N-kanaly güýçlendirmek tertibi MOSFET-iň iş prinsipi

(1) VGS-iň ID we kanaldaky dolandyryş täsiri

V vGS ýagdaýy = 0

Drena d d bilen güýçlendiriş tertibiniň çeşmesiniň arasynda iki sany arka PN birikmesiniň bardygyny görmek bolýar.MOSFET.

Derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi vGS = 0 bolanda, drena source çeşmesiniň naprýa veniýesi vDS goşulsa-da we vDS polýarlygyna garamazdan, tersine taraplaýyn ýagdaýda hemişe PN birikmesi bolýar.Zeýkeş bilen çeşmäniň arasynda geçiriji kanal ýok, şonuň üçin häzirki wagtda zeýkeşiň häzirki ID≈0.

V vGS> 0

VGS> 0 bolsa, derwezäniň we aşaky gatlagyň arasyndaky SiO2 izolýasiýa gatlagynda elektrik meýdany emele gelýär.Elektrik meýdanynyň ugry derwezeden ýarymgeçirijiniň üstündäki substrata gönükdirilen elektrik meýdanyna perpendikulýar.Bu elektrik meýdany deşikleri yzyna alýar we elektronlary özüne çekýär.Yza gaýtarmak deşikleri: Derwezäniň golaýyndaky P görnüşli substratdaky deşikler yza çekilýär, gozgalmaýan kabul ediji ionlary (negatiw ionlar) azalýar.Elektronlary özüne çekiň: P görnüşli substratdaky elektronlar (azlyk göterijiler) substratyň ýüzüne çekilýär.

(2) Geçiriji kanalyň emele gelmegi:

VGS bahasy az bolsa we elektronlary çekmek ukyby güýçli bolmasa, zeýkeş bilen çeşmäniň arasynda henizem geçiriji kanal ýok.VGS artdygyça, P substratyň üst gatlagyna has köp elektron çekilýär.VGS belli bir baha ýetende, bu elektronlar derwezäniň golaýyndaky P substratyň üstünde N görnüşli inçe gatlak emele getirýär we iki N + sebite birikdirilip, zeýkeş bilen çeşmäniň arasynda N görnüşli geçiriji kanal emele getirýär.Onuň geçirijilik görnüşi P substratynyň tersine, şonuň üçin oňa terslik gatlagy hem diýilýär.VGS näçe uly bolsa, ýarymgeçirijiniň üstünde hereket edýän elektrik meýdany näçe güýçli bolsa, P substratyň ýüzüne elektronlar näçe köp çekilse, geçiriji kanal näçe galyň we kanalyň garşylygy şonça-da az bolar.Kanal emele gelip başlanda derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesine, VT tarapyndan görkezilen açyk naprýa .eniýe diýilýär.