MOSFET-iň dört sebiti haýsylar?

N-kanaly gowulandyrýan MOSFET-iň dört sebiti

(1) Üýtgeýän garşylyk sebiti (doýmadyk sebit diýilýär)

Ucs (Ucs) UD-laryň bahasy bu sebitde az we kanalyň garşylygy esasan diňe UG-lar tarapyndan dolandyrylýar. UG-lar belli bolsa, ip we uD-ler çyzykly gatnaşykda bolsa, sebit göni çyzyklar toplumy hökmünde takmynan kesgitlenýär. Bu wagt, naprýatageeniýe UGS ekwiwalentiniň arasynda D, S meýdan effekti turbasy

Naprýatageeniýe UGS üýtgeýän garşylygy bilen dolandyrylýar.

(2) hemişelik tok sebiti (doýma sebiti, güýçlendiriji sebit, işjeň sebit diýlip hem atlandyrylýar)

Ucs ≥ Ucs (h) we Ubs ≥ UcsUssth), çümmükden öňki ýoluň sag tarapynyň şekili üçin, ýöne henizem sebitde, sebitde, uG-ler bolmaly bolanda, ib ýok diýen ýaly UD bilen üýtgemegi, hemişelik-häzirki häsiýetlerdir. men diňe UG-lar tarapyndan dolandyrylýar, soň MOSFETD, S häzirki çeşmäniň naprýa .eniýe uG-laryna gözegçilik edýär. MOSFET güýçlendiriji zynjyrlarda ulanylýar, köplenç MOSFET D-iň işinde, S naprýatageeniýe uG-laryny dolandyrýan tok çeşmesine deňdir. Güýçlendirme zynjyrlarynda ulanylýan MOSFET, adatça sebitde işleýär, güýçlendirme meýdany diýlip hem atlandyrylýar.

(3) Kesilen ýer (kesilen ýer hem diýilýär)

Sebitiň keseligine okunyň golaýyndaky şekil üçin “Ues (th)” bilen duşuşmak üçin kesilen meýdança (kesilen ýer diýlip hem atlandyrylýar), kanal doly ýapylýar, io = 0 turba işlemeýär.

(4) bölüniş zonasynyň ýerleşişi

Bölünýän sebit şekiliň sag tarapynda sebitde ýerleşýär. UD-leriň köpelmegi bilen, PN birikmesi aşa ters naprýa .eniýe we döwülmelere sezewar bolýar, ip birden ýokarlanýar. Turbanyň bölünýän sebitde işlemezligi üçin işlemeli. Geçiriş häsiýetli egrini çykyş häsiýetli egrilikden alyp bolýar. Tapmak üçin grafika hökmünde ulanylýan usulda. Mysal üçin, Ubs = 6V dik çyzyk üçin 3-nji (a) suratda, i bilen gabat gelýän dürli egriler bilen kesişmesi, egrä birikdirilen ib-koordinatlardaky bahalar, ýagny geçiriş häsiýetli egrini almak üçin.

ParametrleriMOSFET

DC parametrleri, AC parametrleri we çäk parametrleri ýaly MOSFET-iň köp parametrleri bar, ýöne umumy ulanylyşda diňe aşakdaky esasy parametrler aladalanmalydyr: doýgun drena source çeşmesi häzirki IDSS çümmük naprýa Upeniýesi Up, (çatryk görnüşli turbalar we tükeniksizlik) izolirlenen derwezeli turbalar ýa-da açyk naprýa UTeniýe UT (güýçlendirilen izolirlenen derwezeli turbalar), geçiriji gm, syzdyryjy çeşmäniň bölüniş naprýa .eniýesi BUDS, iň köp ýaýran güýç PDSM, we zeýkeş çeşmesiniň häzirki IDSM.

(1) Doldurylan zeýkeş akymy

Doldurylan drena current tok IDSS, derwezäniň naprýa Ueniýesi UGS = 0 bolanda MOSFET çatrygyndaky ýa-da könelişen görnüşli izolýasiýa derwezesi.

