MOSFET-iň wezipeleri näme?

MOSFET-iň iki esasy görnüşi bar: bölünen çatryk görnüşi we izolirlenen derwezäniň görnüşi. MOSFET çatrygy (JFET) iki PN çatrygy we izolýasiýa derwezesi bolany üçin atlandyrylýarMOSFET(JGFET) derwezäniň beýleki elektrodlardan doly izolýasiýa edilendigi sebäpli atlandyrylýar. Häzirki wagtda izolýasiýa edilen MOSFET derwezeleriniň arasynda iň köp ulanylýan MOSFET, MOSFET (metal-oksid-ýarymgeçiriji MOSFET) diýilýär; Mundan başga-da, PMOS, NMOS we VMOS kuwwatly MOSFET-ler, şeýle hem ýaňy-ýakynda işe girizilen πMOS we VMOS güýç modullary we ş.m. bar.

 

Dürli kanal ýarymgeçiriji materiallara görä, çatryk görnüşi we izolýasiýa derwezesi görnüşi kanal we P kanala bölünýär. Geçirijilik re modeimine görä bölünse, MOSFET könelişen görnüşe we güýçlendiriş görnüşine bölünip bilner. Birleşýän MOSFET-leriň hemmesi könelişen görnüş, izolýasiýa edilen derwezäniň MOSFET-leri hem köneliş görnüşidir we güýçlendiriji görnüşdir.

Meýdanyň täsiri tranzistorlaryny birleşýän meýdan effekt tranzistorlaryna we MOSFET-lere bölmek mümkin. MOSFET-ler dört kategoriýa bölünýär: N-kanalyň tükenmegi we güýçlendiriş görnüşi; P-kanalyň tükenmegi we gowulandyryş görnüşi.

 

MOSFET-iň aýratynlyklary

MOSFET-iň häsiýeti günorta derwezäniň naprýa; eniýesi UG; drena current tok şahsyýetini dolandyrýar. Ordinaryönekeý bipolýar tranzistorlar bilen deňeşdirilende, MOSFET-ler ýokary giriş impedansynyň, pes sesiň, uly dinamiki diapazonyň, az sarp edişiň we aňsat integrasiýanyň aýratynlyklaryna eýedir.

 

Negativearamaz naprýa .eniýe naprýa .eniýesiniň (-UG) mutlak bahasy ýokarlananda, könelişme gatlagy ýokarlanýar, kanal azalýar we zeýkeşiň häzirki ID-si azalýar. Negativearamaz ikitaraplaýyn naprýa .eniýeniň (-UG) mutlak bahasy peselende, könelişme gatlagy azalýar, kanal köpelýär we zeýkeşiň häzirki ID-si ýokarlanýar. Zeýkeş tok ID-siniň derwezäniň naprýa .eniýesi bilen dolandyrylýandygyny görmek bolýar, şonuň üçin MOSFET naprýatageeniýe bilen dolandyrylýan enjam, ýagny çykyş tokynyň üýtgemegi giriş naprýa .eniýesiniň üýtgemegi bilen güýçlendirilýär we güýçlendirmek üçin we beýleki maksatlar.

 

Bipolýar tranzistorlar ýaly, MOSFET güýçlendirmek ýaly zynjyrlarda ulanylanda, derwezesine ikitaraplaýyn naprýa .eniýe hem goşulmalydyr.

Birleşýän meýdan effekt turbasynyň derwezesi ters taraplaýyn naprýa .eniýe bilen ulanylmaly, ýagny N-kanal turbasyna negatiw derwezäniň naprýa .eniýesi we P-kanal turbasyna polo positiveitel derwezäniň dyrnagy ulanylmaly. Güýçlendirilen izolýasiýa derwezesi MOSFET öňe derwezäniň naprýa .eniýesini ulanmalydyr. MOSFET izolýasiýa tükeniksiz re modeimiň derwezesi naprýa .eniýesi polo positiveitel, otrisatel ýa-da "0" bolup biler. Ikitaraplaýyn goşmagyň usullary kesgitlenen ikitaraplaýyn usul, öz-özüni üpjün edýän ikitaraplaýyn usul, göni birikdirme usuly we ş.m.

