MOSFET awtobusa we ýük meýdançasyna birikdirilende ýokary woltly gapdal wyklýuçatel ulanylýar. Köplenç P-kanalMOSFETbu topologiýada naprýatageeniýe sürüjisi üçin ýene ulanylýar. Häzirki reýtingi kesgitlemek Ikinji ädim, MOSFET-iň häzirki reýtingini saýlamak. Zynjyryň gurluşyna baglylykda, bu häzirki reýting, ähli ýagdaýlarda ýüküň çydap biljek iň ýokary tok bolmalydyr.
Naprýatageeniýe ýagdaýyna meňzeş dizaýner, saýlananlary üpjün etmeliMOSFETUlgam tok akymlaryny döredýän hem bolsa, häzirki reýtinge çydap biler. Göz öňünde tutulan iki ýagdaý üznüksiz re andim we impuls tüpeňleri. Bu parametr FDN304P DATASHEET salgylanýar, bu ýerde MOSFET yzygiderli geçiriş re iniminde, tok enjamyň üstünden yzygiderli akýan mahaly.
Impulsyň tüpeňleri enjamyň üstünden akýan uly tok (ýa-da tüpeň) bolanda bolýar. Bu şertlerde iň ýokary tok kesgitlenenden soň, bu iň ýokary tok bilen çydap bilýän enjamy gönüden-göni saýlamak meselesi.
Bahalandyrylan tok saýlanylandan soň, geçirijiniň ýitgisi hem hasaplanmalydyr. Iş ýüzünde, MOSFET-ler ideal enjam däl, sebäbi geçiriji ýitgi diýlip atlandyrylýan geçiriji prosesde güýç ýitirilýär.
MOSFET enjamyň RDS (ON) tarapyndan kesgitlenişi ýaly "açyk" bolanda üýtgeýän rezistor hökmünde hereket edýär we temperatura bilen ep-esli üýtgeýär. Enjamyň kuwwatynyň ýaýramagy Iload2 x RDS (ON) -dan hasaplanyp bilner we garşylyk temperatura bilen üýtgänsoň, güýjiň ýaýramagy proporsional üýtgeýär. MOSFET-de ulanylýan naprýa Veniýe VGS näçe ýokary bolsa, RDS (ON) şonça-da kiçi bolar; tersine, RDS (ON) has ýokary bolar. Ulgam dizaýneri üçin ulgam naprýa .eniýesine baglylykda söwda nokatlary şu ýerde ýüze çykýar. Göçme dizaýnlar üçin pes woltlary ulanmak has aňsat (we has giňden ýaýran), senagat dizaýnlary üçin has ýokary naprýa .eniýeler ulanylyp bilner.
RDS (ON) garşylygy tok bilen birneme ýokarlanýar. RDS (ON) rezistorynyň dürli elektrik parametrleri boýunça üýtgeýjileri öndüriji tarapyndan berlen tehniki maglumatlar sahypasynda tapyp bilersiňiz.
Malylylyk talaplaryny kesgitlemek MOSFET saýlamagyň indiki ädimi ulgamyň ýylylyk talaplaryny hasaplamakdyr. Dizaýner iki dürli ssenariýany göz öňünde tutmalydyr, iň erbet we hakyky ýagdaý. Iň erbet ýagdaý üçin hasaplamany ulanmak maslahat berilýär, sebäbi bu netije has uly howpsuzlygy üpjün edýär we ulgamyň işlemezligini üpjün edýär.
Bu ýerde habardar bolmaly käbir ölçegler hem barMOSFETmaglumat tablisasy; gaplanan enjamyň ýarymgeçiriji çatrygy bilen daşky gurşawyň arasyndaky ýylylyk garşylygy we iň ýokary çatryk temperaturasy ýaly. Enjamyň çatryk temperaturasy daşky gurşawyň iň ýokary temperaturasyna we ýylylyk garşylygynyň we güýjiň ýaýramagynyň önümine deňdir (çatryk temperaturasy = daşky gurşawyň iň ýokary temperaturasy + [termiki garşylyk x güýç ýaýramagy]). Bu deňlemeden ulgamyň iň ýokary güýji ýaýramagy çözülip bilner, bu kesgitleme boýunça I2 x RDS (ON) deňdir.
Dizaýner enjamdan geçjek iň ýokary tok kesgitländigi sebäpli, RDS (ON) dürli temperatura üçin hasaplanyp bilner. Simpleönekeý ýylylyk modelleri bilen iş salyşanda dizaýner ýarymgeçiriji çatryk / enjamyň we daşky gurşawyň ýylylyk kuwwatyny hem göz öňünde tutmalydyr; yagny, çap edilen zynjyr tagtasynyň we bukjanyň derrew gyzmazlygy talap edilýär.
Adatça, PMOSFET, parazit diod bolar, diodyň wezipesi çeşme-drena ters baglanyşygynyň öňüni almakdyr, PMOS üçin NMOS-dan artykmaçlygy, açylýan naprýa 0eniýe 0 bolup biler we naprýatageeniýe tapawudy DS naprýa .eniýesi kän däl, şertli NMOS bolsa VGS-iň bosagadan uly bolmagyny talap edýär, bu bolsa dolandyryş naprýa .eniýesiniň hökmany naprýa .eniýeden hökmany suratda uly bolmagyna sebäp bolar we gereksiz kynçylyklar ýüze çykar. PMOS dolandyryş wyklýuçateli hökmünde saýlanýar, aşakdaky iki programma bar: birinji programma, naprýatageeniýäni saýlamagy amala aşyrmak üçin PMOS, V8V bar bolanda, naprýatageeniýäniň hemmesi V8V tarapyndan üpjün edilýär, PMOS öçüriler, VBAT VSIN-e naprýa .eniýe bermeýär we V8V pes bolanda VSIN 8V bilen işleýär. PMOS-yň dogry açylmagyny üpjün etmek üçin derwezäniň naprýa .eniýesini yzygiderli çekýän R120 rezistoryna üns beriň, öň beýan edilen beýik derwezäniň impedansy bilen baglanyşykly döwlet howpy.
D9 we D10 funksiýalary naprýa .eniýeniň ätiýaçlyk nusgasynyň öňüni almakdyr we D9-dan aýrylyp bilner. Zynjyryň DS-iň hakykatda tersine bolandygyny bellemelidiris, şonuň üçin kommutator turbasynyň işine birikdirilen diodyň geçirilmegi bilen ýetip bolmaz, amaly goşundylarda bellemelidiris. Bu zynjyrda, PGC dolandyryş signaly V4.2-iň P_GPRS-e güýç berýändigini ýa-da ýokdugyny gözegçilikde saklaýar. Bu zynjyr, çeşme we drena terminal terminallary tersine birikdirilmeýär, R110 we R113, R110 dolandyryş derwezesiniň tokunyň gaty uly däldigi, R113 dolandyryş derwezesiniň kadalylygy, PMOS ýaly ýokary R113 çekilmegi, şeýle hem bar dolandyryş signalynyň çekilmegi hökmünde görüp bolar, MCU-nyň içerki gysgyçlary we çekilmegi, ýagny çykyş PMOS-y öçürmedik mahaly açyk zeýkeşiň çykyşy, şu wagt, şeýle bolar çekmek üçin daşarky naprýa .eniýe gerek, şonuň üçin R113 rezistor iki rol oýnaýar. r110 kiçi bolup biler, 100 ohm bolup biler.
Kiçijik paket MOSFET-leriň özboluşly roly bar.
Iş wagty: 27-2024-nji aprel
