MOSFET-iň gowy ýa-da erbetdigini nädip kesgitlemeli?

Ikinjisi: MOSFET birikmesiniň elektrik derejesini hil taýdan çözmekMultimetr R × 100 faýlyna aýlanar, gyzyl ruçka tötänleýin aýak turbasyna, gara ruçka başga bir aýak turbasyna birikdiriler we üçünji aýak howada asylýar. Iňňäniň birneme pese gaçýandygyny görseňiz, derwezäniň üçünji aýagynyň tassyklanandygy tassyklanýar. Hakyky täsirine has ähmiýetli syn etmek, şeýle hem howa aýaklaryna asylan ýa-da barmak degmegi bilen elektron yrgyldy, diňe uly gaçmak üçin iňňäni görmek, ýagny howa aýaklarynda asylmagyň derwezedigini görkezýär , beýleki iki aýagy çeşme we zeýkeşdi.

Tapawutly sebäpler:

JFET-iň giriş garşylygy 100MΩ-den ýokary we transkonduksiýa gaty ýokary, derwezäniň içindäki kosmos magnit meýdany derwezede işleýän naprýa dataeniýe signalyny magnit bilen öçürmek aňsat bolanda, turbanyň ýokary galmagyna ýa-da ýykylmagyna sebäp bolýar. öçürmek Bedeniň induksiýa naprýa .eniýesi derrew derwezä goşulsa, esasy elektromagnit päsgelçilik güýçli bolany üçin ýokardaky ýagdaý has möhüm bolar. Eger uly sowulmanyň çep tarapynda hasaplaýjy iňňe, turbanyň adyndan, drena source çeşmesine garşylyk RDS giňelmegi, azalýan IDS-iň drena source çeşmesi. tersine, turbanyň öçürilýändigini, RDS ↓, IDS large uly deflýasiýanyň sag tarapyndaky metr iňňesi. Şeýle-de bolsa, sowulmagyň haýsy ugry boýunça induksiýa naprýa .eniýesiniň polo positiveitel we otrisatel polýuslaryna (iş naprýa .eniýesiniň polo positiveitel ugry ýa-da iş naprýa .eniýesiniň ters ugry) we polat turbanyň işleýiş nokadyna bagly bolmaly.
Gowaklar:
(1) Synag, iki eliň D we S polýuslaryndan izolýasiýa edilip, diňe derwezä degilende, iňňäniň köplenç çepe gaçýandygyny görkezýär. Şeýle-de bolsa, iki eliňiz D, S-polýusyň hersine degse we barmaklar bilen derwezä degse, iňňäniň sag tarapa gaçmagyny synlamak bolýar. Munuň düýp sebäbi, MOSFET-de birnäçe pozisiýanyň we rezistorlaryň jisimidir, doýma ýagdaýyna öwrüler.