1.JOS MOSFET pin kesgitlemesi
DerwezesiMOSFET tranzistoryň esasydyr, zeýkeş we çeşme bolsa kollektor we emitterdirdegişli tranzistor. Multimetre R × 1k dişli, iki çeňňegiň arasyndaky öňe we ters garşylygy ölçemek üçin iki ruçka bar. Iki pinli öňe garşylyk = ters garşylyk = KΩ, ýagny S çeşmesi we D suwy üçin iki gysgyç, galan bölegi G. derwezesi. 4 pinli bolsaMOSFET çatrygy, beýleki polýus toprakly galkanyň ulanylmagydyr.
2.Derwezäni kesgitläň
MOSFET-e tötänleýin elektroda degmek üçin multimetriň gara ruçkasy, beýleki iki elektroda degmek üçin gyzyl ruçka. Iki ölçelen garşylyk az bolsa, ikisiniň hem oňyn garşylykdygyny görkezýän bolsa, turba N-kanal MOSFET-e degişlidir, şol bir gara ruçka kontakty hem derwezedir.
Önümçilik prosesi MOSFET-iň zeýkeşiniň we çeşmesiniň simmetrikdigini we biri-biri bilen çalşyp boljakdygyny, zynjyryň ulanylmagyna täsir etmejekdigine karar berdi, bu wagt zynjyr hem adaty, şonuň üçin gitmegiň zerurlygy ýok aşa tapawutlandyrmak üçin. Zeýkeş bilen çeşmäniň arasyndaky garşylyk birnäçe müň ohm töweregi. MOSFET izolýasiýa edilen derwezäniň derwezesini kesgitlemek üçin bu usuly ulanyp bilemok. Bu MOSFET-iň girişiniň garşylygy gaty ýokary we derwezäniň we çeşmäniň arasyndaky polýarara sygymlylygy gaty az bolany üçin, polýarlaryň üstünde az mukdarda zarýad ölçegi emele gelip biler. aşa ýokary naprýa .eniýeniň sygymlylygy, MOSFET zeper ýetirmek aňsat bolar.
3.MOSFET-leriň güýçlendirmek ukybyna baha bermek
Multimetre R × 100 gurlanda, S çeşmesini birikdirmek üçin gyzyl ruçkany ulanyň we MOSFET-e 1.5V naprýa .eniýe goşmak ýaly D drenajyny birikdirmek üçin gara ruçkany ulanyň. Bu wagt iňňe DS polýusynyň arasyndaky garşylyk bahasyny görkezýär. Bu wagt G derwezesini gysmak üçin barmak bilen, derwezä giriş signaly hökmünde bedeniň induksiýa naprýa .eniýesi. MOSFET güýçlendirmek roly sebäpli, ID we UDS üýtgär, DS polýusynyň arasyndaky garşylyk üýtgedi, iňňäniň uly swing amplitudasynyň bardygyny synlap bileris. El derwezäni gyssa, iňňäniň yrgyldysy gaty az, ýagny MOSFET güýçlendirmek ukyby birneme gowşak; iňňe MOSFET-iň zaýalanandygyny görkezýän sähelçe hereket etmese.
Iş wagty: Iýul-18-2024