MOSFETDC parametrleri, AC parametrleri we çäk parametrleri ýaly köp parametrleri bar, ýöne adaty ulanylanda diňe aşakdaky esasy parametrlere üns bermeli: doýgun çeşme çeşmesiniň häzirki IDSS çümmük naprýa Upeniýesi Up, (çatryk turbasy we tükenmek tertibi izolýasiýa derwezäniň turbasy ýa-da açyk naprýa UTeniýe UT (güýçlendirilen izolirlenen derwezäniň turbasy), transkondensasiýa gm, zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi BUDS, iň ýokary güýç ýaýramagy PDSM we iň köp drena source çeşmesi häzirki IDSM.

(1) Doldurylan zeýkeş çeşmesi tok

Doldurylan drena source çeşmesi tok IDSS, MOSFET çatrygynda ýa-da könelişen izolýasiýa derwezesinde UGS = 0 bolanda drena source çeşmesine degişlidir.

(2) Çekiş naprýa .eniýesi

Çekimli naprýa UPeniýe UP, drena source çeşmesi birikmesi ýa-da MOSFET çatryk görnüşli izolýasiýa derwezesi kesilende derwezäniň naprýa .eniýesini aňladýar. N-kanal turbasynyň UGS-ID egrisi üçin 4-25-de görkezilişi ýaly, IDSS we UP manylary aýdyň görünýär.

(3) Işletmek naprýa .eniýesi

Açylýan naprýa UTeniýe UT, drena source çeşmesiniň birikmesi ýaňy güýçlendirilen izolirlenen derwezede MOSFET edilende derwezäniň naprýa .eniýesini aňladýar. 4-27-nji suratda N-kanal turbasynyň UGS-ID egrisi görkezilýär we UT-nyň manysyny aýdyň görmek bolýar.

(4) Geçiriji

Geçirijilik gm derwezeli çeşme naprýa .eniýesi UGS-iň zeýkeş tok belgisini dolandyrmak ukybyny aňladýar, ýagny drena current tok ID-siniň üýtgemeginiň derwezäniň çeşmesi naprýa Ueniýesiniň üýtgemegine bolan gatnaşygy. 9m güýçlendirmek ukybyny ölçemek üçin möhüm parametrdirMOSFET.

(5) Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi

Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi BUDS, derwezäniň çeşmesi naprýa Ueniýesi UGS hemişelik bolanda MOSFET-iň kabul edip biljek iň ýokary drena source çeşmesine degişlidir. Bu çäklendiriji parametr we MOSFET-de ulanylýan iş naprýa .eniýesi BUDS-dan az bolmaly.

(6) Iň ýokary güýç ýaýramagy

Kuwwatyň iň köp ýaýramagy PDSM, şeýle hem, MOSFET öndürijiliginiň ýaramazlaşmagyna ýol berilýän iň ýokary drena source çeşmesiniň ýaýramagyny aňladýan çäk parametridir. Ulanylanda, MOSFET-iň hakyky sarp edilişi PDSM-den az bolmaly we belli bir aralyk goýmaly.

(7) Zeýkeş çeşmesiniň iň ýokary akymy

Zeýkeş çeşmesiniň iň ýokary akymy IDSM, MOSFET kadaly işleýän wagtynda zeýkeş bilen çeşmäniň arasynda geçmäge rugsat edilýän iň ýokary tok manysyny aňladýan başga bir çäk parametridir. MOSFET-iň işleýän tok IDSM-den geçmeli däldir.

1. MOSFET güýçlendirmek üçin ulanylyp bilner. MOSFET güýçlendirijiniň giriş impedansy gaty ýokary bolansoň, birikdiriji kondensator kiçi bolup biler we elektrolitiki kondensatorlary ulanmaly däl.

2. MOSFET-iň ýokary giriş impedansy impedansyň üýtgemegi üçin örän amatlydyr. Köp basgançakly güýçlendirijileriň giriş tapgyrynda impedans öwrülişigi üçin köplenç ulanylýar.

3. MOSFET üýtgeýän rezistor hökmünde ulanylyp bilner.

4. MOSFET hemişelik tok çeşmesi hökmünde amatly ulanylyp bilner.

5. MOSFET elektron wyklýuçatel hökmünde ulanylyp bilner.

 

MOSFET pes içerki garşylyk, ýokary çydamly naprýa .eniýe, çalt kommutasiýa we güýçli güýçli energiýa aýratynlyklaryna eýedir. Taslanan tok aralygy 1A-200A, naprýa .eniýe aralygy 30V-1200V. Müşderiniň amaly meýdanlaryna we müşderiniň önümleriniň ygtybarlylygyny, öwrülişiň netijeliligini we önümiň bahasynyň bäsdeşlige ukyplylygyny ýokarlandyrmak üçin elektrik parametrlerini sazlap bileris.

