Ikinjiden, ulgam çäklendirmeleriniň ululygy
Käbir elektron ulgamlar PCB we içerki ululygy bilen çäklenýär beýiklik, saragatnaşyk ulgamy hökmünde, beýiklik çäklendirmeleri sebäpli modully elektrik üpjünçiligi, adatça DFN5 * 6, DFN3 * 3 paketini ulanýar; käbir ACDC elektrik üpjünçiliginde, aşa inçe dizaýnyň ulanylmagy ýa-da gabygyň çäklendirilmegi sebäpli, beýiklik çäklendirmeleriniň köküne gönüden-göni girizilen güýç MOSFET aýaklarynyň TO220 paketini ýygnamak TO247 paketini ulanyp bilmez. Käbir ultra inçe dizaýn, enjamyň gysgyçlaryny göni egýär, bu dizaýn önümçilik prosesi çylşyrymly bolar.
Üçünjiden, kompaniýanyň önümçilik prosesi
TO220-iň iki görnüşli bukjasy bar: ýalaňaç metal paket we doly plastmassa paket, ýalaňaç metal paket ýylylyk garşylygy az, ýylylygyň ýaýramagy güýçli, ýöne önümçilik prosesinde izolýasiýa peselmegini goşmaly, önümçilik prosesi çylşyrymly we gymmat, doly plastmassa paket ýylylyk garşylygy uly bolsa, ýylylygyň ýaýramak ukyby gowşak, ýöne önümçilik prosesi ýönekeý.
Nurbatlary gulplamagyň emeli prosesini azaltmak üçin soňky ýyllarda elektrik toguny ulanýan käbir elektron ulgamlaryMOSFET ýylylyk geçirijisinde gysyldy, täze encapsulýasiýa görnüşindäki deşikleri aýyrmagyň ýokarky böleginiň adaty TO220 böleginiň peýda bolmagy, şeýle hem enjamyň beýikligini peseltmek üçin.
Dördünjiden, çykdajylara gözegçilik
Iş stoly anakartlary we tagtalary ýaly gaty gymmada duýgur programmalarda, DPAK paketlerindäki kuwwatly MOSFET-ler, adatça, şeýle paketleriň arzanlygy sebäpli ulanylýar. Şonuň üçin güýçli MOSFET bukjasyny saýlanyňyzda, kompaniýasynyň stili we önüm aýratynlyklary bilen utgaşyp, ýokardaky faktorlary göz öňünde tutuň.
Bäşinjisi, köp halatda çydamly naprýa .eniýe BVDSS-i saýlaň, sebäbi giriş sesiniň dizaýnyelektron görnüşi ulgam birneme durnukly, kompaniýa käbir material belgisiniň belli bir üpjün edijisini saýlady, önümiň bahalandyrylan naprýa .eniýesi hem kesgitlenendir.
Maglumatlar tablisasyndaky kuwwatly MOSFET-leriň bölüniş naprýa .eniýesi dürli şertlerde dürli bahalar bilen synag şertlerini kesgitledi we BVDSS polo positiveitel temperatura koeffisiýentine eýe, bu faktorlaryň utgaşmasynyň hakyky ulanylyşynda giňişleýin göz öňünde tutulmalydyr.
Köp maglumat we edebiýat köplenç agzalýar: BVDSS-den uly bolsa, iň ýokary tolkun naprýa ofeniýesiniň MOSFET VDS ulgamy, hatda impuls naprýa .eniýesiniň dowamlylygy bary-ýogy birnäçe ýa-da onlarça ns bolsa, MOSFET güýji garga girer. we şeýlelik bilen zeper ýetýär.
Tranzistorlardan we IGBT-den tapawutlylykda kuwwatly MOSFET-ler göçe garşy durmak ukybyna eýedir we köp sanly ýarymgeçiriji kompaniýalar önümçilik liniýasyndaky MOSFET göç energiýasyny doly gözden geçirmek, 100% kesgitlemek, ýagny maglumatlarda bu kepillendirilen ölçeg, göç naprýa .eniýesi köplenç BVDSS-den 1,2 ~ 1,3 gezek ýüze çykýar we wagtyň dowamlylygy adatça μs, hatda ms derejesi bolýar, onda diňe birnäçe ýa-da onlarça ns dowamlylygy, göç naprýa .eniýesinden ýokary impuls naprýa .eniýesinden has pesdir. kuwwat MOSFET.
Alty, sürüjiniň naprýa .eniýesini saýlamak arkaly VTH
Dürli elektron güýç ulgamy MOSFET saýlanan sürüjiniň naprýa .eniýesi birmeňzeş däl, AC / DC tok üpjünçiligi adatça 12V hereketlendiriji naprýa .eniýesini, 5V sürüjiniň naprýa usingeniýesini ulanyp, depderiň anakart DC / DC öwrüjisini ulanýar, şonuň üçin ulgamyň hereketlendiriji naprýa .eniýesine görä başga çäk naprýa .eniýesini saýlamak üçin VTH güýç MOSFETLERI.
Maglumat tablisasyndaky MOSFET-leriň çäk naprýa .eniýesi VTH synag şertlerini hem kesgitledi we dürli şertlerde dürli bahalara eýe, VTH bolsa negatiw temperatura koeffisiýentine eýe. Dürli hereketlendiriji naprýa .eniýe VGS dürli garşylyklara laýyk gelýär we amaly goşundylarda temperaturany göz öňünde tutmak möhümdir
Amaly amalyýetlerde, MOSFET-iň güýjüniň doly açylmagyny üpjün etmek üçin temperatura üýtgemelerini göz öňünde tutmaly, şol bir wagtyň özünde ýapmak prosesinde G-polýusyna birikdirilen tüýdük impulslarynyň ýalan tüweleme bilen ýüze çykmazlygyny üpjün etmeli; göni ýa-da gysga utgaşma öndürýär.
Iş wagty: Awgust-03-2024
