ÖwrüjiMOSFETkommutasiýa ýagdaýynda işleýär we turbalardan akýan tok gaty ýokary. Turba dogry saýlanmasa, hereketlendiriji naprýa .eniýe amplitudasy ýeterlik uly bolmasa ýa-da zynjyryň ýylylyk bölünişi gowy bolmasa, MOSFET-iň gyzmagyna sebäp bolup biler.
1, inwertor MOSFET ýyladyş çynlakaý, MOSFET saýlamasyna üns bermeli
Geçiş ýagdaýynda inwertordaky MOSFET, adatça drena current akymyny mümkin boldugyça uly, çydamlylygy talap edýär, bu turbanyň doýma naprýa dropeniýesini peseldip biler, şeýlelik bilen sarp edilenden bäri turbany azaldyp, ýylylygy azaldyp biler.
MOSFET gollanmasyny gözden geçiriň, MOSFET-iň çydamly naprýa valueeniýe bahasy näçe ýokary bolsa, oňa garşylygy şonça-da ýokary bolar we turbanyň ýokary drena current togy we pes naprýa valueeniýe bahasy pes bolanlar, onuň garşylygy adatça onlarça pesdigini göreris. milliohms.
5A ýük akymyny göz öňünde tutsak, köplenç ulanylýan MOSFET RU75N08R inwertory we 500V 840 naprýatageeniýe çydamlylygy bolup biler, olaryň drena current akymy 5A ýa-da ondanam köp, ýöne iki turbanyň garşylygy başga, şol bir tok sürýär , ýylylyk tapawudy gaty uly. 75N08R garşylygy bary-ýogy 0,008Ω, 840-nyň garşylygy bolsa 0,85Ω, turbadan akýan ýük akymy 5A bolanda, 75N08R turba naprýa dropeniýesiniň peselmegi bary-ýogy 0.04V, bu wagt MOSFET turbanyň sarp edilişi bary-ýogy 0,2W, 840 turba naprýa .eniýesiniň peselmegi 4,25W çenli bolup bilýän bolsa, turbanyň sarp edilişi 21,25W çenli. Mundan görnüşi ýaly, inwertoryň MOSFET-iň garşylygy näçe kiçi bolsa, şonça-da gowy, turbanyň garşylygy uly, ýokary tok astynda turbanyň sarp edilişi inwertoryň MOSFET-iň garşylygy az mümkin boldugyça
2, hereketlendiriji naprýa .eniýe amplitudasynyň hereketlendiriji zynjyry ýeterlik uly däl
MOSFET turbanyň sarp edilişini azaltmak, ýylylygy azaltmak isleseňiz, naprýa controleniýäni dolandyrýan enjamdyr,MOSFETderwezäniň hereketlendiriji naprýa .eniýe amplitudasy impulsyň gyrasyny dik we göni herekete getirmek üçin ýeterlik uly bolmaly, turbanyň naprýa .eniýesiniň peselmegini azaldyp, turbanyň sarp edilişini azaldyp bilersiňiz.
3, MOSFET ýylylygyň ýaýramagy gowy sebäp däl
InwertorMOSFETýyladyş çynlakaý. Öwrüji MOSFET energiýa sarp edişiniň köpdügi sebäpli, iş adatça gyzdyryjy desganyň ýeterlik uly meýdany talap edýär we daşarky gyzdyryjy we gyzdyryjy enjamyň arasyndaky MOSFET özi ýakyn aragatnaşykda bolmaly (köplenç termiki geçiriji silikon ýagy bilen örtülmeli) ), daşarky gyzdyryjy enjam has kiçi bolsa ýa-da MOSFET-iň öz gyzdyryjy enjamy bilen aragatnaşyk ýeterlik bolmasa, turbanyň gyzmagyna sebäp bolup biler.
Inverter MOSFET ýyladyş çynlakaý, jemlemegiň dört sebäbi bar.
MOSFET az gyzdyrmak adaty hadysadyr, ýöne turba eltýän çynlakaý ýyladyş, aşakdaky dört sebäp bar:
1, zynjyryň dizaýny meselesi
MOSFET kommutasiýa zynjyrynda däl-de, çyzykly işde işlesin. Şeýle hem MOSFET gyzdyrmagynyň sebäplerinden biridir. N-MOS kommutasiýa edýän bolsa, G derejeli naprýa .eniýe doly işlemegi üçin elektrik üpjünçiliginden birnäçe V ýokary bolmaly, P-MOS bolsa tersine. Doly açylmaýar we naprýa dropeniýeniň düşmegi gaty uly, netijede güýç sarp edilýär, ekwiwalent DC impedansy has uludyr, naprýa dropeniýe peselýär, şonuň üçin U * I hem ýokarlanýar, ýitgi ýylylygy aňladýar. Bu zynjyryň dizaýnynda iň köp saklanýan ýalňyşlyk.
2, ýygylyk gaty ýokary
Esasy sebäbi, käwagt sesiň aşa köp yzarlanmagy, ýygylygyň köpelmegine, MOSFET uly ýitgilerine sebäp bolýar, şonuň üçin ýylylyk hem ýokarlanýar.
3, ýylylyk dizaýny ýeterlik däl
Tok gaty ýokary bolsa, MOSFET-iň nominal tok bahasy, adatça ýetmek üçin gowy ýylylygyň ýaýramagyny talap edýär. Şonuň üçin ID iň ýokary tokdan az, erbet gyzdyryp biler, ýeterlik kömekçi ýylylyk enjamyna mätäç.
4, MOSFET saýlamak nädogry
Kuwwata nädogry baha bermek, MOSFET içerki garşylyk doly göz öňünde tutulmaýar, netijede kommutasiýa impedansy ýokarlanýar.