Öwrüjiniň MOSFET kommutasiýa ýagdaýynda işleýär we MOSFET-den akýan tok gaty ýokary. MOSFET dogry saýlanmasa, hereketlendiriji naprýa .eniýe amplitudasy ýeterlik uly bolmasa ýa-da zynjyryň ýylylygynyň ýaýramagy gowy bolmasa, MOSFET-iň gyzmagyna sebäp bolup biler.
1, inwertor MOSFET ýyladyş çynlakaý, üns bermeliMOSFETsaýlamak
Geçiş ýagdaýynda inwertordaky MOSFET, adatça drena current akymyny mümkin boldugyça uly, garşylygy talap edýär, şonuň üçin MOSFET-iň doýma naprýa dropeniýesini azaldyp, sarp edilenden bäri MOSFET-i azaldyp, azaldyp bilersiňiz ýylylyk.
MOSFET gollanmasyny gözden geçiriň, MOSFET-iň çydamly naprýa valueeniýe bahasy näçe ýokary bolsa, garşylygy şonça-da ýokary bolar we ýokary drena current togy, MOSFET-iň pes naprýa valueeniýe bahasy pes bolanlar, garşylygy adatça onlarça pesdigini göreris. milliohms.
5A-nyň ýük akymyny göz öňünde tutsak, köplenç ulanylýan MOSFETRU75N08R inwertory saýlaýarys we 500V 840 naprýa valueeniýe bahasyna çydap bileris, olaryň drena current akymy 5A ýa-da ondanam köp, ýöne iki MOSFET-iň garşylygy başga, şol bir tok sürýär , ýylylyk tapawudy gaty uly. 75N08R garşylyk diňe 0.008Ω, garşylyk 840 garşylyk 75N08R garşylygy bary-ýogy 0,008Ω, 840 garşylygy 0,85Ω. MOSFET-den akýan ýük akymy 5A bolanda, 75N08R-iň MOSFET naprýa dropeniýesiniň peselmegi bary-ýogy 0.04V, MOSFET-iň MOSFET sarp edilişi bary-ýogy 0,2W, 840-nyň MOSFET-iň naprýa dropeniýesiniň peselmegi 4,25W çenli bolup biler we sarp edilişi MOSFET-iň mukdary 21,25W. Mundan MOSFET-iň garşylygy 75N08R garşylygyndan tapawutlydygyny we olaryň ýylylyk öndürilişiniň gaty tapawutlydygyny görmek bolýar. MOSFET-iň garşylygy näçe kiçi bolsa, şonça-da gowy, MOSFET-iň garşylygy, ýokary sarp edilýän MOSFET turbasy gaty uly.
2, hereketlendiriji naprýa .eniýe amplitudasynyň hereketlendiriji zynjyry ýeterlik uly däl
MOSFET naprýa controleniýe dolandyryş enjamy, eger MOSFET turbasynyň sarp edilişini azaltmak, ýylylygy azaltmak isleseňiz, MOSFET derwezäniň naprýa .eniýe amplitudasy ýeterlik uly bolmaly, impulsyň gyrasyny dikligine sürüp, peseldip bilerMOSFETturba naprýa .eniýesiniň peselmegi, MOSFET turbanyň sarp edilişini azaltmak.
3, MOSFET ýylylygyň ýaýramagy gowy sebäp däl
Inverter MOSFET ýyladyş çynlakaý. Öwrüji MOSFET turbasynyň sarp edilişi köp bolansoň, iş adatça ýylylyk geçirijisiniň ýeterlik uly daşarky meýdanyny talap edýär we daşarky ýylylyk geçiriji bilen ýylylyk geçirijisiniň arasyndaky MOSFET ýakyn aragatnaşykda bolmaly (köplenç termiki geçiriji bilen örtülmeli) silikon ýagy), daşarky ýylylyk geçirijisi has kiçi bolsa ýa-da MOSFET-iň özi ýylylyk geçirijisiniň kontaktyna ýakyn bolmasa, MOSFET gyzdyrylmagyna sebäp bolup biler.
Inverter MOSFET ýyladyş çynlakaý, jemlemegiň dört sebäbi bar.
MOSFET sähelçe gyzdyrmak adaty hadysadyr, ýöne ýyladyş çynlakaý, hatda MOSFET-iň ýakylmagyna sebäp bolýar, aşakdaky dört sebäp bar:
1, zynjyryň dizaýny meselesi
MOSFET kommutasiýa zynjyrynda däl-de, çyzykly işde işlesin. Şeýle hem MOSFET gyzdyrmagynyň sebäplerinden biridir. N-MOS kommutasiýa edýän bolsa, G derejeli naprýa .eniýe doly işlemegi üçin elektrik üpjünçiliginden birnäçe V ýokary bolmaly, P-MOS bolsa tersine. Doly açylmaýar we naprýa dropeniýeniň düşmegi gaty uly, netijede güýç sarp edilýär, ekwiwalent DC impedansy has uludyr, naprýa dropeniýe peselýär, şonuň üçin U * I hem ýokarlanýar, ýitgi ýylylygy aňladýar. Bu zynjyryň dizaýnynda iň köp saklanýan ýalňyşlyk.
2, ýygylyk gaty ýokary
Esasy sebäbi, käwagt sesiň aşa köp yzarlanmagy, ýygylygyň ýokarlanmagyna sebäp bolýar,MOSFETuly ýitgiler, şonuň üçin ýylylyk hem ýokarlanýar.
3, ýylylyk dizaýny ýeterlik däl
Tok gaty ýokary bolsa, MOSFET-iň nominal tok bahasy, adatça ýetmek üçin gowy ýylylygyň ýaýramagyny talap edýär. Şonuň üçin ID iň ýokary tokdan az, erbet gyzdyryp biler, ýeterlik kömekçi ýylylyk enjamyna mätäç.
4, MOSFET saýlamak nädogry
Kuwwata nädogry baha bermek, MOSFET içerki garşylyk doly göz öňünde tutulmaýar, netijede kommutasiýa impedansy ýokarlanýar.
Iş wagty: Aprel-19-2024