 

MOSFET vs Transistor deňeşdirme

(1) MOSFET naprýa controleniýäni dolandyrýan element, tranzistor bolsa häzirki dolandyryş elementidir. Signal çeşmesinden diňe az mukdarda tok almaga rugsat berilende, MOSFET ulanylmaly; signal naprýa .eniýesi pes bolanda we signal çeşmesinden köp mukdarda tok almaga rugsat berilende, tranzistor ulanylmaly.

. Bipolýar enjam diýilýär.

(3) Käbir MOSFET-leriň çeşmesi we drenajyny biri-biri bilen ulanyp bolýar, tranzistorlardan has çeýe bolan derwezäniň naprýa .eniýesi polo positiveitel ýa-da otrisatel bolup biler.

(4) MOSFET gaty kiçi tok we gaty pes woltly şertlerde işläp biler we önümçilik prosesi köp MOSFET-leri kremniý wafli bilen aňsat birleşdirip biler. Şonuň üçin MOSFET-ler uly göwrümli integral zynjyrlarda giňden ulanyldy.

 

MOSFET-iň hiline we polýarlygyna nädip baha bermeli

Multimetriň diapazonyny RX1K bilen saýlaň, gara synag gurşuny D polýusyna, gyzyl synag bolsa S polýusyna eltiň. G we D polýuslaryna eliňiz bilen bir wagtda degiň. MOSFET dessine geçiriji ýagdaýda bolmaly, ýagny metr iňňesi has kiçi garşylykly ýagdaýa geçýär. , soň bolsa eliňiz bilen G we S polýuslaryna degiň, MOSFET-de hiç hili jogap bolmaly däldir, ýagny metr iňňesi nol ýagdaýyna gaýdyp barmaz. Bu wagt MOSFET-iň gowy turbadygyna baha bermeli.

Multimetriň diapazonyny RX1K-a saýlaň we MOSFET-iň üç çeňňeginiň arasyndaky garşylygy ölçäň. Bir çeňňek bilen beýleki iki çeňňegiň arasyndaky garşylyk çäksiz bolsa we synag gurşuny çalyşandan soňam çäksiz bolsa, onda bu pin G polýus, galan iki nokat S polýus we D polýusdyr. Soňra S polýusynyň we D polýusynyň arasyndaky garşylyk bahasyny bir gezek ölçemek, synag netijelerini çalyşmak we gaýtadan ölçemek üçin multimetr ulanyň. Has kiçi garşylyk bahasy bolan gara. Synag gurşuny S polýusyna, gyzyl synag gurşuny D polýusyna birikdirildi.

 

MOSFET ýüze çykarmak we ulanmak çäreleri

1. MOSFET-i kesgitlemek üçin görkeziji multimetri ulanyň

1) MOSFET çatrygynyň elektrodlaryny kesgitlemek üçin garşylyk ölçeg usulyny ulanyň

MOSFET-iň PN birikmesiniň öňe we tersine garşylyk bahalarynyň tapawutlydygyna görä, MOSFET çatrygynyň üç elektrodyny kesgitläp bolýar. Methodörite usul: Multimetri R × 1k aralygynda düzüň, islendik iki elektrody saýlaň we degişlilikde öňe we ters garşylyk bahalaryny ölçäň. Iki elektrodyň öňe we ters garşylyk bahalary deň we birnäçe müň ohm bolanda, iki elektrod degişlilikde D zeýkeş we S çeşmesi bolup durýar. MOSFET çatrygy üçin zeýkeş we çeşme çalşylýandygy sebäpli, galan elektrod G. derwezesi bolmaly. Multimetriň gara synag gurşunyna (gyzyl synag gurşuny hem kabul edilip bilner) islendik elektroda degip bilersiňiz, beýleki synag bolsa alyp barýar Garşylyk bahasyny ölçemek üçin galan iki elektroda yzygiderli degiň. Iki gezek ölçenen garşylyk bahalary takmynan deň bolanda, gara synag gurşuny bilen kontaktdaky elektrod derwezedir, beýleki iki elektrod degişlilikde drena and we çeşme bolup durýar. Iki gezek ölçenen garşylyk bahalary ikisi hem gaty uly bolsa, bu PN çatrygynyň ters ugrydygyny, ýagny ikisiniň hem ters aralykdygyny aňladýar. Munuň N-kanal MOSFETdigini we gara synag gurşunyň derwezä birikdirilendigini kesgitläp bolýar; iki gezek ölçenen garşylyk bahalary, garşylyk bahalary gaty az bolsa, bu öňe gidýän PN birleşmesini, ýagny öňe garşylykdygyny görkezýär we P-kanal MOSFET bolmagy kesgitlenýär. Gara synag gurşuny hem derwezä birikdirildi. Aboveokardaky ýagdaý ýüze çykmasa, gara we gyzyl synag synaglaryny çalşyp, gözenegiň kesgitlenýänçä ýokardaky usul boýunça synag geçirip bilersiňiz.

