KuwwatMOSFET “MOSFET” de Engelse “Metal oksid ýarymgeçiriji meýdan effekt tranzistory” uzakda ýerleşýän “Engelse” degişlidir. “Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap” enjamy, “sleutel gapy het metaal materiaal”, “SiN” -iň SiO2 ýarymgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan çykyşy, vele manieren-de zijn ingedeeld, de functie van verliesniveau kan sözli onderverdeeld in verbeterde type en licht depletie type, volgens het N-kanaal görnüşi we P-kanaal görnüşi.
Power MOSFET-iň algemein gebruikt voor schakelende ses sesleri. Algemeen kiezeniň üstündeMOSFET-fabrikanten de parametr RDS (ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS (ON) ORing FET-toepassingen sesli kritieke apparaatkarakteristiek ses. Maglumatlar boýunça gollanma kesgitleýji RDS (ON), “VGS”, otagda “vermogensschakelaar vloeit”, “RDS” (ON) “statische gegevensparameter” sesli woldoende derwezäniň sürüjisi.
“MOSFET-fabrikant een schakelende” sesini çykarýan wil ontwikkelen, iň az mukdarda “kosten” bilen tanyşdy, bu “uitschakelkarakteristieke impedantie” bolmaly. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende ses bermek weak meerdere ORingMOSFET paralel laten werken en moeten meerdere açyk sözli gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. MOSFET-iň örtükli gevallen moeten-de, RDS (ON) redelijk kan sözli gereduceerd.
Naast RDS (ON), van MOSFET saýlaýjysynda, MOSFET parametrleri zijn ook zeer kritisch voor de vooting ontwerpers. Veal gevallen moeten ontwerpers de Data Information Guide-da SOA-grafiek-e gitdi, drena-bron bedrijfsspanning beschrijft. SOA de voedingsspanning en stroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.
Loadük şertleriniň ýokardaky görnüşleri üçin has uly iş naprýa .eniýesini bahalandyryp (ýa-da ölçäp), soňra bolsa 20% -den 30% aralygynda goýup, MOSFET-iň zerur bahalandyrylan häzirki VDS bahasyny kesgitläp bilersiňiz. Bu ýerde has güýçli çykdajylary we has ýumşak häsiýetleri almak üçin, häzirki dolandyryş aýlawynyň düzüminiň ýapylmagynda AC tokly diodlary we induktorlary saýlap, induktiw tok kinetik energiýasyndan çykyp biljekdigini aýtmak gerek. MOSFET bahalandyrylan tok düşnüklidir, tok çykarylyp bilner. Hereöne bu ýerde iki parametri göz öňünde tutmaly: biri üznüksiz işlemekde tokyň gymmaty we ýeke impuls toguň iň ýokary bahasy (Spike and Surge), bahalandyrylan bahany näçe saýlamalydygyňyzy kesgitlemek üçin bu iki parametr. häzirki bahasy.
Iş wagty: 28-2024-nji maý
