"MOSFET" metal oksidi ýarymgeçiriji meýdan effekt tranzistorynyň gysgaldylyşy. Üç materialdan ýasalan enjam: metal, oksid (SiO2 ýa-da SiN) we ýarymgeçiriji. MOSFET ýarymgeçiriji meýdançasyndaky iň esasy enjamlardan biridir. IC dizaýnynda bolsun ýa-da tagta derejeli zynjyr programmalarynda bolsun, gaty giňdir. MOSFET-iň esasy parametrlerine ID, IDM, VGSS, V (BR) DSS, RDS (on), VGS (th) we ş.m. girýär. Bulary bilýärsiňizmi? OLUKEY kompaniýasy, orta we ýokary derejeli orta we pes woltly Taýwanly winok hökmündeMOSFETagent hyzmatyny üpjün ediji, MOSFET-iň dürli parametrlerini jikme-jik düşündirmek üçin 20 ýyla golaý tejribesi bolan esasy topary bar!
MOSFET parametrleriniň manysynyň beýany
1. Ekstremal parametrler:
ID: Zeýkeş çeşmesiniň iň ýokary akymy. Meýdanyň täsiri tranzistory kadaly işleýän mahaly, zeýkeş bilen çeşmäniň arasynda geçmäge rugsat berlen iň ýokary tok degişlidir. Meýdanyň täsiri tranzistorynyň işleýiş tok ID-den ýokary bolmaly däldir. Bu parametr çatryk temperaturasynyň ýokarlanmagy bilen peselýär.
IDM: Iň ýokary impulsly zeýkeş çeşmesi tok. Bu parametr, çatryk temperaturasynyň ýokarlanmagy bilen peselýär, täsir garşylygyny görkezýär we impuls wagty bilen baglanyşykly. Bu parametr gaty kiçi bolsa, OCP synag wagtynda ulgam tok bilen döwülmek howpy bolup biler.
PD: Iň ýokary güýç ýaýrady. Bu meýdan effekti tranzistorynyň işleýşini ýaramazlaşdyrmazdan rugsat berilýän iň ýokary drena source çeşmesiniň ýaýramagyna degişlidir. Ulanylanda, FET-iň hakyky sarp ediş güýji PDSM-den az bolmaly we belli bir aralyk goýmaly. Bu parametr, çatryk temperaturasynyň ýokarlanmagy bilen azalýar
VDSS: Zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesine çydamlylygy. Drenaj çeşmesiniň naprýa .eniýesi, akýan drena current akymy belli bir temperaturada we derwezeli çeşme gysga utgaşmasynda belli bir gymmata ýetende (gaty ýokarlanýar). Bu ýagdaýda zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesine göçüň naprýa .eniýesi hem diýilýär. VDSS polo positiveitel temperatura koeffisiýentine eýe. -50 ° C-de, VDSS takmynan 90% 25 ° C-de bolýar. Adatça adaty önümçilikde galýan kömek pullary sebäpli, MOSFET-iň göçüň naprýa .eniýesi hemişe nominal naprýa .eniýeden ýokarydyr.
OLUKEYArmyly maslahatlar: Iň erbet iş şertlerinde önümiň ygtybarlylygyny üpjün etmek üçin iş naprýa .eniýesiniň bahasynyň 80 ~ 90% -inden geçmeli däldigi maslahat berilýär.
VGSS: Iň ýokary derwezeli çeşme naprýa .eniýe çydamly. Derwezäniň we çeşmäniň arasyndaky ters tok birden ýokarlanyp başlanda, VGS bahasyna degişlidir. Bu naprýa valueeniýe bahasyndan ýokary bolsa, derwezäniň oksid gatlagynyň dielektrik döwülmegine sebäp bolar, bu weýran ediji we yzyna gaýtaryp bolmajak bölek.
TJ: Işleýän çatryklaryň iň ýokary temperaturasy. Adatça 150 ℃ ýa-da 175 is bolýar. Enjam dizaýnynyň iş şertlerinde bu temperaturadan ýokary bolmazlyk we belli bir aralyk goýmak zerur.
