Adatça belli bolan kristal tranzistoryň metal-oksid-ýarymgeçiriji gurluşyMOSFET, bu ýerde MOSFET-ler P görnüşli MOSFET we N görnüşli MOSFET-lere bölünýär. MOSFET-lerden düzülen integral zynjyrlara MOSFET integral zynjyrlar we PMOSFET-lerden düzülen ýakyn baglanyşykly MOSFET integral zynjyrlar hem diýilýär.NMOSFETler CMOSFET integral zynjyrlar diýilýär.
P görnüşli substratdan we ýokary konsentrasiýa bahasy bolan iki sany n ýaýraýan ýerden ybarat MOSFET n-kanal diýilýärMOSFET, we n görnüşli geçiriji kanal sebäpli dörän geçiriji kanal, turba geçirende ýokary konsentrasiýa bahasy bolan iki n ýaýradýan ýolda n ýaýramak ýollaryndan emele gelýär. n-kanal galyňlaşdyrylan MOSFET-ler, derwezede mümkin boldugyça polo positiveitel ugry ýokarlandyrmak we diňe derwezäniň çeşmesiniň işleýşi, naprýa .eniýeniň naprýa .eniýesinden ýokary işleýän naprýa .eniýe talap edilende, geçiriji kanal sebäpli dörän n-kanal bar. n-kanal tükenmegi MOSFET-ler derwezäniň naprýa .eniýesine taýyn dällerdir (derwezäniň çeşmesiniň işleýşi nol işleýiş naprýa .eniýesini talap edýär). N-kanalyň ýagtylygynyň azalmagy MOSFET n-kanal MOSFET bolup, derwezäniň naprýa .eniýesi (derwezäniň çeşmesiniň işleýiş naprýa .eniýesi nola deň däl) geçiriji kanal ýüze çykýar.
NMOSFET integrirlenen zynjyrlar N-kanal MOSFET elektrik üpjünçiligi zynjyry, NMOSFET integral zynjyrlar, giriş garşylygy gaty ýokary, köpüsi güýç akymynyň siňdirilmegini siňdirmeli däldir we şeýlelik bilen CMOSFET we NMOSFET integrirlenen zynjyrlar. kuwwat akymynyň ýüküni hasaba alyň. Has köp zat üçin 9V. CMOSFET integrirlenen zynjyrlar, diňe NMOSFET integral zynjyrlar bilen NMOSFET integral zynjyrlary bilen birleşdirilip bilinýän, kommutasiýa elektrik üpjünçilik zynjyryny ulanmaly. Şeýle-de bolsa, NMOSFET-den CMOSFET-e derrew birikdirildi, sebäbi NMOSFET çykaryş garşylygy CMOSFET integrirlenen zynjyrly açar çekiş garşylygyndan az, şonuň üçin potensial tapawudy çekmek garşylygy R ulanmaga synanyşyň, R rezistoryň gymmaty köplenç 2-den 100KΩ.
N-kanalyň gurluşygy MOSFET-leri galyňlaşdyrdy
Pes doping konsentrasiýa bahasy bolan P görnüşli kremniy substratda, ýokary doping konsentrasiýasy bahasy bolan iki N sebit döredilýär we drena d d we çeşme s bolup hyzmat etmek üçin alýumin metaldan iki elektrod çekilýär.
Soňra ýarymgeçiriji komponentiň üstünde kremniniň izolýasiýa turbasynyň gaty inçe gatlagyny maskalaşdyrmakda, zeýkeşde - drena and bilen başga bir alýumin elektrodyň çeşmesiniň arasynda izolýasiýa turbasy, derwezäniň g ýaly.
Substratda N kanaly galyň MOSFET-den ybarat B elektrod hem çykýar. MOSFET çeşmesi we substrat umuman birleşdirilýär, zawoddaky turbanyň aglaba köplügi oňa birikdirildi, derwezesi we beýleki elektrodlar korpusyň arasynda izolýasiýa edildi.
Iş wagty: 26-2024-nji maý
