MOSFET-lerde (Field Effect Tubes) adatça üç sany gysgyç bar, Derwezesi (gysgaça G), Çeşme (gysgaça S) we Drena (gysgaça D). Bu üç çeňňegi aşakdaky usullar bilen tapawutlandyryp bolar:
I. Pin kesgitlemek
Derweze (G):Adatça "G" diýilýär ýa-da beýleki iki çeňňege garşylygy ölçemek arkaly kesgitlenip bilner, sebäbi derwezäniň güýçsiz ýagdaýynda gaty ýokary päsgelçilik bar we beýleki iki çeňňek bilen ep-esli baglanyşykly däl.
Çeşme (S)：Adatça "S" ýa-da "S2" diýlip atlandyrylýan bu häzirki akym nokady we adatça MOSFET-iň otrisatel terminalyna birikdirilýär.
Zeýkeş (D)：Adatça "D" belligi, häzirki akym nokady bolup, daşarky zynjyryň polo positiveitel terminalyna birikdirilýär.
II. Pin funksiýasy
Derweze (G):MOSFET-iň işlemegine we ýapylmagyna gözegçilik etmek üçin derwezede naprýa .eniýäni dolandyryp, MOSFET-iň kommutasiýasyna gözegçilik edýän esasy düwme. Kuwwatsyz ýagdaýda, beýleki iki çeňňek bilen düýpli baglanyşygy bolmadyk derwezäniň päsgelçiligi adatça gaty ýokary.
Çeşme (S)：häzirki akym nokady bolup, adatça MOSFET-iň otrisatel terminalyna birikdirilýär. NMOS-da çeşme adatça topraklanýar (GND); PMOS-da çeşme polo positiveitel üpjünçilige (VCC) birikdirilip bilner.
Zeýkeş (D)：Bu häzirki çykýan pin we daşarky zynjyryň polo positiveitel terminalyna birikdirildi. NMOS-da zeýkeş polo positiveitel üpjünçilige (VCC) ýa-da ýük bilen birikdirilýär; PMOS-da zeýkeş ýere (GND) ýa-da ýük bilen birikdirilýär.
III. Ölçemegiň usullary
Multimetri ulanyň:
Multimetri degişli garşylyk sazlamasyna düzüň (mysal üçin R x 1k).
Islendik elektroda birikdirilen multimetriň negatiw terminalyny, beýleki ruçkany galan iki polýus bilen öz garşylygyny ölçemek üçin ulanyň.
Iki ölçenen garşylyk bahasy takmynan deň bolsa, derwezäniň (G) negatiw ruçkasy, sebäbi derwezäniň we garşylygyň arasyndaky beýleki iki gysgyç adatça gaty uly.
Ondan soň, multimetr R × 1 dişli, çeşmä (S) birikdirilen gara ruçka, zeýkeş (D) bilen birikdirilen gyzyl ruçka, ölçenen garşylyk bahasy onlarça ohm üçin birnäçe ohm bolmalydyr. kesgitli şertleriň arasyndaky çeşme we zeýkeşiň geçiriji bolup biljekdigini.
Çeňňegiň tertibine gözegçilik ediň:
Gowy kesgitlenen pin tertibi bolan MOSFET-ler üçin (käbir paket görnüşleri ýaly), her çeňňegiň ýerleşişini we işleýşini pin tertibi diagrammasyna ýa-da maglumat tablisasyna seredip kesgitläp bolýar.
IV. Çäreler
MOSFET-leriň dürli modellerinde dürli çyzgylar we bellikler bolup biler, şonuň üçin ulanmazdan ozal belli bir model üçin maglumat tablisasy ýa-da paket çyzgysy bilen maslahatlaşmak iň gowusydyr.
Çeňňekleri ölçäniňizde we birleşdireniňizde, MOSFET-e zyýan ýetirmezlik üçin statiki elektrik goragyna üns beriň.
MOSFET-ler çalt kommutasiýa tizligi bilen naprýa .eniýe bilen dolandyrylýan enjamlar, ýöne amaly programmalarda MOSFET-iň dogry we ygtybarly işlemegini üpjün etmek üçin sürüjiniň zynjyrynyň dizaýnyna we optimizasiýasyna üns bermeli.
Gysgaça aýtsak, MOSFET-iň üç nokadyny kesgitlemek, pin funksiýasy we ölçeg usullary ýaly dürli usullar bilen takyk tapawutlandyryp bolýar.
Iş wagty: 19-2024-nji sentýabr
