Ilki bilen MOSFET görnüşi we gurluşy, MOSFET FET (beýlekisi JFET), güýçlendirilen ýa-da könelişen görnüşde, P-kanal ýa-da N-kanal jemi dört görnüşde öndürilip bilner, ýöne diňe güýçlendirilen N-iň hakyky ulanylyşy -Kannel MOSFET-ler we kämilleşdirilen P-kanal MOSFET-ler, adatça NMOSFET ýa-da PMOSFET diýlip atlandyrylýan NMOSFET ýa-da PMOSFET bu iki görnüşe degişlidir. Giňeldilen MOSFET-leriň bu iki görnüşi üçin NMOSFET-ler garşylygy pes we önümçiligi aňsatlygy sebäpli has köp ulanylýar. Şonuň üçin NMOSFET-ler, adatça, elektrik üpjünçiligini we hereketlendiriji programmalaryny çalyşmakda ulanylýar we aşakdaky giriş NMOSFET-lere hem gönükdirilýär. parazit kuwwaty üç çeňňegiň arasynda barMOSFETzerur däl, önümçilik prosesiniň çäklendirmeleri sebäpli. Parazit kuwwatynyň bolmagy, sürüjiniň zynjyryny dizaýn etmek ýa-da saýlamak birneme kynlaşdyrýar. Zeýkeş bilen çeşmäniň arasynda parazit diod bar. Bedeniň diody diýilýär we hereketlendirijiler ýaly induktiw ýükleri sürmekde möhümdir. Theeri gelende aýtsak, beden diody diňe aýratyn MOSFET-lerde bolýar we adatça IC çipiniň içinde ýok.
IndiMOSFETpes woltly programmalary sürüň, 5V elektrik üpjünçiligi ulanylanda, bu gezek adaty totem polýus gurluşyny ulansaňyz, tranzistor sebäpli takmynan 0,7V naprýa dropeniýe peselmegi sebäpli naprýatageeniýedäki derwezä hakyky goşulma diňe bolýar 4.3 V. Bu wagt, käbir töwekgelçilikleriň barlygy boýunça MOSFET-iň 4,5V nominal derwezäniň naprýa .eniýesini saýlaýarys. Şol bir mesele 3V ýa-da beýleki pes woltly elektrik üpjünçilik hadysalarynda ulanylanda ýüze çykýar. Goşa naprýa .eniýe käbir dolandyryş zynjyrlarynda ulanylýar, bu ýerde logika bölümi adaty 5V ýa-da 3.3V sanly naprýa .eniýäni, güýç bölümi bolsa 12V ýa-da has ýokary ulanýar. Iki naprýa .eniýe umumy ýer bilen birleşdirilýär. Bu pes woltly tarapyň ýokary naprýa sideeniýede MOSFET-i netijeli dolandyrmagyna mümkinçilik berýän zynjyry ulanmagy talap edýär, ýokary woltly tarapdaky MOSFET bolsa 1 we 2-de agzalan kynçylyklar bilen ýüzbe-ýüz bolar.
Üç hadysanyň hemmesinde totem polýusynyň gurluşy çykyş talaplaryna laýyk bolup bilmeýär we tekjäniň daşynda köp MOSFET sürüjisi IC-ler derwezäniň naprýa .eniýesini çäklendirýän gurluşy öz içine almaýar. Giriş naprýa .eniýesi kesgitlenen baha däl, wagt ýa-da beýleki faktorlar bilen üýtgeýär. Bu üýtgeşiklik, PWM zynjyry bilen MOSFET-e berlen sürüjiniň naprýa .eniýesiniň durnuksyz bolmagyna sebäp bolýar. MOSFET-i ýokary derwezeli naprýa .eniýelerden goramak üçin köp MOSFET-de derwezäniň naprýa .eniýesiniň amplitudasyny güýçli çäklendirmek üçin gurlan naprýa .eniýe sazlaýjylary bar. Bu ýagdaýda, sürüjiniň naprýa .eniýesi naprýatageeniýe sazlaýjysyndan has köp üpjün edilende, şol bir wagtyň özünde uly statiki güýç sarp etmegine sebäp bolar, eger derwezäniň naprýa .eniýesini azaltmak üçin rezistor naprýa diveniýeli bölüji prinsipini ulansaňyz, birneme ýokary bolar giriş naprýa .eniýesi ,.MOSFETgowy işleýär, derwezäniň naprýa .eniýesi doly geçirijiniň az bolmagyna sebäp bolup, giriş naprýa .eniýesi peselýär we şeýlelik bilen güýç sarp edilýär.
Diňe NMOSFET sürüjiniň zynjyrynyň ýönekeý derňew geçirmegi üçin bu ýerde adaty bir zynjyr: Vl we Vh pes we ýokary derejeli elektrik üpjünçiligi, iki wolt birmeňzeş bolup biler, ýöne Vl Vh-den ýokary bolmaly däldir. Q1 we Q2, izolýasiýany amala aşyrmak üçin ulanylýan we şol bir wagtyň özünde Q3 we Q4 iki sürüji turbasynyň bir wagtyň özünde geçmezligini üpjün etmek üçin tersine totem polýusyny emele getirýärler. R2 we R3 PWM naprýa .eniýesini üpjün edýär R2 we R3 PWM naprýa .eniýe salgylanmasyny üpjün edýär, bu salgylanmany üýtgedip, PWM signal tolkun formasynda zynjyryň işlemegine birneme dik we göni ýerleşip bilersiňiz. Q3 we Q4 sürüjiniň tokyny üpjün etmek üçin ulanylýar, wagtynda, Q3 we Q4 Vh we GND bilen deňeşdirilende diňe Vce naprýa dropeniýeniň iň pes derejesi, bu naprýa dropeniýeniň peselmegi adatça bary-ýogy 0,3V ýa-da ondanam pesdir 0.7V-den ýokary Vce R5 we R6 seslenme garşylygydyr, R5 we R6 derwezesi üçin ulanylýar, derwezäniň naprýa .eniýesini almak üçin ulanylýan seslenme garşylygydyr, soň bolsa Q1 we Q2 esaslarynda güýçli negatiw seslenme döretmek üçin Q5-den geçýär, şeýlelik bilen çäklendirilýär derwezäniň naprýa .eniýesi çäkli bahada. Bu bahany R5 we R6 sazlap bolýar. Netijede, R1 esasy tokyň Q3 we Q4 bilen çäklendirilmegini üpjün edýär, R4 bolsa Q3Q4 Buzynyň çäklendirilmegi bolan MOSFET-ler üçin derwezäniň toguny çäklendirýär. Tizlenme kondensatory, zerur bolsa R4-den ýokarda paralel birikdirilip bilner.
Iş wagty: 21-2024-nji aprel
