1. Wolt bilen dolandyrylýan iş
Häzirki dolandyrylýan enjamlar bolan bipolý çatryk tranzistorlaryndan (BJT) tapawutlylykda, güýç MOSFET-ler naprýa .eniýe bilen dolandyrylýar. Bu esasy häsiýet birnäçe möhüm peýdalary hödürleýär:
- Gateönekeýleşdirilen derwezäniň talaplary
- Dolandyryş zynjyrynda pes energiýa sarp edilişi
- Çalt kommutasiýa mümkinçilikleri
- Ikinji derejeli bölünişik ýok
1-nji surat: MOSFET-leriň BJT-ler bilen deňeşdirilende ýönekeýleşdirilen derwezäniň talaplary
2. Iň ýokary kommutasiýa öndürijiligi
Power MOSFET-ler, adaty BJT-lerden köp artykmaçlyklary hödürleýän ýokary ýygylykly kommutasiýa programmalarynda ýokarydyr:
2-nji surat: MOSFET bilen BJT arasynda tizligi deňeşdirmek
| Parametr | Kuwwat MOSFET | BJT |
|---|---|---|
| Tizlik | Örän çalt (ns aralygy) | Orta (range aralygy) |
| Litgileri üýtgetmek | Pes | Beýik |
| Maksimum kommutasiýa ýygylygy | > 1 MGs | ~ 100 kHz |
3. malylylyk aýratynlyklary
Kuwwatly MOSFET-ler ygtybarlylygyna we öndürijiligine goşant goşýan ýokary ýylylyk aýratynlyklaryny görkezýär:
3-nji surat: MOSFET-lerdäki RDS-iň temperatura koeffisiýenti
- Oňyn temperatura koeffisiýenti termiki gaçmagyň öňüni alýar
- Paralel amalda has gowy häzirki paýlaşma
- Has ýokary ýylylyk durnuklylygy
- Has ygtybarly iş meýdany (SOA)
4. Döwletiň garşylygy pes
Döwrebap kuwwatly MOSFET-ler, gaty pes derejedäki garşylyga (RDS (on)) ýetýärler, bu bolsa birnäçe peýdalara getirýär:
4-nji surat: MOSFET RDS-de taryhy gowulaşma
5. Deňeşdirmek ukyby
Kuwwatly MOSFET-ler, polo positiveitel temperatura koeffisiýenti sebäpli has ýokary toklary dolandyrmak üçin paralel birikdirilip bilner:
5-nji surat: Paralel birikdirilen MOSFET-lerdäki häzirki paýlaşma
6. Ygtybarlylyk we ygtybarlylyk
Kuwwatly MOSFET-ler ajaýyp berklik we ygtybarlylyk aýratynlyklaryny hödürleýärler:
- Ikinji derejeli bölünişik ýok
- Ters naprýa .eniýäni goramak üçin içerki beden diody
- Ajaýyp göçürme ukyby
- Dokary dV / dt ukyby
6-njy surat: MOSFET bilen BJT arasynda howpsuz iş meýdany (SOA) deňeşdirme
7. Çykdajylaryň netijeliligi
Aýry-aýry güýç MOSFET-leriň BJT-ler bilen deňeşdirilende has ýokary başlangyç bahasy bolup bilse-de, ulgam derejesindäki umumy peýdalary köplenç çykdajylary tygşytlamaga sebäp bolýar:
- Driveönekeýleşdirilen hereketlendiriji zynjyrlar komponentleriň sanyny azaldýar
- Has ýokary netijelilik sowadyş talaplaryny peseldýär
- Has ýokary ygtybarlylyk tehniki hyzmat çykdajylaryny azaldar
- Has kiçi göwrümli ykjam dizaýnlary üpjün edýär
8. Geljekki tendensiýalar we gowulaşmalar
Kuwwatly MOSFET-leriň artykmaçlyklary tehnologiki ösüşler bilen gowulaşmagyny dowam etdirýär:
7-nji surat: MOSFET tehnologiýasynyň ewolýusiýasy we geljekki meýilleri
