MOSFET-lere göz aýlaň

MOSFET-ler MOSFET-leri integral zynjyrlarda izolýasiýa edýär. MOSFET-ler, iň esasy enjamlaryň biri hökmündeýarymgeçiriji meýdan, tagtadaky zynjyrlarda we IC dizaýnynda giňden ulanylýar. Zeýkeş we çeşmeMOSFET çalyşyp biler we N görnüşli sebit bilen P görnüşli arkada emele gelip biler. Umuman aýdanyňda, iki çeşme çalşylýar, ikisi hem N görnüşli sebiti emele getirýärP görnüşli arkasy. Umuman aýdanyňda, bu iki zona birmeňzeş, bu iki bölüm açylsa-da, enjamyň işleýşine täsir etmez. Şonuň üçin enjam simmetrik hasaplanýar.

Ipleörelge:

MOSFET, zeýkeş akymyna gözegçilik etmek üçin bu "induksiýa zarýadlary" tarapyndan emele gelen geçiriji kanalyň ýagdaýyny üýtgetmek üçin "induksiýa zarýadynyň" mukdaryny gözegçilikde saklamak üçin VGS ulanýar. MOSFET öndürilende, interfeýsiň beýleki tarapynda has otrisatel zarýadlary duýmak üçin we ýokary geçirijilikli hapalaryň N-sebiti bilen izolýasiýa gatlagynda köp sanly polo positiveitel ionlar peýda bolýar. bu otrisatel zarýadlar we geçiriji kanal emele gelýär we VGS 0 bolsa-da, has uly zeýkeş tok, ID döredilýär. Derwezäniň naprýa .eniýesi üýtgese, kanaldaky induksiýa zarýadynyň mukdary hem üýtgeýär we ini geçiriji kanalyň şol bir derejede üýtgemegi. Derwezäniň naprýa .eniýesi üýtgese, kanaldaky induksiýa zarýadynyň mukdary hem üýtgär we geçiriji kanaldaky ini hem üýtgär, şonuň üçin drena current tok belgisi derwezäniň naprýa .eniýesi bilen birlikde üýtgär.

Rol:

1. Güýçlendiriji zynjyrda ulanylyp bilner. MOSFET güýçlendirijisiniň ýokary giriş impedansy sebäpli, birikdirmegiň sygymlylygy has kiçi bolup biler we elektrolitiki kondensatorlar ulanylyp bilinmez.

Inputokary giriş impedansy impedansy öwürmek üçin amatlydyr. Köplenç köp basgançakly güýçlendirijileriň giriş tapgyrynda impedans öwrülişi üçin ulanylýar.

3 variable Üýtgeýän rezistor hökmünde ulanylyp bilner.

4, elektron wyklýuçatel hökmünde ulanylyp bilner.

MOSFET-ler indi telewizorlarda ýokary ýygylykly kelleleri we elektrik üpjünçiligini kommutasiýa etmek ýaly köp sanly programmada ulanylýar. Häzirki wagtda bipolýar adaty tranzistorlar we MOS birleşip, ýokary güýçli ýerlerde giňden ulanylýan IGBT (izolýasiýa derwezesi bipolýar tranzistor) emele getirýärler we MOS integral zynjyrlary az sarp ediş häsiýetine eýe, indi CPU-lar giňden ulanylýar MOS zynjyrlary.