 

2) MOSFET-iň hilini kesgitlemek üçin garşylygy ölçemek usulyny ulanyň

Garşylygy ölçemek usuly, MOSFET-iň çeşmesi bilen drena ,, derwezesi we çeşmesi, derwezesi we drenajy, G1 derwezesi we G2 derwezesi MOSFET gollanmasynda görkezilen garşylyk bahasyna laýyk gelýändigini kesgitlemek üçin multimetr ulanmakdyr. Dolandyryş gowy ýa-da erbet. Methodörite usul: Ilki bilen, multimetri R × 10 ýa-da R × 100 diapazonyna düzüň we S çeşmesi bilen D zeýkeşiniň arasyndaky garşylygy ölçäň, adatça onlarça ohm aralygynda birnäçe müň ohm aralygynda (muny görüp bolýar) Dürli modelleriň turbalary, garşylyk bahalary dürli-dürli), ölçenen garşylyk bahasy adaty bahadan ýokary bolsa, içerki aragatnaşygyň pes bolmagy sebäpli bolup biler; ölçenen garşylyk bahasy çäksiz bolsa, içki döwülen polýus bolup biler. Soňra multimetri R × 10k aralyga düzüň, soňra G1 we G2 derwezeleriniň arasynda, derwezäniň we çeşmäniň arasynda, derwezäniň we zeýkeşiň arasynda garşylyk bahalaryny ölçäň. Haçan-da ölçenen garşylyk bahalary çäksiz bolsa, bu turbanyň kadalydygyny aňladýar; ýokardaky garşylyk bahalary gaty az bolsa ýa-da ýol bar bolsa, bu turbanyň erbetdigini aňladýar. Turbada iki derwezäniň döwülmegi ýüze çykarylanda komponenti çalyşmagyň usulynyň ulanylyp bilinjekdigini bellemelidiris.

 

3) MOSFET-iň güýçlendirme ukybyna baha bermek üçin induksiýa signalyny girizmek usulyny ulanyň

Methodörite usul: Multimetre garşylygyň R × 100 derejesini ulanyň, gyzyl synag gurşuny S çeşmesine birikdiriň, gara synag bolsa zeýkeş D. Bu wagt zeýkeş bilen çeşmäniň arasyndaky garşylyk bahasy metr iňňesi bilen görkezilýär. Soňra MOSFET çatrygynyň G derwezesini eliňiz bilen gysyň we derwezä adam bedeniniň induksiýa naprýa .eniýesini goşuň. Şeýlelik bilen, turbanyň güýçlendirme täsiri sebäpli, zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesi VDS we zeýkeş tok Ib üýtgär, ýagny zeýkeş bilen çeşmäniň arasyndaky garşylyk üýtgär. Mundan, metr iňňesiniň ep-esli derejede süýşýändigini synlamak bolýar. El bilen tutulan gözenegiň iňňesi az süýşse, bu turbanyň güýçlendirme ukybynyň pesdigini aňladýar; iňňe gaty çişse, turbanyň güýçlendirme ukybynyň uludygyny aňladýar; iňňe gymyldamasa, turbanyň erbetdigini aňladýar.

 

Aboveokardaky usula laýyklykda, MOSFET 3DJ2F çatrygyny ölçemek üçin multimetriň R × 100 şkalasyny ulanýarys. Ilki bilen turbanyň G elektrodyny açyň we zeýkeş çeşmesine garşylyk RDS-ni 600Ω diýip ölçäň. G elektrodyny eliňiz bilen tutanyňyzdan soň, metr iňňesi çepe öwrülýär. Görkezilen garşylyk RDS 12kΩ. Metr iňňesi has uly çişse, turbanyň gowydygyny aňladýar. we has güýçlendirmek ukybyna eýe.

