MOSFET-leriň ulanylyşy näme?

MOSFETgiňden ulanylýar. Indi käbir uly göwrümli integral zynjyrlar MOSFET ulanylýar, esasy funksiýa we BJT tranzistory, kommutasiýa we güýçlendirmek. Esasan BJT triode ulanyp boljak ýerinde ulanylyp bilner, käbir ýerlerde ýerine ýetiriş üçlüginden has gowy.

 

MOSFET-iň güýçlendirilmegi

MOSFET we BJT üçlügi, ikisiniň hem ýarymgeçiriji güýçlendiriji enjamy bolsa-da, ýokary giriş garşylygy ýaly üçburçdan has artykmaçlygy, giriş çeşmesiniň durnuklylygyna kömek edýän signal çeşmesi tok ýok diýen ýaly. Giriş tapgyryny güýçlendiriji hökmünde iň oňat enjam, şeýle hem pes sesiň we gowy temperatura durnuklylygynyň artykmaçlyklaryna eýedir. Köplenç ses güýçlendiriji zynjyrlar üçin deslapky güýçlendiriji hökmünde ulanylýar. Şeýle-de bolsa, wolt bilen dolandyrylýan tok enjamy bolany üçin, zeýkeş akymy derwezäniň çeşmesiniň arasyndaky naprýa .eniýe bilen dolandyrylýar, pes ýygylykly transkondensiýanyň güýçlendiriji koeffisiýenti umuman uly däl, şonuň üçin güýçlendirmek ukyby pes.

 

MOSFET-iň kommutasiýa täsiri

Elektron wyklýuçatel hökmünde ulanylýan MOSFET, diňe polýon geçirijiligine bil baglamak sebäpli, esasy tok we zarýad saklaýyş täsiri sebäpli BJT triode ýaly zat ýok, şonuň üçin MOSFET-iň kommutasiýa tizligi kommutasiýa turbasy ýaly üçburçdan has çalt; köplenç işiň ýokary ýygylykly ýokary tokly ýagdaýynda MOSFET-de ulanylýan elektrik üpjünçiligini üýtgetmek ýaly ýokary ýygylykly ýokary tok hadysalarynda ulanylýar. BJT triod wyklýuçatelleri bilen deňeşdirilende, MOSFET wyklýuçatelleri kiçi woltlarda we toklarda işläp bilýär we kremniý wafli bilen birleşmek has aňsat, şonuň üçin olar uly göwrümli integral zynjyrlarda giňden ulanylýar.

Ulanylanda nähili ätiýaçlyk çäreleri bar?MOSFET?

MOSFET-ler triodlardan has näzik we nädogry ulanmak bilen aňsatlyk bilen zaýalanmagy mümkin, şonuň üçin olary ulananyňyzda aýratyn üns berilmelidir.

(1) Dürli ulanylyş ýagdaýlary üçin degişli MOSFET görnüşini saýlamaly.

.

(3) MOSFET birikmesiniň derwezäniň çeşmesiniň naprýa .eniýesini tersine alyp bolmaýar, ýöne açyk zynjyrda saklap bolýar.

(4) MOSFET-iň ýokary giriş päsgelçiligini saklamak üçin turba çyglylykdan goralmaly we ulanyş şertlerinde gurak bolmaly.

(5) MOSFET bilen kontaktda zarýadlanan zatlar (lehimleme demir, synag gurallary we ş.m.) turbanyň zaýalanmagynyň öňüni almaly. Esasanam izolirlenen derwezäni MOSFET kebşirlände, çeşmä görä - kebşirlemegiň yzygiderli tertibi, tok öçürilenden soň kebşirlemek iň gowusydyr. Lehimlenýän demiriň güýji 15 ~ 30W çenli ýerliklidir, kebşirleme wagty 10 sekuntdan geçmeli däldir.

. Aýyrylanda, derwezäniň üýtgemezligi üçin aýyrmazdan ozal elektrodlary gysga utgaşdyrmak zerurdyr.

(7) UlanylandaMOSFETsubstrat gurşunlary bilen, substrat gurşunlary dogry birikdirilmelidir.