Dürli görnüşleri barMOSFETesasan MOSFET çatrygy we izolýasiýa derwezesi MOSFET iki kategoriýa bölünýär we hemmesiniň N-kanal we P-kanal nokatlary bar.
MOSFET diýlip atlandyrylýan metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan-effektli tranzistor, könelişme görnüşine MOSFET we güýçlendiriji görnüşine MOSFET bölünýär.
MOSFETler hem bir derwezeli we goşa derwezeli turbalara bölünýär. Iki derwezeli MOSFET-iň yzygiderli iki sany bir derwezeli MOSFET-iň ekwiwalentiniň gurluşygyndan we iki derwezäniň naprýa .eniýe dolandyryşy bilen üýtgeýän tokdan G1 we G2 iki sany garaşsyz derwezesi bar. Iki derwezeli MOSFET-leriň bu häsiýeti, ýokary ýygylykly güýçlendirijiler hökmünde ulanylanda, gözegçilik güýçlendirijilerini, mikserleri we demodulýatorlary alanda uly amatlylyk getirýär.
1, MOSFETgörnüşi we gurluşy
MOSFET FET-iň bir görnüşi (başga bir görnüşi JFET), güýçlendirilen ýa-da könelişen görnüşde, P-kanal ýa-da N-kanalda jemi dört görnüşde öndürilip bilner, ýöne diňe güýçlendirilen N-kanal MOSFET we güýçlendirilen P- teoretiki ulanylyşy. adatça NMOS ýa-da PMOS diýlip atlandyrylýan MOSFET kanaly bu iki görnüşe degişlidir. Näme üçin könelişen MOSFET görnüşlerini ulanmajakdygyňyz barada bolsa, düýp sebäbini gözlemegi maslahat bermäň. Iki sany güýçlendirilen MOSFET barada aýdylanda, has köp ulanylýan NMOS, sebäbi garşylygyň az bolmagy we öndürmek aňsat bolmagydyr. Şonuň üçin elektrik üpjünçiligini we hereketlendiriji programmalaryny üýtgetmek, adatça NMOS ulanyň. aşakdaky sitata, ýöne has köp NMOS esasly. MOSFET parazit kuwwatlylygynyň üç çeňňegi, üç zerurlygyň arasynda bar, bu biziň zerurlygymyz däl, önümçilik prosesi çäklendirmeleri sebäpli. Birneme wagt tygşytlamak üçin sürüjiniň zynjyrynyň dizaýnynda ýa-da saýlanyşynda parazit kuwwatynyň barlygy, ýöne öňüni alyp bolmaýar we soňra jikme-jik giriş. MOSFET shematiki diagrammada parazit diodyň arasyndaky zeýkeş we çeşmäni görmek bolýar. Beden diody diýilýär, rasional ýükleri sürmekde bu diod örän möhümdir. Theeri gelende aýtsak, beden diody diňe bir MOSFET-de bar, adatça integral zynjyryň içinde däl.
2, MOSFET geçirijilik aýratynlyklary
Geçirijiniň ähmiýeti wyklýuçatel ýaly, wyklýuçateliň ýapylmagyna deňdir. NMOS aýratynlyklary, belli bir bahadan uly Vgs geçirer, çeşme toplananda (pes derejeli disk) ulanylanda amatly bolar, diňe derwezäniň naprýa .eniýesi gelýär 4V ýa-da 10V.
Elbetde, PMOS-ny ýokary derejeli sürüji hökmünde ulanmak aňsat bolup biler, ýöne garşylykly, gymmat, az alyş-çalyş görnüşleri we beýleki sebäpler sebäpli ýokary derejeli sürüjide adatça NMOS ulanýar.
3, MOSFETýitgi
NMOS bolsun ýa-da PMOS bolsun, garşylyk bar bolandan soň, tok bu garşylykda energiýa sarp eder, sarp edilýän energiýanyň bu bölegine garşylyk ýitgisi diýilýär. Kiçijik garşylykly MOSFET saýlamak, garşylyk ýitgisini azaldar. Adaty pes güýçli MOSFET garşylygy, adatça onlarça milliohmda, ol ýerde birnäçe milliohm bolýar. MOS wagtynda we kesilen wagtynda, MOS-daky naprýa .eniýäniň dessine tamamlanmagynda bolmaly däldir, ýykylmak prosesi bar, ýokarlanmak prosesi bilen akýan tok, bu döwürde MOSFET-iň ýitmegi naprýa .eniýeniň we tokyň önümine kommutasiýa ýitgisi diýilýär. Adatça, kommutasiýa ýitgisi geçirijiniň ýitgisinden has uly we kommutasiýa ýygylygy näçe çalt bolsa, ýitgi şonça-da ulydyr. Geçirijiniň dessine naprýa .eniýeniň we tokyň uly önümi uly ýitgini emele getirýär. Geçiş wagtyny gysgaltmak her geçirijide ýitgini azaldar; kommutasiýa ýygylygyny azaltmak birlik wagty wyklýuçatelleriň sanyny azaldar. Iki çemeleşme hem kommutasiýa ýitgisini azaldyp biler.