 

Bu usuly ulananyňyzda bellemeli birnäçe nokatlar bar: Ilki bilen, MOSFET-i barlap, derwezäni eliňiz bilen tutanyňyzda, multimetrli iňňe saga (garşylyk gymmaty peselýär) ýa-da çepe (garşylyk bahasy ýokarlanýar) . Munuň sebäbi, adam bedeni tarapyndan döredilen AC naprýa .eniýesiniň has ýokary bolmagy we garşylyk diapazony bilen ölçelende dürli MOSFET-leriň dürli iş nokatlary bolup biler (ýa-da doýgun zonada ýa-da doýmadyk zonada işleýär). Synaglar turbalaryň köpüsiniň RDS ýokarlanýandygyny görkezdi. Watchagny, sagadyň eli çepe süýşýär; birnäçe turbanyň RDS azalýar, sagadyň eliniň saga öwrülmegine sebäp bolýar.

Emma sagadyň eli haýsy tarapa öwrülýändigine garamazdan, sagadyň eli has uly süýşýänçä, turbanyň güýçlendirmek ukybynyň bardygyny aňladýar. Ikinjiden, bu usul MOSFET-ler üçinem işleýär. Möne MOSFET-iň giriş garşylygynyň ýokarydygyny we G derwezesiniň rugsat berlen naprýa .eniýesiniň gaty ýokary bolmaly däldigini bellemelidiris, şonuň üçin derwezäni göni eliňiz bilen gysmaň. Derwezä demir çybyk bilen degmek üçin otwýortkanyň izolýasiýa tutawajyny ulanmaly. , adam bedeni tarapyndan döredilen zarýadyň göni derwezä goşulmagynyň öňüni almak, derwezäniň döwülmegine sebäp bolmak. Üçünjiden, her ölçegden soň GS polýuslary gysga aýlawly bolmaly. Sebäbi, VGS naprýa .eniýesini döredýän GS birikdiriji kondensatorda az mukdarda zarýad bolar. Netijede, ölçelende metrleriň elleri gymyldap bilmez. Zarýady boşatmagyň ýeke-täk usuly, GS elektrodlarynyň arasyndaky zarýady gysga utgaşdyrmakdyr.

4) Bellenmedik MOSFET-leri kesgitlemek üçin garşylyk ölçeg usulyny ulanyň

Ilki bilen, garşylyk çeşmesi bolan iki çeşmäni tapmak üçin garşylygy ölçemek usulyny ulanyň, ýagny S çeşmesi we D zeýkeş. Galan iki gysgyç birinji G1 derwezesi we G2 ikinji derwezesi. Ilki bilen iki synag bilen ölçelýän S çeşmesi bilen D zeýkeşiniň arasyndaky garşylyk bahasyny ýazyň. Synagyň netijelerini üýtgediň we gaýtadan ölçäň. Ölçenen garşylyk bahasyny ýazyň. Iki gezek ölçenen has uly garşylyk gymmaty gara synag gurşundyr. Birikdirilen elektrod D zeýkeşidir; gyzyl synag gurşuny S. çeşmesine birikdirildi Bu usul bilen kesgitlenen S we D polýuslary turbanyň güýçlendirme ukybyna baha bermek arkaly hem barlanyp bilner. Largeagny, uly güýçlendirme ukyby bolan gara synag gurşuny D polýusyna birikdirildi; gyzyl synag gurşuny ýere 8 polýus bilen birikdirildi. Iki usulyň synag netijeleri birmeňzeş bolmaly. Drenajyň we S çeşmesiniň pozisiýalaryny kesgitläniňizden soň, D we S. degişli pozisiýalaryna görä zynjyry guruň Umuman, G1 we G2 hem yzygiderli deňleşer. Bu, G1 we G2 iki derwezäniň ýagdaýyny kesgitleýär. Bu, D, S, G1 we G2 nokatlarynyň tertibini kesgitleýär.

5) Geçirijiniň ululygyny kesgitlemek üçin ters garşylyk bahasynyň üýtgemegini ulanyň

VMOSN kanalyny gowulandyrýan MOSFET-iň transkondensasiýa öndürijiligini ölçäniňizde, S çeşmesini birleşdirmek üçin gyzyl synag gurşuny ulanyp bilersiňiz we gara synag drena D. akymyna alyp bilersiňiz. Bu çeşme bilen zeýkeşiň arasynda ters naprýa .eniýe goşmak bilen deňdir. Bu wagt derweze açyk zynjyr bolup, turbanyň ters garşylyk bahasy gaty durnuksyz. Multimetriň ohm diapazonyny R × 10kΩ ýokary garşylyk diapazonyna saýlaň. Bu wagt metrdäki naprýa .eniýe has ýokarydyr. G gridine eliňiz bilen degeniňizde, turbanyň ters garşylyk bahasynyň ep-esli üýtgändigini görersiňiz. Üýtgeşiklik näçe köp bolsa, turbanyň transkondensasiýa bahasy şonça ýokarydyr; synag astyndaky turbanyň transkondensiýasy gaty az bolsa, ters garşylygy haçan üýtgese, ölçemek üçin bu usuly ulanyň.

