Derwezäniň sygymlylygy, garşylyk we MOSFET-leriň beýleki parametrleri

I. Derwezäniň kuwwaty

Derwezäniň sygymlylygy esasan giriş kuwwatyny (Ciss), çykyş kuwwatyny (çykdajy) we ters geçirijilik ukybyny (Crss, Miller sygymlylygy diýlip hem atlandyrylýar) öz içine alýar.

 

Giriş ukyby (Ciss):

 

DEGIŞLI: Giriş kuwwaty derwezäniň we çeşmäniň we zeýkeşiň arasyndaky umumy sygymlylyk bolup, derwezäniň çeşmesiniň kuwwatyndan (Cgs) we paralel birleşdirilen derwezäniň drena capac kuwwatyndan (Cgd), ýagny Ciss = Cgs + Cgd.

 

Funksiýa: Giriş kuwwaty MOSFET-iň kommutasiýa tizligine täsir edýär. Giriş kuwwaty bosagadaky naprýa; eniýe zarýad berlende, enjam açylyp bilner; belli bir bahadan çykarylanda, enjam öçürilip bilner. Şonuň üçin hereketlendiriji zynjyr we Ciss enjamyň açylmagyna we öçürilmegine gijikdirilýär.

 

Çykyş ukyby (çykdajy):

Kesgitleme: Çykyş kuwwaty zeýkeş bilen çeşmäniň arasyndaky umumy sygymlylyk bolup, drena source çeşmesiniň kuwwatyndan (Cds) we paralel ýagdaýda derwezäniň drena capac kuwwatyndan (Cgd), ýagny Coss = Cds + Cgd.

 

Roly: softumşak çalyşýan programmalarda Coss gaty möhümdir, sebäbi zynjyrda rezonans döredip biler.

 

Tersine geçiriş ukyby (Crss):

Kesgitleme: Tersine geçirijilik ukyby derwezäniň drena capac kuwwatyna (Cgd) deňdir we köplenç Miller kuwwaty diýilýär.

 

Rol: Tersine geçirijilik ukyby wyklýuçateliň ýokarlanmagy we düşmegi üçin möhüm parametrdir we öçürmegiň gijikdiriliş wagtyna hem täsir edýär. Zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesiniň ýokarlanmagy bilen sygymlylyk gymmaty azalýar.

II. Garşylyk (Rds (on))

 

Kesgitleme: Garşylyk, belli bir şertlerde (meselem, syzýan tok, derwezäniň naprýa .eniýesi we temperaturasy) MOSFET-iň çeşmesi bilen drena between arasyndaky garşylykdyr.

 

Täsir ediji faktorlar: Garşylyk kesgitlenen baha däl, temperatura täsir edýär, temperatura näçe ýokary bolsa, Rds şonça-da köp. Mundan başga-da, çydamly naprýa .eniýe näçe ýokary bolsa, MOSFET-iň içki gurluşy näçe galyň bolsa, degişli garşylyk şonça-da ýokarydyr.

 

 

Möhümi: kommutasiýa elektrik üpjünçiligi ýa-da hereketlendiriji zynjyry taslanylanda, MOSFET-iň garşylygy barada pikir etmeli, sebäbi MOSFET-den akýan tok bu garşylyk üçin energiýa sarp eder we sarp edilýän energiýanyň bu bölegi çagyrylýar- garşylyk ýitgisi. Pes garşylykly MOSFET saýlamak, garşylyk ýitgisini azaldyp biler.

 

Üçünjiden, beýleki möhüm parametrler

Derwezäniň sygymlylygy we garşylygy bilen birlikde, MOSFET-iň käbir beýleki möhüm parametrleri bar:

V (BR) DSS (Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi):Zeýkeşiň üstünden akýan tok belli bir temperaturada we derwezäniň çeşmesiniň gysgalmagy bilen belli bir baha ýetýär. Bu bahadan ýokary turba zaýalanmagy mümkin.

 

VGS (th) (Bosgun naprýa) eniýesi):Geçiriji kanalyň çeşme bilen zeýkeşiň arasynda emele gelmegine sebäp bolmak üçin zerur bolan derwezäniň naprýa .eniýesi. Adaty N-kanal MOSFET-ler üçin VT takmynan 3-den 6V çenli.

 

ID (Maksimum üznüksiz zeýkeş akymy):Iň ýokary derejeli çatryk temperaturasynda çip bilen rugsat edip boljak iň ýokary üznüksiz tok.

 

IDM (Maksimum impulsly zeýkeş akymy):Enjamyň dolandyryp bilýän impulsly tok derejesini, impulsly tok üznüksiz tok togundan has ýokarydygyny görkezýär.

 

PD (iň ýokary güýç ýaýramagy):enjam iň ýokary energiýa sarp edip biler.

 

Gysgaça aýtsak, derwezäniň sygymlylygy, garşylyk we MOSFET-iň beýleki parametrleri onuň işleýşi we ulanylyşy üçin möhümdir we belli bir amaly ssenariýalaryna we talaplaryna laýyklykda saýlanylmaly we dizaýn edilmeli.