Beden diody bilen MOSFET arasyndaky tapawut

Beden diody bilen MOSFET arasyndaky tapawut

Iş wagty: 18-2024-nji sentýabr

Beden diody (adatça adaty diod diýilýärbeden diody"adatça yzygiderli ulanylmaýar we diodyň häsiýetine ýa-da gurluşyna degişli bolup biler; muňa garamazdan, munuň üçin adaty dioda degişlidigini çaklaýarys we MOSFET (Metal Oksid ýarymgeçiriji meýdan effekt tranzistory) birnäçe tarapdan tapawutlanýar. Aşakda olaryň tapawutlarynyň jikme-jik seljermesi:

Beden diody bilen MOSFET arasyndaky tapawut

1. Esasy kesgitlemeler we gurluşlar

 

- Diod: P görnüşli we N görnüşli ýarymgeçirijilerden düzülen we PN birleşmesini emele getirýän iki elektrodly ýarymgeçiriji enjam. Diňe ters akymy (ters taraplaýyn) blokirlemek bilen toguň polo positiveitelden otrisatel tarapa (öňe tarap) akmagyna mümkinçilik berýär.

- MOSFET: MOSFET üç terminaly ýarymgeçiriji enjam bolup, tok akymyna gözegçilik etmek üçin elektrik meýdany täsirini ulanýar. Derwezeden (G), çeşmeden (S) we zeýkeşden (D) ybarat. Çeşme bilen zeýkeşiň arasyndaky tok derwezäniň naprýa .eniýesi bilen dolandyrylýar.

 

2. Iş ýörelgesi

 

- Diod: Diodyň iş prinsipi PN çatrygynyň bir taraplaýyn geçirijiligine esaslanýar. Öňe gidişlikde, göterijiler (deşikler we elektronlar) tok emele getirmek üçin PN çatrygynda ýaýraýarlar; ters tarapdan, häzirki akymyň öňüni alyp, potensial päsgelçilik döredilýär.

 

- MOSFET: MOSFET-iň iş prinsipi elektrik meýdanynyň täsirine esaslanýar. Derwezäniň naprýa .eniýesi üýtgese, derwezäniň aşagyndaky ýarymgeçirijiniň üstünde geçiriji kanal (N-kanal ýa-da P-kanal) emele getirýär we çeşme bilen zeýkeşiň arasyndaky tok gözegçilik edýär. MOSFET-ler giriş naprýa .eniýesine baglylykda çykýan tok bilen naprýa .eniýe bilen dolandyrylýan enjamlar.

 

3. Öndürijilik aýratynlyklary

 

- Diod:

- frequokary ýygylykly we pes güýçli programmalar üçin amatly.

- Bir taraplaýyn geçirijilige eýe bolup, ony düzetmekde, kesgitlemekde we naprýatageeniýäni sazlamak zynjyrlarynda esasy komponente öwürýär.

- Tersine bölüniş naprýa .eniýesi möhüm parametr bolup, tersine bökmek meselesiniň öňüni almak üçin dizaýnda göz öňünde tutulmalydyr.

 

- MOSFET:

- inputokary giriş impedansy, pes ses, az sarp ediş we gowy ýylylyk durnuklylygy bar.

- Uly göwrümli integral zynjyrlar we güýç elektronikasy üçin amatly.

- MOSFET-ler N-kanal we P-kanal görnüşlerine bölünýär, olaryň her biri güýçlendirme we tükeniksiz görnüşlere gelýär.

- Dokma sebitinde tok hemişelik diýen ýaly galan hemişelik tok aýratynlyklaryny görkezýär.

 

4. Programma meýdanlary

 

- Diod: Düzediş zynjyrlarynda, naprýa .eniýäni sazlaýyş zynjyrlarynda we kesgitleýiş zynjyrlarynda elektronika, aragatnaşyk we elektrik üpjünçiligi meýdanlarynda giňden ulanylýar.

 

- MOSFET: kommutasiýa elementleri, güýçlendiriji elementler we hereketlendiriji elementler hökmünde ulanylýan integral zynjyrlarda, elektrik elektronikasynda, kompýuterlerde we aragatnaşykda möhüm rol oýnaýar.

 

5. Netije

 

Diodlar we MOSFET-ler esasy kesgitlemeleri, gurluşlary, iş ýörelgeleri, öndürijilik aýratynlyklary we amaly meýdanlary bilen tapawutlanýar. Diodlar bir taraplaýyn geçirijiligi sebäpli düzedişde we naprýa .eniýäni sazlamakda möhüm rol oýnaýarlar, MOSFET-ler ýokary giriş impedansy, pes ses we pes energiýa sarp etmegi sebäpli integral zynjyrlarda we güýç elektronikasynda giňden ulanylýar. Iki komponent hem häzirki zaman elektron tehnologiýasy üçin möhümdir, hersiniň öz artykmaçlyklaryny hödürleýär.