MOSFET kesgitleýiş akymy MOSFETler, ýarymgeçiriji meýdançasyndaky iň esasy enjamlaryň biri hökmünde dürli önüm dizaýnlarynda we tagta derejeli zynjyrlarda giňden ulanylýar. Esasanam ýokary güýçli ýarymgeçirijiler pudagynda dürli gurluşlaryň MOSFETleri çalşyp bolmajak rol oýnaýar. Elbetde, ýokary ulanylyş derejesiMOSFET käbir ownuk problemalara sebäp boldy. MOSFET syzmak meseleleriniň biri, dürli ýerlerde dürli çözgütler bar, şonuň üçin salgylanmaňyz üçin birnäçe näsazlyklary düzetmek usullaryny gurnadyk.
Voor de detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke aspen:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Mundan başga-da, “MOSFET lekkage voorwaarden”, “belangrijkste onderzoek kunnen” bilen ölýäris:
1, de van van de weerstand verwijderd, de multimetre münüp, zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weer metrde geleidelijk terug naar een hoge weerstand, bir deindigMOSFET lekkage; zal niet veranderen bu mesele;
2, bron poleniň üsti bilen MOSFET derwezesi bilen elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dan MOSFET geen problema;
3, de bron ro de van van MOSFET S, de zwarte ruçka na af de van de MOSFET;
4, 100KΩ-200KΩ werbonden drena met derwezesi bilen duşuşdy, MOSFET S, bron zonasy MOSFET S, de zwarte ruçkasy we MOSFET, warde van de metrpaal bellik gutardy “algemeen zal 0 zijn”, “MOSFET” derwezesiniň batterij opladen, derwezäniň elektriz söwdasy, gevolg van elektrisch veld, geleidingsvermogen sektiniň gapysy veroorzaaktyň netijesi pass, zodat de digitale multimetrli howuz ikitaraplaýyn, ikitaraplaýyn hoot groter de gezichtshoek, ontladen kenmerken.
Iş wagty: 25-2024-nji maý
