görnüşli GARŞY we P görnüşli çeşme we zeýkeşden ybarat PMOSFET.

N görnüşli ýa-da P görnüşli MOSFET-e garamazdan, onuň iş prinsipi birmeňzeş. MOSFET çykyş terminalynyň akymynda giriş terminalynyň derwezesine ulanylýan naprýa .eniýe bilen gözegçilik edýär. MOSFET naprýa .eniýe bilen dolandyrylýan enjam. Derwezede ulanylýan naprýa .eniýe arkaly enjamyň aýratynlyklaryna gözegçilik edýär. Geçmek üçin tranzistor ulanylanda esasy tok sebäpli dörän zarýad saklaýyş effektine sebäp bolmaýar. Şonuň üçin programmalary çalyşmakda,MOSFETtranzistorlardan has çalt geçmeli.

Şeýle hem, FET öz girişiniň (derwezesi diýilýär) izolýasiýa gatlagyna elektrik meýdançasyny proýektirlemek bilen tranzistordan akýan toklara täsir etmeginden alýar. Aslynda, bu izolýatoryň üstünden hiç bir tok akmaýar, şonuň üçin FET turbasynyň GATE toky gaty az.

Iň ýaýran FET, derwezäniň aşagyndaky izolýator hökmünde kremniniň dioksidiniň inçe gatlagyny ulanýar.

Bu tranzistora metal oksid ýarymgeçiriji (MOS) tranzistor ýa-da metal oksid ýarymgeçiriji meýdan effekt tranzistory (MOSFET) diýilýär. MOSFET-ler has kiçi we has güýçli bolany üçin, köp programmada bipolýar tranzistorlary çalyşdylar.