MOSFET-iň iş ýörelgesine düşüniň we elektron böleklerini has netijeli ulanyň

Bu ýokary öndürijilikli elektron böleklerinden netijeli peýdalanmak üçin MOSFET-leriň (metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan-täsir tranzistorlary) işleýiş ýörelgelerine düşünmek möhümdir. MOSFET-ler elektron enjamlarynda aýrylmaz elementler bolup, olary düşünmek öndürijiler üçin zerurdyr.

Iş ýüzünde, ulanylanda MOSFET-leriň aýratyn funksiýalaryna doly baha berip bilmeýän öndürijiler bar. Şeýle-de bolsa, elektron enjamlardaky MOSFET-leriň iş ýörelgelerine we olaryň degişli rollaryna düşünmek bilen, özboluşly aýratynlyklaryny we önümiň aýratynlyklaryny göz öňünde tutup, iň amatly MOSFET-i saýlap bolýar. Bu usul, bazardaky bäsdeşlige ukyplylygyny ýokarlandyryp, önümiň öndürijiligini ýokarlandyrýar.

WINSOK SOT-23-3 MOSFET bukjasy

MOSFET iş prinsipleri

MOSFET-iň derwezeli çeşmesi naprýa .eniýesi (VGS) nol bolanda, hatda drena source çeşmesiniň naprýa .eniýesi (VDS) ulanylanda-da, tersine ikitaraplaýyn PN birikmesi bolýar, netijede geçiriji kanal ýok (we tok ýok) zeýkeş we MOSFET çeşmesi. Bu ýagdaýda MOSFET-iň zeýkeş akymy (ID) nola deňdir. Derwezäniň we çeşmäniň (VGS> 0) arasynda polo positiveitel naprýa .eniýäni ulanmak, MOSFET derwezesi bilen P görnüşli kremniniň aşaky gatlagyna gönükdirilen kremniy substratyň arasynda SiO2 izolýasiýa gatlagynda elektrik meýdany döredýär. Oksid gatlagynyň izolýasiýa edýändigini göz öňünde tutup, derwezede ulanylýan naprýa Veniýe VGS MOSFET-de tok öndürip bilmez. Munuň ýerine, oksid gatlagynda kondensator emele getirýär.

VGS kem-kemden ulaldygyça, kondensator zarýad alýar we elektrik meýdany döredýär. Derwezede polo positiveitel naprýa .eniýe bilen özüne çekiji köp sanly elektron, kondensatoryň beýleki tarapynda jemlenip, zeýkeşden MOSFET çeşmesine çenli N görnüşli geçiriji kanal emele getirýär. VGS bosagadaky naprýa .eniýe VT-den (adatça 2V töweregi) geçende, MOSFET-iň N kanaly, drena current tok ID-siniň akymyny başlaýar. Kanalyň emele gelip başlaýan derwezeli çeşme naprýa .eniýesine bosagadaky naprýa .eniýe VT diýilýär. VGS ululygyna we netijede elektrik meýdanyna gözegçilik etmek bilen, MOSFET-de drena current tok ID-siniň ululygyny modulirläp bolýar.

WINSOK DFN5x6-8 MOSFET bukjasy

MOSFET goýmalary

MOSFET ajaýyp kommutasiýa aýratynlyklary bilen meşhurdyr, wyklýuçatel elektrik üpjünçiligi ýaly elektron wyklýuçatelleri talap edýän zynjyrlarda giňden ulanylmagyna sebäp bolýar. 5V elektrik üpjünçiligini ulanyp pes woltly programmalarda, adaty gurluşlaryň ulanylmagy, bipolý çatryk tranzistorynyň esasy emitentinden naprýa dropeniýeniň peselmegine getirýär (takmynan 0.7V), derwezede ulanylýan soňky naprýa foreniýe üçin bary-ýogy 4.3V galýar. MOSFET. Şeýle ssenariýalarda nominal derwezäniň naprýa .eniýesi 4,5V bolan MOSFET-i saýlamak käbir töwekgelçilikleri döredýär. Bu kynçylyk, 3V ýa-da beýleki pes woltly elektrik üpjünçiligi bilen baglanyşykly programmalarda hem ýüze çykýar.