MOSFET-iň ewolýusiýasy barada bilýärdiňizmi?

I. Irki düşünjeler we gözlegler

Teklip edilen teklip:MOSFET-iň oýlap tapyşyny, 1830-njy ýyllardan başlap, meýdan effekti tranzistory düşünjesini nemes Lilienfeld girizipdi. Şeýle-de bolsa, bu döwürdäki synanyşyklar amaly MOSFET-i durmuşa geçirip bilmedi.

Deslapky gözleg:Netijede, “Shaw Teki” -iň “Bell Labs” (Şokli) we beýlekiler meýdan effekt turbalarynyň oýlap tapyşyny öwrenmäge synanyşdylar, ýöne bu başa barmady. Şeýle-de bolsa, olaryň gözlegleri MOSFET-iň soňraky ösüşine esas döretdi.

II. MOSFET-leriň döremegi we başlangyç ösüşi

Esasy üstünlik:1960-njy ýylda Kahng we Atalla, kremniniň dioksidi (SiO2) bilen bipolýar tranzistorlaryň işleýşini gowulandyrmak prosesinde tötänleýin MOS meýdan effekt tranzistoryny (gysgaça MOS tranzistory) oýlap tapdylar. Bu oýlap tapyş, MOSFET-leriň toplumlaýyn zynjyr önümçilik pudagyna resmi girişini alamatlandyrdy.

Öndürijiligi ýokarlandyrmak:Ondarymgeçiriji proses tehnologiýasynyň ösmegi bilen MOSFET-leriň öndürijiligi gowulaşmagyny dowam etdirýär. Mysal üçin, ýokary woltly kuwwatly MOS-nyň işleýiş naprýa 1000eniýesi 1000V-e ýetip biler, pes garşylykly MOS-nyň garşylyk bahasy bary-ýogy 1 ohm, iş ýygylygy DC-den birnäçe megahert çenli üýtgeýär.

III. MOSFET-leriň giňden ulanylmagy we tehnologiki innowasiýa

Giňden ulanylýar:MOSFET-ler ajaýyp öndürijiligi sebäpli mikroprosessorlar, ýatlamalar, logiki zynjyrlar we ş.m. ýaly dürli elektron enjamlarynda giňden ulanylýar. Häzirki zaman elektron enjamlarynda MOSFET-ler aýrylmaz komponentlerden biridir.

 

Tehnologiki innowasiýa:Has ýokary işleýiş ýygylyklarynyň we has ýokary güýç derejeleriniň talaplaryny kanagatlandyrmak üçin IR ilkinji güýç MOSFET öndürdi. Netijede, IGBT, GTO, IPM we ş.m. ýaly köp sanly güýç enjamlary girizildi we baglanyşykly ugurlarda has giňden ulanyldy.

Maddy täzelik:Tehnologiýanyň ösmegi bilen MOSFET-leri ýasamak üçin täze materiallar gözlenýär; meselem, kremniý karbid (SiC) materiallary ýokary fiziki aýratynlyklary sebäpli ünsi we gözlegleri alyp başlaýar. SiC materiallary ýokary tok dykyzlygy, ýokary ýaly ajaýyp häsiýetlerini kesgitleýän adaty Si materiallary bilen deňeşdirilende has ýokary ýylylyk geçirijiligine we gadagan zolakly giňlige eýe. bölüniş meýdanynyň güýji we ýokary iş temperaturasy.

Dördünjiden, MOSFET-iň iň täze tehnologiýasy we ösüş ugry

Iki derwezeli tranzistorlar:MOSFET-leriň işleýşini hasam gowulandyrmak üçin goşa derwezeli tranzistorlary ýasamak üçin dürli usullar synalýar. Iki derwezeli MOS tranzistorlary bir derwezä garanyňda has gowy gysylýar, ýöne olaryň gysylmagy henizem çäklidir.

 

Gysga çukur täsiri:MOSFET-ler üçin möhüm ösüş ugry gysga kanal effekti meselesini çözmekdir. Gysga kanal effekti enjamyň işiniň hasam gowulaşmagyny çäklendirer, şonuň üçin çeşmäniň we zeýkeş sebitleriniň çatryk çuňlugyny azaltmak, çeşmäni çalyşmak we PN birikmelerini metal ýarymgeçiriji kontaktlar bilen çalyşmak arkaly bu meseläni ýeňip geçmeli.