Zynjyr dizaýnerleri MOSFET-leri saýlanda bir soraga üns beren bolmaly: P-kanal MOSFET ýa-da N-kanal MOSFET saýlamalymy? Öndüriji hökmünde önümleriňiziň arzan bahadan beýleki söwdagärler bilen bäsleşmegini islemeli we birnäçe gezek deňeşdirmeli. Onda nädip saýlamaly? 20 ýyllyk tejribesi bolan MOSFET öndürijisi OLUKEY, siziň bilen paýlaşmak isleýär.
Tapawut 1: geçirijilik aýratynlyklary
N-kanal MOS-yň aýratynlyklary, Vgs belli bir bahadan uly bolanda açylýar. Derwezäniň naprýa 4eniýesi 4V ýa-da 10V ýetýänçä, çeşme toprakly (pes derejeli disk) ulanylanda amatlydyr. P-kanal MOS-yň aýratynlyklary barada aýdylanda bolsa, Vgs belli bir bahadan pes bolanda açylýar, bu çeşme VCC (ýokary derejeli disk) birikdirilen ýagdaýlar üçin amatly.
Tapawut 2:MOSFETýitgi
N-kanal MOS bolsun ýa-da P-kanal MOS bolsun, açylandan soň garşylyk bar, şonuň üçin tok bu garşylyk üçin energiýa sarp eder. Sarp edilýän energiýanyň bu bölegine geçiriji ýitgi diýilýär. Kiçijik garşylykly MOSFET saýlamak geçirijiniň ýitgisini azaldar we häzirki pes güýçli MOSFET-leriň garşylygy adatça onlarça milliohm töweregi, şeýle hem birnäçe milliohm bar. Mundan başga-da, MOS açylanda we öçürilende, derrew tamamlanmaly däldir. Pese gaçmak prosesi bar we akýan tok hem köpelýär.
Bu döwürde MOSFET-iň ýitgisi, wyklýuçateliň we tokyň önümidir, oňa kommutasiýa ýitgisi diýilýär. Adatça kommutasiýa ýitgileri geçiriji ýitgilerden has uly we kommutasiýa ýygylygy näçe ýokary bolsa, ýitgiler şonça-da köp bolýar. Geçirijilik pursatynda naprýa; eniýeniň we tokyň önümi gaty uly, we ýitgi hem gaty uly, şonuň üçin kommutasiýa wagtyny gysgaltmak her geçiriş wagtynda ýitgini azaldar; kommutasiýa ýygylygyny azaltmak birlik wagty wyklýuçatelleriň sanyny azaldyp biler.
Üçünji tapawut: MOSFET ulanmak
P-kanal MOSFET-iň deşik hereketi pes, şonuň üçin MOSFET-iň geometrik ululygy we iş naprýa .eniýesiniň mutlak bahasy deň bolanda, P-kanal MOSFET-iň transkondensiýasy N-kanal MOSFET-den has kiçi bolýar. Mundan başga-da, P-kanal MOSFET-iň çäk naprýa .eniýesiniň mutlak bahasy birneme ýokary bolup, has ýokary iş naprýa .eniýesini talap edýär. P-kanal MOS-da uly logiki swing, uzak zarýad bermek we zarýad bermek prosesi we kiçijik enjam transkondensiýasy bar, şonuň üçin işleýiş tizligi pesdir. N-kanal MOSFET ýüze çykandan soň, olaryň köpüsine N-kanal MOSFET çalyşdy. Şeýle-de bolsa, P-kanal MOSFET-iň ýönekeý prosesi we arzanlygy sebäpli, käbir orta we kiçi sanly dolandyryş zynjyrlary henizem PMOS zynjyr tehnologiýasyny ulanýarlar.
Bolýar, bularyň hemmesini gaplaýan MOSFET öndürijisi OLUKEY-den paýlaşmak üçin. Has giňişleýin maglumat üçin bizi tapyp bilersiňizOLUKEYresmi web sahypasy. OLUKEY 20 ýyl bäri MOSFET-e ünsi jemleýär we merkezi Hytaýyň Guangdong welaýatynyň Şençzhenen şäherinde ýerleşýär. Esasan ýokary tok meýdan effekt tranzistorlary, ýokary güýçli MOSFETler, uly paket MOSFETler, kiçi woltly MOSFETler, kiçi paket MOSFETler, kiçi tokly MOSFETler, MOS meýdan effekt turbalary, gaplanan MOSFETler, kuwwatly MOSFETler, asyl MOSFETler, gaplanan MOSFETler we ş.m. Esasy agent önümi WINSOK.
Iş wagty: 17-2023-nji dekabry