 

MOSFET ulanmagyň çäreleri

1) MOSFET-i ygtybarly ulanmak üçin, turbanyň bölünen güýji, iň ýokary drena source çeşmesi naprýa .eniýesi, derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi we iň ýokary tok ýaly parametrleriň çäk bahalary zynjyr dizaýnynda geçip bilmez.

2) Dürli MOSFET ulanylanda, zerur taraplara laýyklykda berk zynjyr bilen birikdirilmelidir we MOSFET ikitaraplaýynlygynyň polýarlygy berjaý edilmelidir. Mysal üçin, MOSFET derwezesiniň çeşmesi bilen zeýkeşiň arasynda PN birleşmesi bar we N-kanal turbasynyň derwezesi oňyn taraply bolup bilmez; P-kanal turbasynyň derwezesi negatiw taraply bolup bilmez we ş.m.

3) MOSFET-iň giriş päsgelçiligi aşa ýokary bolany üçin, daşamak we saklamak wagtynda gysgyçlar gysga utgaşdyrylmalydyr we daşarky sebäpleriň derwezäniň döwülmeginiň öňüni almak üçin demir galkan bilen gaplanmalydyr. Hususan-da, MOSFET-iň plastik gutuda ýerleşdirilip bilinmejekdigini ýadyňyzdan çykarmaň. Ony demir gutuda saklamak iň gowusydyr. Şol bir wagtyň özünde, turbanyň çyglylygyny saklamaga üns beriň.

4) MOSFET derwezesiniň induktiw döwülmeginiň öňüni almak üçin ähli synag gurallary, iş oturgyçlary, lehimli ütükler we zynjyrlar özleri gowy bolmaly; gysgyçlar lehimlenende, ilki çeşmäni lehimläň; zynjyra birikmezden ozal, turba leadhli gurşun uçlary biri-birine gysga utgaşdyrylmaly we kebşirleýiş gutarandan soň gysga utgaşdyryjy material aýrylmaly; turbany komponent rafyndan aýyranyňyzda, adam bedeniniň topraklanmagyny üpjün etmek üçin degişli usullary ulanmaly, meselem, toprak halkasyny ulanmak; elbetde, ösen bolsa, gaz bilen gyzdyrylan lehim demir, MOSFET-leri kebşirlemek üçin has amatly we howpsuzlygy üpjün edýär; turba tok öçürilmänkä zynjyryň içine salynmaly däldir. MOSFET ulanylanda ýokardaky howpsuzlyk çärelerine üns berilmelidir.

5) MOSFET gurlanda, gurnama ýagdaýyna üns beriň we ýyladyş elementine ýakyn bolmazlyga synanyşyň; Turbanyň armaturlarynyň titremeginiň öňüni almak üçin turba gabygyny berkitmeli; gysgyçlar egilende, kökleriň ululygyndan 5 mm uly bolmaly, gysgyçlaryň egilmeginden we howanyň syzmagyna sebäp bolmazlygy üçin.

Kuwwatly MOSFET-ler üçin ýylylygyň ýaýramagynyň gowy şertleri zerurdyr. Kuwwatly MOSFET-ler ýokary ýük şertlerinde ulanylýandygy sebäpli, enjamyň uzak wagtlap durnukly we ygtybarly işlemegi üçin korpusyň temperaturasynyň bahalandyrylan bahadan ýokary bolmazlygyny üpjün etmek üçin ýeterlik ýylylyk enjamlary bolmaly.

Gysgaça aýdylanda, MOSFET-leriň howpsuz ulanylmagyny üpjün etmek üçin üns bermeli köp zat bar, şeýle hem dürli howpsuzlyk çäreleri görülmeli. Hünärmen we tehniki işgärleriň köpüsi, esasanam elektron höwesjeňleriň köpüsi, hakyky ýagdaýyna esaslanyp, MOSFET-leri howpsuz we netijeli ulanmagyň amaly usullaryny ulanmalydyrlar.