Kiçijik woltly MOSFET saýlamasy gaty möhüm bölekdirMOSFETsaýlamak gowy däl, tutuş zynjyryň netijeliligine we bahasyna täsir edip biler, şeýle hem MOSFET-i nädip dogry saýlamalydygy in engineenerlere köp kynçylyk getirer?
N-kanal ýa-da P-kanaly saýlamak Dizaýn üçin dogry enjamy saýlamakda ilkinji ädim N-kanal ýa-da P-kanal MOSFET-i ulanmak ýa-da ulanmazlyk barada karar bermek Adaty güýç programmasynda MOSFET pes woltly gapdal wyklýuçatelini emele getirýär MOSFET topraklanýar we ýük magistral naprýa .eniýesine birikdirilýär. Pes woltly gapdal wyklýuçatelde, enjamy öçürmek ýa-da açmak üçin zerur naprýa .eniýäni göz öňünde tutup, N-kanal MOSFET ulanylmaly.
MOSFET awtobusa birikdirilende we ýük ýerleşdirilende, ýokary woltly gapdal wyklýuçatel ulanylmaly. P-kanal MOSFET-ler, adatça, bu topologiýada, ýene-de naprýa driveeniýe sürüjisi pikirleri üçin ulanylýar. Häzirki reýtingi kesgitläň. MOSFET-iň häzirki reýtingini saýlaň. Zynjyryň gurluşyna baglylykda, bu häzirki reýting, ähli ýagdaýlarda ýüküň çydap biljek iň ýokary tok bolmalydyr.
Naprýatageeniýe ýagdaýyna meňzeş dizaýner, saýlananlary üpjün etmeliMOSFETUlgam tok akymlaryny döredýän hem bolsa, häzirki reýtinge çydap biler. Häzirki göz öňünde tutulmaly iki ýagdaý üznüksiz re modeim we impuls tüpeňleri. Üznüksiz geçiriş tertibinde, tok enjamdan yzygiderli geçende, MOSFET durnukly ýagdaýda.
Enjamyň içinden uly ululyklar (ýa-da tok toklary) akýan impulslar. Bu şertlerde iň ýokary tok kesgitlenenden soň, bu iň ýokary tok bilen çydap bilýän enjamy gönüden-göni saýlamak meselesi. Malylylyk talaplaryny kesgitlemek MOSFET saýlamak hem ulgamyň ýylylyk talaplaryny hasaplamagy talap edýär. Dizaýner, iň erbet we hakyky ýagdaýy iki dürli ssenariýa göz öňünde tutmalydyr. Iň erbet ýagdaý hasaplamany ulanmak maslahat berilýär, sebäbi bu has uly howpsuzlyk çägini üpjün edýär we ulgamyň işlemezligini üpjün edýär. MOSFET maglumatlar sahypasynda habardar bolmaly käbir ölçegler hem bar; paket enjamynyň we daşky gurşawyň ýarymgeçiriji birleşmesiniň arasyndaky ýylylyk garşylygy we iň ýokary çatryk temperaturasy ýaly. Işleýiş işini üýtgetmek kararyna gelmek bilen, MOSFET-i saýlamagyň iň soňky ädimi, kommutasiýa ýerine ýetirijiligini kesgitlemekdirMOSFET.
Geçiş işine täsir edýän köp parametr bar, ýöne iň möhümi derwezäniň / zeýkeşiň, derwezäniň / çeşmäniň we zeýkeş / çeşmäniň sygymlylygydyr. Bu mümkinçilikler enjamda kommutasiýa ýitgilerini döredýär, sebäbi her kommutasiýa wagtynda zarýad almaly bolýar. şonuň üçin MOSFET-iň kommutasiýa tizligi peselýär we enjamyň netijeliligi peselýär. Geçmek wagtynda enjamyň umumy ýitgilerini hasaplamak üçin dizaýner açyk ýitgileri (Eon) we öçürilen ýitgileri hasaplamalydyr.
