Metal oksid ýarymgeçiriji meýdan effekt tranzistory üçin gysga bolan MOSFET, tok akymyna gözegçilik etmek üçin elektrik meýdany täsirini ulanýan üç terminally ýarymgeçiriji enjamdyr. Aşakda MOSFET-iň esasy syny:
1. Kesgitleme we klassifikasiýa
- Kesgitleme: MOSFET ýarymgeçiriji enjam bolup, derwezäniň naprýa .eniýesini üýtgedip, zeýkeş bilen çeşmäniň arasyndaky geçiriji kanaly dolandyrýar. Derweze çeşmeden izolýasiýa edilýär we izolýasiýa materialy (adatça kremniniň dioksidi) bilen izolýasiýa edilýär, şonuň üçin izolýasiýa edilen derwezäniň meýdan täsiri tranzistory hökmünde hem bellidir.
- Klassifikasiýa: MOSFET-ler geçiriji kanalyň görnüşine we derwezäniň naprýa .eniýesiniň täsirine görä bölünýär:
- N-kanal we P-kanal MOSFETs: Geçiriji kanalyň görnüşine baglylykda.
- Güýçlendirmek tertibi we tükenmek tertibi MOSFETler: Derwezäniň naprýa .eniýesiniň geçiriji kanaldaky täsirine esaslanýar. Şonuň üçin MOSFET-ler dört görnüşe bölünýär: N-kanaly güýçlendirmek tertibi, N-kanal tükenmek tertibi, P-kanaly güýçlendirmek tertibi we P-kanalyň tükenmek tertibi.
2. Gurluşy we iş ýörelgesi
- Gurluşy: MOSFET üç esasy komponentden durýar: derweze (G), zeýkeş (D) we çeşme (S). Lighteňil doply ýarymgeçiriji substratda ýarymgeçirijini gaýtadan işlemegiň usullary arkaly ýokary doply çeşme we drena regions sebitleri döredilýär. Bu sebitler, derwezäniň elektrodynyň üstünde durýan izolýasiýa gatlagy bilen bölünýär.
- Iş ýörelgesi: N-kanaly güýçlendirmek tertibi MOSFET-i mysal hökmünde alyp, derwezäniň naprýa .eniýesi nol bolanda, zeýkeş bilen çeşmäniň arasynda geçiriji kanal ýok, şonuň üçin tok akyp bilmeýär. Derwezäniň naprýa .eniýesi belli bir çäkde ýokarlananda ("açyk naprýa" eniýe "ýa-da" bosagadaky naprýa .eniýe "diýilýär), derwezäniň aşagyndaky izolýasiýa gatlagy terslik gatlagyny (N görnüşli inçe gatlak) emele getirmek üçin substratdan elektronlary özüne çekýär; geçiriji kanal döretmek. Bu zeýkeş bilen çeşmäniň arasynda tok akmagyna mümkinçilik berýär. Bu geçiriji kanalyň giňligi we şonuň üçin zeýkeş akymy, derwezäniň naprýa .eniýesiniň ululygy bilen kesgitlenýär.
3. Esasy aýratynlyklar
- Inokary giriş impedansy: Derwezäniň çeşmesinden izolýasiýa edilendigi we izolýasiýa gatlagy bilen akdyrylmagy sebäpli, MOSFET-iň giriş impedansy gaty ýokary bolup, ony ýokary impedansly zynjyrlar üçin amatly edýär.
- Pes ses: MOSFET-ler iş wagtynda birneme pes ses çykarýar we olary gaty ses talaplary bilen zynjyrlar üçin ideal edýär.
- Gowy ýylylyk durnuklylygy: MOSFET-ler ajaýyp ýylylyk durnuklylygyna eýe we dürli temperaturalarda netijeli işläp bilýärler.
- Pes energiýa sarp edilişi: MOSFET-ler açyk we daşarky ýagdaýlarda gaty az güýç sarp edýär we olary pes güýçli zynjyrlar üçin amatly edýär.
- Switokary kommutasiýa tizligi: Naprýatageeniýe bilen dolandyrylýan enjamlar bolmak bilen, MOSFET-ler ýokary kommutasiýa tizligini hödürleýär we ýokary ýygylykly zynjyrlar üçin ideal edýär.
4. Programma meýdançalary
MOSFET-ler dürli elektron zynjyrlarda, esasanam integral zynjyrlarda, elektrik elektronikasynda, aragatnaşyk enjamlarynda we kompýuterlerde giňden ulanylýar. Güýçlendirmek zynjyrlarynda, kommutator zynjyrlarynda, naprýa .eniýäni sazlaýyş zynjyrlarynda we başgalarda esasy komponentler bolup hyzmat edýär, signal güýçlendirmek, kommutasiýa gözegçiligi we naprýa .eniýeni durnuklaşdyrmak ýaly funksiýalary üpjün edýär.
Gysgaça aýtsak, MOSFET özboluşly gurluşy we ajaýyp öndürijilik aýratynlyklary bolan möhüm ýarymgeçiriji enjamdyr. Köp ugurlar boýunça elektron zynjyrlarda möhüm rol oýnaýar.
Iş wagty: 22-nji sentýabr-22-nji sentýabr
