Eger tranzistory 20-nji asyryň iň uly oýlap tapyşy diýip atlandyryp boljak bolsa, onda muňa şübhe ýokMOSFET Onda uly karz. 1925-nji ýylda 1959-njy ýylda neşir edilen MOSFET patentleriniň esasy ýörelgelerinde Bell Labs gurluş dizaýny esasynda MOSFET ýörelgesini oýlap tapdy. Şu güne çenli uly göwrümli öwrüjiler, ýadyň kiçi, CPU we beýleki elektron enjamlaryň esasy bölekleri, olaryň hiç biri-de MOSFET ulanmaýar. şonuň üçin indiki MOSFET-iň gurluşynyň funksiýasyna düşünýäris! MOSFET-iň doly ady metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan-effekt tranzistory.
1. MOSFET-leriň esasy wezipeleri
MOSFET hakda esasy açar söz - ýarymgeçiriji we ýarymgeçiriji metal materialyň bir görnüşidir, elektrik toguny geçirip bilýär, ýöne aslynda izolýasiýa hem edip bolýar. MOSFET ýarymgeçiriji enjamyň bir görnüşi hökmünde, ýönekeý funksiýany durmuşa geçirmegimiz zerurdyr esasan zynjyryň aýlanyşyny üpjün etmek, şeýle hem blokirlemäniň zynjyryny durmuşa geçirip bilmek.
2. MOSFET-leriň esasy gurluşy
MOSFET pes derwezeli hereketlendiriji güýji, ajaýyp kommutasiýa tizligi we güýçli parallel işleýşi sebäpli gaty köpugurly güýç enjamydyr. Köp kuwwatly MOSFET-leriň uzynlygyna dik gurluşy bar, çeşmesi we wafliň ters uçarlarynda drena ,, uly toklaryň akmagyna we ýokary naprýa .eniýe ulanylmagyna mümkinçilik berýär.
3. MOSFET-ler esasan iki ugurda esasy güýç enjamlary hökmünde ulanylýar
(1), 10 KHz bilen 70kHz aralygyndaky iş ýygylygynyň talaplary, çykyş güýji meýdanda 5kw-dan az bolmaly, IGBT we güýji bolsa-daMOSFET degişli funksiýa ýetip biler, ýöne iň amatly saýlanmak üçin MOSFET-leriň güýji pes kommutasiýa ýitgilerine, kiçi göwrümine we has arzan bahasyna bil baglaýar, wekilçilikli programmalar LCD telewizion tagtalary, induksiýa bişirijileri we ş.m.
(2), işleýiş ýygylygynyň talaplary beýleki güýç enjamlary tarapyndan gazanyp boljak iň ýokary ýygylykdan has ýokary, häzirki iň ýokary ýygylyk esasan 70kHz ýa-da ondanam köp, bu ugurda güýçMOSFET ýeke-täk saýlaw boldy, wekilçilikli programmalar inwertorlar, ses enjamlary we ş.m.
Iş wagty: 18-2024-nji maý