TSTG: saklaýyş temperatura diapazony
Bu iki parametr, TJ we TSTG, enjamyň işleýiş we saklaýyş gurşawy tarapyndan rugsat berlen çatryk temperatura diapazonyny kalibrleýär. Bu temperatura diapazony enjamyň iň az işleýiş talaplaryna laýyk gelýär. Enjamyň bu temperatura aralygynda işlemegi üpjün edilse, iş möhleti ep-esli uzaldar.
2. Statik parametrler
MOSFET synag şertleri, adatça, 2.5V, 4.5V we 10V.
V (BR) DSS: Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi. Derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi VGS 0 bolanda meýdan effekt tranzistorynyň çydap bilýän iň ýokary drena source çeşmesiniň naprýa .eniýesine degişlidir. Bu çäklendiriji parametr we meýdan effekti tranzistoryna ulanylýan iş naprýa Veniýesi V (BR) -dan pes bolmaly DSS. Oňyn temperatura aýratynlyklaryna eýe. Şonuň üçin pes temperatura şertlerinde bu parametriň bahasy howpsuzlyga üns berilmelidir.
△ V (BR) DSS / △ Tj: Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesiniň temperatura koeffisiýenti, adatça 0,1V / ℃
RDS (işledilýär): VGS (adatça 10V), çatryk temperaturasy we drena current akymynyň käbir şertlerinde, MOSFET açylanda drena and bilen çeşmäniň arasyndaky iň ýokary garşylyk. MOSFET açylanda sarp edilýän güýji kesgitleýän örän möhüm parametr. Bu parametr, adatça, çatryk temperaturasynyň ýokarlanmagy bilen ýokarlanýar. Şonuň üçin iň ýokary işleýän çatryk temperaturasyndaky bu parametriň bahasy ýitgini we naprýa dropeniýäniň düşmegini hasaplamak üçin ulanylmalydyr.
VGS (th): açyk naprýa .eniýe (bosagadaky naprýa .eniýe). Daşarky derwezäniň dolandyryş naprýa .eniýesi VGS VGS (th) -dan ýokary bolsa, zeýkeşiň we çeşme sebitleriniň üstki öwrüliş gatlaklary birleşdirilen kanal emele getirýär. Programmalarda, zeýkeşiň gysga utgaşma şertinde ID 1 mA deň bolanda derwezäniň naprýa .eniýesine köplenç açyk naprýa .eniýe diýilýär. Bu parametr, çatryk temperaturasynyň ýokarlanmagy bilen azalýar
IDSS: doýgun zeýkeş çeşmesi tok, derwezäniň naprýa .eniýesi VGS = 0 we VDS belli bir baha bolanda drena source çeşmesi. Adatça mikroamp derejesinde
IGSS: derwezeli çeşme hereketlendiriji tok ýa-da ters tok. MOSFET giriş impedansy gaty uly bolansoň, IGSS adatça nanoamp derejesinde.
3. Dinamiki parametrler
gfs: transkonduksiýa. Zeýkeş çykaryş tokynyň üýtgemeginiň derwezäniň naprýa .eniýesiniň üýtgemegine bolan gatnaşygy degişlidir. Derwezeli çeşme naprýa .eniýesiniň zeýkeş akymyna gözegçilik etmek ukybynyň ölçegidir. Gfs we VGS arasyndaky geçiriş gatnaşyklary üçin diagramma serediň.
S: Jemi derwezäniň zarýad beriş ukyby. MOSFET naprýa .eniýe görnüşli hereketlendiriji enjam. Sürüji prosesi derwezäniň naprýa .eniýesini döretmek prosesi. Bu derwezäniň çeşmesi bilen derwezäniň zeýkeşiniň arasyndaky sygymlylygy güýçlendirmek arkaly gazanylýar. Bu tarap aşakda jikme-jik ara alnyp maslahatlaşylar.
S: Derwezäniň çeşmesiniň zarýad beriş ukyby
Qgd: derwezeden drena charge zarýady (Milleriň täsirini göz öňünde tutup). MOSFET naprýa .eniýe görnüşli hereketlendiriji enjam. Sürüji prosesi derwezäniň naprýa .eniýesini döretmek prosesi. Bu derwezäniň çeşmesi bilen derwezäniň zeýkeşiniň arasyndaky sygymlylygy güýçlendirmek arkaly gazanylýar.