4, MOSFET sürüjisi
Bipolýar tranzistorlar bilen deňeşdirilende, MOSFET-i geçirmek üçin hiç bir tok gerek däl, diňe GS naprýa .eniýesiniň belli bir bahadan ýokarydygy çak edilýär. Muny etmek aňsat, ýöne bize tizlik hem gerek. MOSFET-iň gurluşynda GS, GD arasynda parazit kuwwatynyň bardygyny görüp bilersiňiz we MOSFET-iň sürülmegi, teoriýa boýunça, sygymlylygyň zarýady we zarýadydyr. Kondensatoryň zarýadyny tok talap edýär we kondensatoryň bada-bat zarýad berilmegine gysga zynjyr hökmünde seredip boljakdygy sebäpli, dessine tok ýokary bolar. MOSFET sürüjisiniň saýlanylmagy / dizaýny, ilki bilen gysga utgaşdyryjy tokyň göwrümi bolup biler. Üns bermeli ikinji zat, adatça ýokary derejeli NMOS sürüjisinde, isleg boýunça derwezäniň naprýa .eniýesiniň çeşme naprýa .eniýesinden uly bolmagydyr. Endokary derejeli hereketlendiriji MOS turba geçiriji çeşmäniň naprýa .eniýesi we drena naprýa .eniýesi (VCC) birmeňzeş, şonuň üçin derwezäniň naprýa .eniýesi VCC 4V ýa-da 10V-den has ýokary. Şol ulgamda, VCC-den has uly naprýa .eniýe almak üçin ýörite güýçlendiriji zynjyr gerek diýip çaklaýarys. Motor hereketlendirijileriniň köpüsi integrirlenen zarýad nasosy, MOSFET-i sürmek üçin ýeterlik gysga utgaşdyryjy tok almak üçin degişli daşarky kondensatory saýlamaly. Aboveokarda aýdylan 4V ýa-da 10V, adatça naprýa oneniýede MOSFET ulanylýar, elbetde dizaýny, belli bir aralyk bolmaly. Naprýatageeniýe näçe ýokary bolsa, ştatdaky tizlik şonça-da ýokary we garşylygy pes bolýar. Adatça dürli kategoriýalarda ulanylýan kiçi woltly MOSFET-ler hem bar, ýöne 12V awtoulag elektronika ulgamlarynda adaty 4V ýagdaý ýeterlikdir.
MOSFET-iň esasy parametrleri aşakdakylar:
1. derwezäniň çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi BVGS - derwezäniň çeşmesiniň naprýa .eniýesini ýokarlandyrmak üçin, derwezäniň tok naprýa .eniýesi BVGS diýlip atlandyrylýan VGS-de düýpli ýokarlanmaga başlamak üçin derwezäniň tok naprýa .eniýesini noldan ýokarlandyrýar.
2. açyk naprýa; eniýe VT - açyk naprýa; eniýe (bosagadaky naprýa; eniýe hem diýilýär): geçiriji kanalyň başyndaky S çeşmesini we D drenajyny zerur derwezäniň naprýa; eniýesini düzýär; - standartlaşdyrylan N-kanal MOSFET, VT takmynan 3 ~ 6V; - gowulaşmakdan soň MOSFET VT bahasyny 2 ~ 3V çenli peseldip biler.
3. Zeýkeşiň naprýa .eniýesi BVDS - VGS = 0 (güýçlendirilen) ýagdaýynda, zeýkeş naprýa .eniýesini ýokarlandyrmak prosesinde, VDS drena break naprýa .eniýesi BVDS diýlende ID ep-esli artyp başlaýar - ID sebäpli ep-esli ýokarlanýar aşakdaky iki tarap:
(1) zeýkeş elektrodynyň golaýyndaky könelişen gatlagyň döwülmegi
. , kanalyň uzynlygy nol, ýagny zeýkeş çeşmesiniň aralaşmagy, aralaşmagy, göterijileriň köpüsiniň çeşme sebiti, çeşme sebiti, elektrik meýdanynyň siňdiriliş gatlagyna göni garşy durar ýaly, syzýan sebite gelmek, uly şahsyýetnama.
4. DC giriş garşylygy RGS, ýagny derwezäniň çeşmesi bilen derwezäniň tokynyň arasynda goşulan naprýa .eniýeniň gatnaşygy, bu häsiýet käwagt MOSFET-iň RGS derwezesinden akýan derwezäniň tok nukdaýnazaryndan aňladylýar. 5.
5. şertleriň kesgitli bahasy üçin VDS-de pes ýygylykly transkonduksiýa gm, zeýkeş tokynyň mikrowariansy we bu üýtgeşiklik sebäpli dörän derwezäniň naprýa .eniýe mikrowariansy, derwezäniň çeşmesiniň naprýa .eniýesiniň gözegçiligini görkezýän transkonduksiýa gm diýilýär. zeýkeş akymy, möhüm parametriň MOSFET güýçlendirilmeginiň, adatça birnäçe mA / V aralygynda bolup biljekdigini görkezmekdir. MOSFET aňsatlyk bilen 1010Ω geçip biler.
Iş wagty: Maý-14-2024