VGS-iň gymmaty az bolanda, elektronlary siňdirmek ukyby güýçli däl, syzmak - henizem geçiriji kanalyň görkezmeýän çeşmesi, vGS köpelýär, ýokarlananda elektronyň P substratynyň daşky gatlagyna siňýär, vGS a ýetende belli bir baha, P substrat görnüşiniň golaýyndaky derwezede ýerleşýän bu elektronlar N görnüşli inçe gatlak emele getirýär we iki N + zona birikdirilende vGS belli bir gymmata ýetende, P substrat görnüşiniň golaýyndaky derwezede ýerleşýän bu elektronlar a emele getirer Zeýkeş çeşmesinde N görnüşli inçe gatlak we iki N + sebite birikdirilen çeşme, N görnüşli geçiriji kanal, geçiriji görnüşi we P substratynyň tersi, anti-görnüşli gatlagy emele getirýär. vGS has uludyr, ýarymgeçirijiniň daşky görnüşi elektrik meýdany näçe güýçli bolsa, P substratyň daşyna elektronlaryň siňdirilmegi, geçiriji kanal näçe galyň bolsa, kanalyň garşylygy şonça pes bolar. Vagny, vGS <VT-de N-kanal MOSFET geçiriji kanal emele getirip bilmez, turba kesilen ýagdaýynda. VGS ≥ VT bolanda, diňe kanalyň düzümi bolanda. Kanal döredilenden soň, zeýkeşiň çeşmesiniň arasynda öňe çykýan naprýa veniýe vDS goşmak arkaly zeýkeş akymy emele gelýär.
Vöne Vgs artmagyny dowam etdirýär, Vds = 0 we Vds = 400V bolanda iki şert, IRFPS40N60KVgs = 100V diýeliň, iki şert, turba funksiýasy, eger ýakylsa, işiň sebäbi we içerki mehanizmi Vgs-iň ýokarlanmagynyň azalmagydyr Rds (açyk) kommutasiýa ýitgilerini azaldýar, ýöne şol bir wagtyň özünde, Qg-ni artdyrar, şeýlelik bilen açyk ýitgiler has ulalyp, MOSFET GS naprýa .eniýesiniň Vgg-den Cgs zarýad almagyna we ýokarlanmagyna täsir edip, tehniki naprýa Veniýe Vth-e ýetdi. , MOSFET geçiriji başlamak; MOSFET DS tok artmagy, DS sygymlylygy we çykarylyşy sebäpli aralykda Millier sygymlylygy, GS sygymlylygy zarýad bermek kän bir täsir etmeýär; Qg = Cgs * Vgs, ýöne zarýad artmagyny dowam etdirer.
MOSFET-iň DS naprýa .eniýesi Vgs bilen deň naprýa toeniýe düşýär, Millier kuwwaty ep-esli ýokarlanýar, daşarky hereketlendiriji naprýa .eniýe Millier kuwwatyny zarýadlamagy bes edýär, GS kuwwatynyň naprýa .eniýesi üýtgemez, Millier kuwwatynyň naprýa .eniýesi ýokarlanýar, naprýa .eniýe bolsa DS kuwwatynyň peselmegini dowam etdirýär; MOSFET-iň DS naprýa .eniýesi doýgun geçirijide naprýa toeniýe peselýär, Millier kuwwaty kiçelýär MOSFET-iň DS naprýa .eniýesi doýma geçirijisinde naprýa toeniýe düşýär, Millier kuwwaty kiçelýär we daşarky hereketlendiriji tarapyndan GS kuwwaty bilen bilelikde zarýadlanýar naprýa; eniýe we GS sygymlylygyndaky naprýa; eniýe ýokarlanýar; naprýa .eniýäni ölçemek kanallary içerki 3D01, 4D01 we Nissan-yň 3SK seriýasydyr.
G-polýus (derwezäni) kesgitlemek: multimetriň diod enjamyny ulanyň. Pozitiw we otrisatel naprýa dropeniýeniň arasyndaky bir aýak we beýleki iki aýak 2V-den uly bolsa, ýagny "1" ekrany bolsa, bu aýak G. derwezesi bolup, iki aýagyň galan bölegini ölçemek üçin ruçka çalşyň, naprýa dropeniýeniň peselmegi şol wagt az, gara ruçka D-polýusa (drena)), gyzyl ruçka S-polýusa (çeşme) birikdirildi.
Iş wagty: 26-njy aprel-2024