Td (açyk): geçirijiniň gijikdiriliş wagty. Giriş naprýa .eniýesi 10% -e çenli ýokarlanýar we VDS amplitudasynyň 90% -ine düşýär
Tr: ýokarlanmak wagty, çykyş naprýa .eniýesi VDS-iň amplitudasynyň 90% -den 10% -e çenli peselmegi
Td (öçürmek): Öçürmek gijikdirme wagty, giriş naprýa 90eniýesiniň 90% -e çenli azalýan wagty we VDS-iň öçýän naprýa 10eniýesiniň 10% -ine çenli bolan wagty;
Tf: Güýz wagty, çykyş naprýa Veniýesiniň amplitudasynyň 10% -den 90% -e çenli ýokarlanmagy
Ciss: Giriş sygymlylygy, drena andy we çeşmäni gysga utgaşdyryň we AC signaly bilen derwezäniň we çeşmäniň arasyndaky sygymlylygy ölçäň. Ciss = CGD + CGS (CDS gysga utgaşmasy). Enjamyň açylmagyna we öçürilmegine gönüden-göni täsir edýär.
Çykdajy: Çykyş ukyby, derwezäni we çeşmäni gysga utgaşdyryň we drena and bilen çeşmäniň arasyndaky sygymlylygy AC signaly bilen ölçäň. Kaz = CDS + CGD
Crss: Ters geçiriş kuwwaty. Çeşme ýere birikdirilende, zeýkeş bilen derwezäniň arasyndaky ölçenen kuwwat Crss = CGD. Wyklýuçateller üçin möhüm parametrleriň biri ýokarlanmak we düşmek wagtydyr. Crss = CGD
Interelektrod kuwwaty we MOSFET-iň induksiýa kuwwaty, öndürijileriň köpüsi tarapyndan giriş kuwwatyna, çykyş kuwwatyna we seslenme ukybyna bölünýär. Getirilen bahalar, drena to çeşmesiniň naprýa .eniýesi üçin. Zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesiniň üýtgemegi bilen bu kuwwatlyklar üýtgeýär we sygymlylygyň bahasy çäkli täsir edýär. Giriş kuwwatynyň bahasy diňe sürüjiniň zynjyry tarapyndan talap edilýän zarýad berişiň takmynan görkezijisini berýär, derwezäniň zarýad beriş maglumatlary has peýdaly. Belli bir derwezeden çeşme naprýa .eniýesine ýetmek üçin derwezäniň zarýad bermeli mukdaryny görkezýär.
4. Güýç döwülmeginiň häsiýetli parametrleri
Güýç döwülmeginiň häsiýetli parametri MOSFET-iň öçürilen ýagdaýynda aşa wolta garşy durmak ukybynyň görkezijisidir. Naprýatageeniýe zeýkeş çeşmesiniň çäk naprýa .eniýesinden ýokary bolsa, enjam göç ýagdaýynda bolar.
EAS: pulseke impulsly göçüň bölüniş energiýasy. Bu, MOSFET-iň çydap biläýjek göçüň iň ýokary energiýasyny görkezýän çäkli parametrdir.
IAR: göç toguny
Gulak: Güýçleriň gaýtalanmagy
5. Vivo diod parametrleri
IS: Üznüksiz maksimum erkin tok (çeşmeden)
ISM: impulsyň iň ýokary erkin tok akymy (çeşmeden)
VSD: öňe naprýa .eniýe düşmegi
Trr: dikeldiş wagty
Qrr: Ters zarýadyň dikeldilmegi
Ton: Geçirijiniň wagty. (Esasan ähmiýetsiz)
MOSFET açylýan wagt we öçürmek wagty kesgitlemesi
Arza beriş döwründe köplenç aşakdaky aýratynlyklary göz öňünde tutmaly:
1. V (BR) DSS-iň oňyn temperatura koeffisiýenti. Bipolýar enjamlardan tapawutlanýan bu häsiýet, adaty iş temperaturasynyň ýokarlanmagy bilen olary has ygtybarly edýär. Lowöne pes temperaturaly sowuk başlanda onuň ygtybarlylygyna üns bermeli.