(2) Çekiş naprýa .eniýesi

Çümmükli naprýa UPeniýe UP, drena and bilen çeşmäniň arasynda kesilýän çatryk görnüşli ýa-da könelişen izolýasiýa derwezesi MOSFET-de derwezäniň naprýa .eniýesidir. N-kanal turbasy UGS üçin ID egrisi üçin 4-25-de görkezilişi ýaly, IDSS we UP-iň ähmiýetini görmek üçin düşünip bolýar

MOSFET dört sebit

(3) Işletmek naprýa .eniýesi

Açylýan naprýa UTeniýe UT, drena-çeşmesini diňe geçirijilikli güýçlendirilen izolirlenen derwezeli MOSFET-de derwezäniň naprýa .eniýesidir.

(4) Geçiriji

Transkondensasiýa gm, derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi UGS-iň drena current tok ID-sinde dolandyryş ukyby, ýagny drena current tok ID-siniň üýtgemeginiň derwezäniň çeşmesi naprýa Ueniýesiniň üýtgemegine bolan gatnaşygy. 9m güýçlendirmek ukybyny ölçeýän möhüm parametrdirMOSFET.

(5) Çeşmäniň bölüniş naprýa .eniýesini drena

Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi BUDS derwezäniň çeşmesiniň naprýa .eniýesini kesgitleýär, belli bir derejede MOSFET adaty işleýiş çeşmesi naprýa .eniýesini kabul edip biler. Bu çäkli parametr, MOSFET iş naprýa .eniýesine goşulan BUDS-dan az bolmaly.

(6) Iň ýokary güýç ýaýramagy

Iň ýokary güýç ýaýramagy PDSM hem çäkli parametr bolup, oňa degişlidirMOSFETIň ýokary rugsat berlen syzyş çeşmesiniň güýji dargasa, öndürijilik erbetleşmeýär. MOSFET ulanylanda amaly güýç sarp etmek PDSM-den az bolmaly we belli bir aralyk goýmaly.

(7) Zeýkeşiň iň ýokary akymy

Iň köp syzýan tok IDSM başga bir çäk parametridir, MOSFET-iň kadaly işleýşine degişlidir, MOSFET-iň işleýiş tokyndan geçmäge rugsat berlen iň ýokary tok çeşmesiniň çeşmesi IDSM-den geçmeli däldir.

MOSFET amaly ýörelgesi

MOSFET-iň işleýiş ýörelgesi (N-kanaly güýçlendirmek MOSFET), "induktiw zarýadyň" mukdaryny gözegçilikde saklamak, bu "induktiw zarýad" tarapyndan emele gelen geçiriji kanalyň ýagdaýyny üýtgetmek, soň bolsa maksadyna ýetmekdir. zeýkeş akymyna gözegçilik etmek. Maksat zeýkeş akymyna gözegçilik etmekdir. Turbalar öndürilende, izolýasiýa gatlagynda köp sanly polo positiveitel ion ýasamak prosesi arkaly, şonuň üçin interfeýsiň beýleki tarapynda has negatiw zarýadlar döräp biler, bu negatiw zarýadlar ýüze çykyp biler.

Derwezäniň naprýa .eniýesi üýtgese, kanalda döredilen zarýadyň mukdary hem üýtgeýär, geçiriji kanalyň ini hem üýtgeýär we şeýlelik bilen drena current tok ID-si derwezäniň naprýa .eniýesi bilen üýtgeýär.

MOSFET roly

I. MOSFET güýçlendirmek üçin ulanylyp bilner. MOSFET güýçlendirijisiniň ýokary giriş impedansy sebäpli, birleşdiriji kondensator elektrolitiki kondensatorlary ulanmazdan has kiçi göwrümli bolup biler.

Ikinjiden, MOSFET-iň ýokary giriş impedansy impedansy öwürmek üçin örän amatlydyr. Impedans öwrülişi üçin köplenç köp basgançakly güýçlendiriji giriş tapgyrynda ulanylýar.

MOSFET üýtgeýän rezistor hökmünde ulanylyp bilner.

Dördünjiden, MOSFET hemişelik tok çeşmesi hökmünde aňsatlyk bilen ulanylyp bilner.

Bäşinjisi, MOSFET elektron wyklýuçatel hökmünde ulanylyp bilner.