Birinji ädim saýlamakdyrMOSFETiki esasy görnüşde gelýär: N-kanal we P-kanal. Elektrik ulgamlarynda MOSFET-leri elektrik wyklýuçatel diýip hasaplamak bolar. N-kanal MOSFET derwezesi bilen çeşmesiniň arasynda polo positiveitel naprýa .eniýe goşulanda, wyklýuçatel geçirýär. Geçiriji wagtynda tok zeýkeşden çeşmä geçip biler. Zeýkeş bilen garşylykly RDS (ON) diýilýän çeşmäniň arasynda içerki garşylyk bar. MOSFET-iň derwezesiniň ýokary impedans terminalydygy düşnüklidir, şonuň üçin derwezä hemişe naprýa .eniýe goşulýar. Bu, derwezäniň soňraky görkezilen diagrammada birikdirilen ýere garşylykdyr. Derweze çalaja galdyrylsa, enjam dizaýn edilişi ýaly işlemez we amatsyz pursatlarda açyp ýa-da öçürip biler, netijede ulgamda güýç ýitip biler. Çeşme bilen derwezäniň arasyndaky naprýa .eniýe nola deň bolsa, wyklýuçatel öçýär we tok enjamdan akýar. Bu pursatda enjam öçürilen hem bolsa, syzýan tok ýa-da IDSS diýilýän kiçijik tok bar.
1-nji ädim: N-kanal ýa-da P-kanal saýlaň
Dizaýn üçin dogry enjamy saýlamakda ilkinji ädim N-kanal ýa-da P-kanal MOSFET ulanmalydygyny kesgitlemekdir. Adaty güýç programmasynda, MOSFET topraklananda we ýük magistral naprýa .eniýesine birikdirilende, MOSFET pes woltly tarap wyklýuçatelini düzýär. Pes woltly gapdal wyklýuçatelde, N-kanalMOSFETenjamy öçürmek ýa-da açmak üçin zerur naprýa .eniýäni göz öňünde tutmak bilen ulanylmaly. MOSFET awtobusa birikdirilende we ýük ýerleşdirilende, ýokary woltly gapdal wyklýuçatel ulanylmaly. P-kanal MOSFET, adatça bu topologiýada, ýene-de naprýa driveeniýe sürüjisi pikirleri üçin ulanylýar.
2-nji ädim: Häzirki reýtingi kesgitläň
Ikinji ädim, MOSFET-iň häzirki reýtingini saýlamak. Zynjyryň gurluşyna baglylykda, bu häzirki reýting, ähli ýagdaýlarda ýüküň çydap biljek iň ýokary tok bolmalydyr. Naprýatageeniýe ýagdaýyna meňzeş dizaýner, saýlanan MOSFET ulgamyň ýokary akymlar döredýän hem bolsa, häzirki reýtinge çydap biljekdigini üpjün etmeli. Göz öňünde tutulan iki ýagdaý üznüksiz re andim we impuls tüpeňleri. Bu parametr salgylanma hökmünde FDN304P turbasy DATASHEET esaslanýar we parametrler suratda görkezilýär:
Üznüksiz geçiriji re Inimde, tok enjamyň üsti bilen yzygiderli akýan mahaly, MOSFET durnukly ýagdaýda. Impulsyň tüpeňleri enjamyň üsti bilen köp mukdarda köpelýän (ýa-da tokly tok) bolanda bolýar. Bu şertlerde iň ýokary tok kesgitlenenden soň, bu iň ýokary tok bilen çydap bilýän enjamy gönüden-göni saýlamak meselesi.
Bahalandyrylan toky saýlanyňyzdan soň, geçirijiniň ýitgisini hem hasaplamaly. Iş ýüzündeMOSFETideal enjam däl, sebäbi geçiriji prosesde geçiriji ýitgi diýilýän güýç ýitgisi bolar. Enjamyň RDS (ON) tarapyndan kesgitlenýän we temperatura we düýpli üýtgeşmeler bilen üýtgeýän garşylyk ýaly MOSFET. Enjamyň kuwwatynyň ýaýramagy Iload2 x RDS (ON) -dan hasaplanyp bilner we garşylyk temperatura bilen üýtgänsoň, güýjiň ýaýramagy proporsional üýtgeýär. MOSFET-de ulanylýan naprýa Veniýe VGS näçe ýokary bolsa, RDS (ON) şonça-da kiçi bolar; tersine, RDS (ON) has ýokary bolar. Ulgam dizaýneri üçin ulgam naprýa .eniýesine baglylykda söwda nokatlary şu ýerde ýüze çykýar. Göçme dizaýnlar üçin pes woltlary ulanmak has aňsat (we has giňden ýaýran), senagat dizaýnlary üçin has ýokary naprýa .eniýeler ulanylyp bilner. RDS (ON) garşylygy tok bilen birneme ýokarlanýar. RDS (ON) rezistorynyň dürli elektrik parametrleriniň üýtgemelerini öndüriji tarapyndan üpjün edilýän tehniki maglumatlar sahypasynda tapyp bilersiňiz.
