MOSFET-iň üç polýusyny bilýärsiňizmi?

MOSFET (metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan-täsirli tranzistor) üç polýus bar:

Derweze:G, MOSFET-iň derwezesi bipolýar tranzistoryň esasyna deňdir we MOSFET-iň geçirişine we kesilmegine gözegçilik etmek üçin ulanylýar. MOSFET-lerde derwezäniň naprýa .eniýesi (Vgs) çeşme bilen zeýkeşiň arasynda geçiriji kanalyň emele gelendigini ýa-da geçiriji kanalyň giňligini we geçirijiligini kesgitleýär. Derweze metal, polisilikon we ş.m. ýaly materiallardan ýasalyp, tokyň derwezä göni ýa-da çykmazlygy üçin izolýasiýa gatlagy (köplenç kremniniň dioksidi) bilen gurşalan.

Çeşme:S, MOSFET-iň çeşmesi bipolýar tranzistoryň emitentine deňdir we tokyň akýan ýeri. N-kanal MOSFET-lerde çeşme adatça elektrik üpjünçiliginiň otrisatel terminalyna (ýa-da topragyna), P-kanal MOSFET-lerde bolsa çeşme elektrik üpjünçiliginiň polo positiveitel terminalyna birikdirilýär. Çeşme, derwezäniň naprýa .eniýesi ýeterlik derejede ýokary bolanda elektronlary (N-kanal) ýa-da deşikleri (P-kanal) iberýän geçiriji kanaly emele getirýän esasy böleklerden biridir.

Zeýkeş:D, MOSFET-iň zeýkeşleri bipolýar tranzistoryň kollektoryna deňdir we tokyň akýan ýeri. Drena usually adatça ýük bilen baglanyşýar we zynjyrda tok çykyşy hökmünde çykyş edýär. MOSFET-de zeýkeş geçiriji kanalyň beýleki ujundyr we derwezäniň naprýa .eniýesi çeşme bilen zeýkeşiň arasynda geçiriji kanalyň emele gelmegine gözegçilik edende, tok çeşmeden geçiriji kanal arkaly zeýkeşlere akyp biler.

Gysgaça aýdylanda, MOSFET-iň derwezesi gözegçilik etmek we öçürmek üçin ulanylýar, çeşme tokyň akýan ýeri we drena current tok akýan ýeri. Bilelikde, bu üç polýus MOSFET-iň işleýiş ýagdaýyny we işleýşini kesgitleýär .