MOSFET“Metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan-effekt tranzistory” diýlip atlandyrylýan, “Field-Effect Transistor” (FET) görnüşine degişli giňden ulanylýan elektron enjamdyr.MOSFETdemir derwezeden, oksid izolýasiýa gatlagyndan (köplenç kremniniň dioksidi SiO₂) we ýarymgeçiriji gatlakdan (köplenç kremniy Si) durýar. Işleýiş ýörelgesi, ýarymgeçirijiniň üstündäki ýa-da içindäki elektrik meýdanyny üýtgetmek üçin derwezäniň naprýa .eniýesini dolandyrmak, şeýlelik bilen çeşme bilen zeýkeşiň arasyndaky tok gözegçilik etmekdir.
MOSFETiki esasy görnüşe bölüp bolar: N-kanalMOSFET(NMOS) we P-kanalMOSFET(PMOS). NMOS-da, derwezäniň naprýa .eniýesi çeşmä degişlilikde polo isitel bolanda, ýarymgeçirijiniň üstünde n görnüşli geçiriji kanallar emele gelýär, bu bolsa elektronlaryň çeşmeden zeýkeşlere akmagyna mümkinçilik berýär. PMOS-da, derwezäniň naprýa .eniýesi çeşmä degişlilikde negatiw bolanda, ýarymgeçirijiniň üstünde p görnüşli geçiriji kanallar emele gelýär, bu çeşmeler çeşmeden zeýkeşlere akmaga mümkinçilik berýär.
MOSFETinputokary giriş impedansy, pes ses, az energiýa sarp etmek we integrasiýa aňsatlygy ýaly köp artykmaçlyklary bar, şonuň üçin olar analog zynjyrlarda, sanly zynjyrlarda, güýç dolandyryşynda, elektrik elektronikasynda, aragatnaşyk ulgamlarynda we beýleki ugurlarda giňden ulanylýar. Integrirlenen zynjyrlarda,MOSFETCMOS (goşmaça metal oksidi ýarymgeçiriji) logiki zynjyrlary emele getirýän esasy bölümlerdir. CMOS zynjyrlary NMOS we PMOS-nyň artykmaçlyklaryny birleşdirýär we pes energiýa sarp etmegi, ýokary tizlik we ýokary integrasiýa bilen häsiýetlendirilýär.
Mundan başga-da,MOSFETgeçiriji kanallaryň öňünden emele gelendigine ýa-da ýokarlandyrylma görnüşine we köneliş görnüşine bölünip bilner. Ösüş görnüşiMOSFETkanal geçiriji däl wagty derwezäniň naprýa; eniýesi nola deňdir, geçiriji kanal döretmek üçin belli bir derwezäniň naprýa; eniýesini ulanmaly; könelişen görnüşiMOSFETkanal eýýäm geçiriji bolanda derwezäniň naprýa .eniýesi nola deňdir, kanalyň geçirijiligini gözegçilikde saklamak üçin derwezäniň naprýa .eniýesi ulanylýar.
Gysgaça aýdylanda,MOSFETDerwezäniň naprýa .eniýesini dolandyrmak arkaly çeşme bilen zeýkeşiň arasyndaky toky sazlaýan we köp sanly amaly we möhüm tehniki ähmiýete eýe bolan metal oksid ýarymgeçiriji gurluşyna esaslanýan meýdan effekti tranzistorydyr.
Iş wagty: 12-2024-nji sentýabr
