(1) MOSFET naprýa .eniýäni dolandyrýan element, tranzistor bolsa häzirki manipulýasiýa elementidir. Sürüjilik ukyby ýok bolsa, sürüjiniň toky gaty az, saýlanmalyMOSFET; signalyň naprýa .eniýesi pes we elektrik balykçy maşyn sürüjisiniň basgançak şertlerinden has köp tok almagy wada beren tranzistor saýlanmalydyr.
. Bipolýar enjam diýilýär.
(3) KäbirleriMOSFET Derwezäniň naprýa .eniýesini ulanmak üçin çeşme we zeýkeş çalşyp bolýar, polo positiveitel ýa-da otrisatel bolup biler, tranzistordan çeýeligi gowy.
.
(5) MOSFET ýokary giriş impedansynyň we pes sesiň artykmaçlyklaryna eýedir, şonuň üçin dürli elektron duzak enjamlarynda giňden ulanylýar. Esasanam, ähli elektron enjamlaryny girizmek, çykyş etaby üçin meýdan effekti turbasy bilen umumy tranzistory alyp bolýar, funksiýa ýetmek kyn.
(6)MOSFETler iki kategoriýa bölünýär: gyzyl çatryk görnüşi we izolýasiýa edilen derwezäniň görnüşi we olaryň manipulýasiýa ýörelgeleri birmeňzeş.
Aslynda, triod arzan we ulanmak üçin has amatly, köplenç köne pes ýygylykly balykçylarda ulanylýar, ýokary ýygylykly zynjyrlar üçin MOSFET, ýokary hadysalar, şonuň üçin ýokary ýygylykly ultrases balykçylarynyň täze görnüşi zerurdyr BuUly MOS. Umuman aýdanyňda, arzan bahaly ýagdaýlar, MOS-y göz öňünde tutmak islemeseňiz däl-de, tranzistorlary ulanmagy göz öňünde tutmak üçin ilkinjileriň umumy ulanylyşy.
MOSFET bölüniş sebäpleri we çözgütleri aşakdakylar
Birinjiden, MOSFET-iň giriş garşylygy gaty ýokary, derwezäniň çeşmesi bolan elektrodlaryň geçirijiligi gaty az, şonuň üçin daşarky elektromagnit meýdanlaryna ýa-da elektrostatiki induksiona we zarýadly bolup, az mukdarda zarýad emele gelip biler. Degişli ýokary naprýa .eniýeniň (U = Q / C) elektrodara geçirijilik ukybyna zeper ýeter. Elektrik balykçy maşynynyň MOS girişinde statiki garşy tehniki çäreler bar bolsa-da, iň oňat metal gaplary ýa-da geçiriji materiallary gaplamakda we eltip bermekde seresaplylyk bilen seretmeli, statiki ýokary naprýa .eniýe hüjüm etmek aňsat däl. himiki materiallar ýa-da himiki süýüm matalar. Gurnamak, işe girizmek, zatlar, daşky görnüş, iş stansiýasy we ş.m. ajaýyp esas bolmalydyr. Integrirlenen bloklara degmezden ozal, neýlon, himiki süýümli eşik, eli ýa-da bir zat geýmeli däl ýaly operatoryň elektrostatiki päsgelçiliklerinden gaça durmak üçin ýer birikdirmek iň gowusydyr. Enjamlary gurşun tekizlemek we egmek ýa-da elde kebşirlemek üçin ajaýyp topraklamak üçin enjamlary ulanmak zerurdyr.
Ikinjiden, MOSFET zynjyrynyň girişindäki tehniki diod, öz wagtynda tok çydamlylygy, adatça geçiş tokynyň (10mA-dan ýokary) ähtimallygynda 1mA bolup, giriş hyzmat ediş rezistoryna birikdirilmelidir. Başlangyç dizaýnda 129 # hyzmat ediş rezistoryna gatnaşmady, şonuň üçin MOSFET-iň döwülmeginiň sebäbi we içerki tehniki garşylygy çalyşmak bilen MOSFET şeýle şowsuzlygyň ýüze çykmagynyň öňüni almaly. Wagtlaýyn energiýany siňdirmek üçin hyzmat ediş zynjyrynyň çäklidigi sebäpli, gaty uly wagtlaýyn signal we aşa ýokary elektrostatik naprýa .eniýe tehniki hyzmatyň täsirini ýitirer. Kebşirleýiş lehimleri, syzmagyň döwülmeginiň öňüni almak üçin berk toprak gerek bolanda, kebşirlemek üçin lehim demiriniň galyndy ýylylygy ulanylandan soň, umumy ulanylanda öçürilip bilner we ilki bilen topraklaryny kebşirläň.
Iş wagty: Iýul-31-2024