2. V (GS) th-iň negatiw temperatura koeffisiýenti. Derwezäniň çäk potensialy, çatryk temperaturasynyň ýokarlanmagy bilen belli bir derejede peseler. Käbir radiasiýa bu çäk potensialyny, hatda 0 potensialdanam peselder. Bu aýratynlyk inersenerlerden bu ýagdaýlarda MOSFET-leriň päsgelçiligine we ýalňyş işlemegine üns bermegini talap edýär, esasanam pes çäkli potensialy bolan MOSFET programmalary üçin. Bu häsiýet sebäpli kämahal päsgelçilikden we ýalan tüweleýden gaça durmak üçin derwezäniň sürüjisiniň naprýa offeniýedäki potensialyny negatiw baha (N görnüşi, P görnüşi we ş.m.) düzmek zerur bolýar.
3. VDSon / RDSo-nyň poloositiveitel temperatura koeffisiýenti. VDSon / RDSon, çatryk temperaturasynyň ýokarlanmagy bilen birneme ýokarlanýar, MOSFET-leri göni paralel ulanmaga mümkinçilik berýär. Iki taraplaýyn enjamlar bu meselede tersine, şonuň üçin paralel ulanmak gaty çylşyrymly bolýar. ID ulaldygyça RDSon hem birneme artar. Bu birleşme we RDSon çatrygynyň we polo positiveitel temperatura aýratynlyklary MOSFET-e bipolý enjamlar ýaly ikinji derejeli bökdençliklerden gaça durmaga mümkinçilik berýär. Şeýle-de bolsa, bu aýratynlygyň täsiriniň gaty çäklidigini bellemelidiris. Paralel, iteklemek ýa-da başga programmalar ulanylanda, bu aýratynlygyň öz-özüni düzgünleşdirmegine doly bil baglap bilmersiňiz. Käbir düýpli çäreler henizem zerur. Bu häsiýet, ýokary temperaturada geçiriji ýitgileriň has ulalýandygyny hem düşündirýär. Şonuň üçin ýitgileri hasaplanda parametrleri saýlamaga aýratyn üns berilmelidir.
4. ID-iň otrisatel temperatura koeffisiýent aýratynlyklary, MOSFET parametrlerine we esasy häsiýetnamalaryna düşünmek, çatryk temperaturasynyň ýokarlanmagy bilen ep-esli azalýar. Bu häsiýet, dizaýn wagtynda ýokary temperaturada şahsyýet parametrlerini göz öňünde tutmagy zerur edýär.
5. Güýç ukybynyň negatiw temperatura koeffisiýenti IER / EAS. Çatryk temperaturasy ýokarlanandan soň, MOSFET-de has uly V (BR) DSS boljakdygyna garamazdan, EAS-yň ep-esli azaljakdygyny bellemelidiris. Highagny, ýokary temperatura şertlerinde göçlere garşy durmak ukyby adaty temperatura garanyňda has ejizdir.
6. MOSFET-de parazit diodyň geçirijilik ukyby we ters dikeldiş öndürijiligi adaty diodlaryňkydan gowy däl. Dizaýndaky aýlawda esasy tok göteriji hökmünde ulanylmagyna garaşylmaýar. Blokirlemek diodlary köplenç bedende parazit diodlary ýatyrmak üçin yzygiderli baglanyşýarlar we elektrik elektrik göterijisini emele getirmek üçin goşmaça parallel diodlar ulanylýar. Şeýle-de bolsa, gysga möhletli geçiriji ýa-da sinhron düzediş ýaly käbir ownuk tok talaplary bolan ýagdaýynda daşaýjy hökmünde kabul edilip bilner.
7. Zeýkeş potensialynyň çalt ýokarlanmagy derwezäniň sürüjisiniň ýalňyş hereket etmegine sebäp bolup biler, şonuň üçin bu mümkinçiligi uly dVDS / dt programmalarynda (ýokary ýygylykly çalt kommutatorlar) göz öňünde tutmaly.
Iş wagty: 13-2023-nji dekabry
