N-kanal MOSFET, N-kanal metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan-effekt tranzistory, MOSFET-iň möhüm görnüşidir. Aşakda N-kanal MOSFET-leriň jikme-jik düşündirişi:
I. Esasy gurluşy we düzümi
N-kanal MOSFET aşakdaky esasy komponentlerden durýar:
Derweze:dolandyryş terminaly, çeşme bilen zeýkeşiň arasyndaky geçiriji kanaly dolandyrmak üçin derwezäniň naprýa .eniýesini üýtgedip.· ·
Çeşme:Häzirki akym, adatça zynjyryň otrisatel tarapyna birikdirilýär.· ·
Zeýkeş: häzirki akym, adatça zynjyryň ýüküne baglydyr.
Substrate:Adatça MOSFET-ler üçin substrat hökmünde ulanylýan P görnüşli ýarymgeçiriji material.
Izolýator：Derwezäniň we kanalyň arasynda ýerleşýän adatça kremniniň dioksidinden (SiO2) ýasalýar we izolýator hökmünde çykyş edýär.
II. Işleýiş ýörelgesi
N-kanal MOSFET-iň işleýiş prinsipi, aşakdaky ýaly dowam edýän elektrik meýdanynyň täsirine esaslanýar:
Kesilen ýagdaýy:Derwezäniň naprýa .eniýesi (Vgs) bosagadaky naprýa .eniýeden (Vt) pes bolanda, derwezäniň aşagyndaky P görnüşli substratda N görnüşli geçiriji kanal emele gelmeýär we şonuň üçin çeşme bilen zeýkeşiň arasyndaky kesiş ýagdaýy bolýar. we tok akyp bilmeýär.
Geçirijilik ýagdaýy:Derwezäniň naprýa .eniýesi (Vgs) bosagadaky naprýa .eniýeden (Vt) ýokary bolanda, derwezäniň aşagyndaky P görnüşli substratdaky deşikler yza çekilýär we könelişme gatlagyny emele getirýär. Derwezäniň naprýa .eniýesiniň has köpelmegi bilen, elektron görnüşli P görnüşli substratyň ýüzüne çekilýär we N görnüşli geçiriji kanal emele gelýär. Bu pursatda çeşme bilen zeýkeşiň arasynda bir ýol emele gelýär we tok akyp biler.
III. Görnüşleri we aýratynlyklary
N-kanal MOSFET-ler, Enhancement-Mode we Depletion-Mode ýaly aýratynlyklaryna görä dürli görnüşlere bölünip bilner. Şolaryň arasynda, Enhancement-Mode MOSFET-ler derwezäniň naprýa noeniýesi nol bolanda kesilen ýagdaýynda bolýar we geçirmek üçin polo positiveitel derwezäniň naprýa; eniýesini ulanmaly; “Depletion-Mode” MOSFET-ler derwezäniň naprýa .eniýesi nol bolanda eýýäm geçirijilik ýagdaýynda.
N-kanal MOSFET-leriň ajaýyp aýratynlyklary bar:
Inputokary giriş impedansy:MOSFET-iň derwezesi we kanaly izolýasiýa gatlagy bilen izolirlenýär, netijede gaty ýokary giriş impedansy bolýar.
Pes ses:MOSFET-leriň işlemegi azlyk göterijileriň sanjymyny we birleşmegini öz içine almaýandygy sebäpli, ses pes.
Kuwwatlylygy az sarp etmek: MOSFET-ler hem daşarky, hem-de daşarky ýagdaýlarda az sarp edýär.
Speedokary tizlikli kommutasiýa aýratynlyklary:MOSFET-ler gaty çalt kommutasiýa tizligine eýedir we ýokary ýygylykly zynjyrlar we ýokary tizlikli sanly zynjyrlar üçin amatlydyr.
IV. Ulanylýan ýerler
N-kanal MOSFET-ler ajaýyp öndürijiligi sebäpli dürli elektron enjamlarynda giňden ulanylýar:
Sanly zynjyrlar:Logiki derwezäniň zynjyrlarynyň esasy elementi hökmünde sanly signallary gaýtadan işlemegi we dolandyrmagy amala aşyrýar.
Analog zynjyrlar:Güýçlendiriji we süzgüç ýaly analog zynjyrlarda esasy komponent hökmünde ulanylýar.
Kuwwat elektronikasy:Elektrik üpjünçiligini we motor hereketlendirijilerini üýtgetmek ýaly güýçli elektron enjamlaryna gözegçilik etmek üçin ulanylýar.
Beýleki ugurlar:LED yşyklandyryş, awtoulag elektronikasy, simsiz aragatnaşyk we beýleki ugurlar ýaly giňden ulanylýar.
Gysgaça aýtsak, N-kanal MOSFET möhüm ýarymgeçiriji enjam hökmünde häzirki zaman elektron tehnologiýalarynda çalşyp bolmajak rol oýnaýar.
Iş wagty: 13-2024-nji sentýabr
