MOSFET-ler (Metal oksid ýarymgeçiriji meýdan effekt tranzistorlary) esasan naprýatageeniýe bilen dolandyrylýan enjamlar diýilýär, sebäbi olaryň işleýiş prinsipi, gözegçilik etmek üçin tok däl-de, derýa tokynyň (Id) üstünden derwezäniň naprýa .eniýesine (Vgs) gözegçilik edilmegine esaslanýar. bipolýar tranzistorlarda (meselem, BJT). Aşakda naprýatageeniýe bilen dolandyrylýan enjam hökmünde MOSFET-iň jikme-jik düşündirişi:
Iş ýörelgesi
Derwezäniň naprýa .eniýesine gözegçilik:MOSFET-iň ýüregi derwezäniň, çeşmäniň we zeýkeşiň we derwezäniň aşagyndaky izolýasiýa gatlagynyň (köplenç kremniniň dioksidi) arasynda ýerleşýär. Derwezä naprýa .eniýe ulanylanda, izolýasiýa gatlagynyň aşagynda elektrik meýdany döredilýär we bu meýdan çeşme bilen zeýkeşiň arasyndaky meýdanyň geçirijiligini üýtgedýär.
Geçiriji kanalyň emele gelmegi:N-kanal MOSFET-ler üçin, derwezäniň naprýa .eniýesi Vgs ýeterlik ýokary bolanda (bosagadaky naprýa Veniýe diýilýän belli bir bahadan ýokary), derwezäniň aşagyndaky P görnüşli substratdaky elektronlar izolýasiýa gatlagynyň aşaky bölegine çekilip, N- emele getirýär. çeşme bilen zeýkeşiň arasynda geçirijilik mümkinçiligini berýän geçiriji kanal ýazyň. Munuň tersine, Vgs Vt-den pes bolsa, geçiriji kanal emele gelmeýär we MOSFET kesilýär.
Drena current akymyna gözegçilik:zeýkeş akymynyň ululygy esasan derwezäniň naprýa .eniýesi Vgs tarapyndan dolandyrylýar. Vgs näçe ýokary bolsa, geçiriji kanal şonça-da giňelýär we zeýkeş tok Id-i şonça-da uly bolýar. Bu gatnaşyk MOSFET-e wolt bilen dolandyrylýan tok enjamy hökmünde işlemäge mümkinçilik berýär.
Piezo häsiýetlendirmegiň artykmaçlyklary
Inputokary giriş impedansy:Derwezäniň we çeşme-zeýkeş sebtiniň izolýasiýa gatlagynyň izolýasiýasy sebäpli MOSFET-iň giriş impedansy gaty ýokary we derwezäniň toky nola deň bolup, ýokary giriş impedansy zerur bolan zynjyrlarda peýdaly bolýar.
Pes ses:MOSFET-ler, esasanam ýokary giriş impedansy we bir polýar daşaýjy geçiriji mehanizm sebäpli, iş wagtynda birneme pes ses çykarýarlar.
Çalt kommutasiýa tizligi:MOSFET-ler naprýatageeniýe bilen dolandyrylýan enjamlar bolansoň, kommutasiýa tizligi adatça bipolýar tranzistorlardan has çalt bolýar, olar kommutasiýa wagtynda zarýad saklamak we goýbermek prosesini başdan geçirmeli bolýarlar.
Pes energiýa sarp edilişi:Döwletde, MOSFET-iň drena source çeşmesine garşylygy (RDS) birneme pes, bu bolsa energiýa sarp edilişini azaltmaga kömek edýär. Şeýle hem, kesilen ýagdaýynda statiki güýç sarp edilişi gaty pes, sebäbi derwezäniň toky nola deňdir.
Gysgaça aýtsak, MOSFET-lere naprýatageeniýe bilen dolandyrylýan enjamlar diýilýär, sebäbi olaryň işleýiş prinsipi drena current akymynyň derwezäniň naprýa .eniýesi bilen dolandyrylmagyna ep-esli derejede baglydyr. Naprýatageeniýe bilen dolandyrylýan bu häsiýet, MOSFET-leri elektron zynjyrlarda, esasanam ýokary giriş impedansy, pes ses, çalt kommutasiýa tizligi we pes energiýa sarp edilmegi talap edilýän ýerlerde köp sanly amaly wada berýär.
Iş wagty: 16-2024-nji sentýabr