3-nji ädim: malylylyk talaplaryny kesgitläň
MOSFET saýlamagyň indiki ädimi ulgamyň ýylylyk talaplaryny hasaplamakdyr. Dizaýner iki dürli ssenariýany göz öňünde tutmalydyr, iň erbet we hakyky ýagdaý. Iň erbet ýagdaý üçin hasaplamak maslahat berilýär, sebäbi bu netije has uly howpsuzlygy üpjün edýär we ulgamyň işlemezligini üpjün edýär. MOSFET maglumatlar sahypasynda habardar bolmaly käbir ölçegler hem bar; gaplanan enjamyň we daşky gurşawyň ýarymgeçiriji birleşmesiniň arasyndaky ýylylyk garşylygy we iň ýokary çatryk temperaturasy ýaly.
Enjamyň çatryk temperaturasy daşky gurşawyň iň ýokary temperaturasyna we ýylylyk garşylygynyň we güýjiň ýaýramagynyň önümine deňdir (çatryk temperaturasy = daşky gurşawyň iň ýokary temperaturasy + [termiki garşylyk × güýç ýaýramagy)). Bu deňlemeden ulgamyň iň ýokary güýji ýaýramagy çözülip bilner, bu kesgitleme boýunça I2 x RDS (ON) deňdir. Işgärler enjamdan geçjek iň ýokary tok kesgitländigi sebäpli, RDS (ON) dürli temperatura üçin hasaplanyp bilner. Simpleönekeý ýylylyk modelleri bilen iş salyşanda dizaýner ýarymgeçiriji çatryk / enjam korpusynyň we korpus / daşky gurşawyň ýylylyk kuwwatyny hem göz öňünde tutmalydyr; yagny, çap edilen zynjyr tagtasynyň we bukjanyň derrew gyzmazlygy talap edilýär.
Adatça, PMOSFET, parazit diod bolar, diodyň wezipesi çeşme-drena ters baglanyşygynyň öňüni almakdyr, PMOS üçin NMOS-dan artykmaçlygy, açylýan naprýa 0eniýe 0 bolup biler we naprýatageeniýe tapawudy DS naprýa .eniýesi kän däl, şertli NMOS bolsa VGS-iň bosagadan uly bolmagyny talap edýär, bu bolsa dolandyryş naprýa .eniýesiniň hökmany naprýa .eniýeden hökmany suratda uly bolmagyna sebäp bolar we gereksiz kynçylyklar ýüze çykar. PMOS aşakdaky iki programma üçin dolandyryş wyklýuçateli hökmünde saýlanýar:
Enjamyň çatryk temperaturasy daşky gurşawyň iň ýokary temperaturasyna we ýylylyk garşylygynyň we güýjiň ýaýramagynyň önümine deňdir (çatryk temperaturasy = daşky gurşawyň iň ýokary temperaturasy + [termiki garşylyk × güýç ýaýramagy)). Bu deňlemeden ulgamyň iň ýokary güýji ýaýramagy çözülip bilner, bu kesgitleme boýunça I2 x RDS (ON) deňdir. Dizaýner enjamdan geçjek iň ýokary tok kesgitländigi sebäpli, RDS (ON) dürli temperatura üçin hasaplanyp bilner. Simpleönekeý ýylylyk modelleri bilen iş salyşanda dizaýner ýarymgeçiriji çatryk / enjam korpusynyň we korpus / daşky gurşawyň ýylylyk kuwwatyny hem göz öňünde tutmalydyr; yagny, çap edilen zynjyr tagtasynyň we bukjanyň derrew gyzmazlygy talap edilýär.
Adatça, PMOSFET, parazit diod bolar, diodyň wezipesi çeşme-drena ters baglanyşygynyň öňüni almakdyr, PMOS üçin NMOS-dan artykmaçlygy, açylýan naprýa 0eniýe 0 bolup biler we naprýatageeniýe tapawudy DS naprýa .eniýesi kän däl, şertli NMOS bolsa VGS-iň bosagadan uly bolmagyny talap edýär, bu bolsa dolandyryş naprýa .eniýesiniň hökmany naprýa .eniýeden hökmany suratda uly bolmagyna sebäp bolar we gereksiz kynçylyklar ýüze çykar. PMOS aşakdaky iki programma üçin dolandyryş wyklýuçateli hökmünde saýlanýar:
Bu zynjyra seredeniňde, PGC dolandyryş signaly V4.2-iň P_GPRS-e güýç berýändigini ýa-da bermeýändigini gözegçilikde saklaýar. Bu zynjyr, çeşme we drena terminal terminallary tersine birikdirilmedi, R110 we R113, R110 dolandyryş derwezesiniň tokunyň gaty uly däldigi sebäpli bar, R113 adaty derwezäni dolandyrýar, PMOS bolşy ýaly R113 ýokary çykýar , ýöne şeýle hem dolandyryş signalynyň çekilmegi hökmünde görüp bolar, MCU-nyň içerki gysgyçlary we çekilmegi, ýagny çykyş açyk zeýkeş bolanda açyk zeýkeşiň çykyşy we PMOS sürüp bilmeýär öçürilende, çekilende daşarky naprýa .eniýe zerur, şonuň üçin R113 rezistor iki rol oýnaýar. Çekmek üçin daşarky naprýa .eniýe gerek bolar, şonuň üçin R113 rezistor iki rol oýnaýar. r110 has kiçi bolup biler, 100 ohm hem bolup biler.
Iş wagty: 18-2024-nji aprel
