D-FET, kanalyň barlygy, FET-ni alyp barsa, 0 derwezäniň gapdalynda; E-FET, kanal ýok wagty, 0 derwezäniň gapdalynda, FET alyp bilmeýär. bu iki görnüşli FET-iň öz aýratynlyklary we ulanylyşy bar. Umuman, ýokary tizlikli, pes güýçli zynjyrlarda güýçlendirilen FET gaty gymmatly; we bu enjam işleýär, derwezäniň ikitaraplaýyn sesiniň polýarlygyltage we zeýkeş naprýa .eniýesi, zynjyr dizaýnynda has amatly.
Giňeldilen diýilýän zat: VGS = 0 turba kesilen ýagdaý we dogry VGS bolanda, daşaýjylaryň köpüsi derwezä çekilýär, şeýlelik bilen sebitdäki göterijileri "güýçlendirýär" we geçiriji kanal döredýär. n-kanal güýçlendirilen MOSFET esasan çep-sag simmetrik topologiýa bolup, SiO2 film izolýasiýasynyň gatlagyny emele getirýän P görnüşli ýarymgeçiriji. P görnüşli ýarymgeçirijide SiO2 filminiň izolýasiýa gatlagyny döredýär we soňra iki sany ýokary derejeli N görnüşli sebiti ýaýradýarfotolitografiýa, we N görnüşli sebitden elektrodlary alyp barýar, biri D zeýkeş we beýlekisi S. çeşmesi üçin çeşme we drena between arasynda izolýasiýa gatlagyna alýumin metal gatlagy G. derwezesi hökmünde örtülýär. VGS = 0 V , zeýkeş bilen çeşmäniň arasynda arka-arka diodlar bar we D we S arasyndaky naprýa Deniýe D bilen S arasynda tok emele getirmeýär, D we S arasyndaky tok ulanylýan naprýa byeniýe bilen emele gelmeýär .
Derwezäniň naprýa .eniýesi goşulanda, 0 <VGS <VGS (th), derwezäniň we substratyň arasynda emele gelen kuwwatly elektrik meýdanynyň üsti bilen, derwezäniň aşagyndaky P görnüşli ýarymgeçirijidäki polýon deşikleri aşaklygyna yza çekilýär we otrisatel ionlaryň inçejik gatlagy peýda bolýar; şol bir wagtyň özünde, oligonlary ýerüsti gatlaga çekmek üçin özüne çeker, ýöne drena and we çeşmäni baglanyşdyrýan geçiriji kanal döretmek üçin san çäklidir we ýeterlik däl, şonuň üçinem zeýkeşiň häzirki ID-siniň emele gelmegi ýeterlik däl. hasam artdyrmak VGS, VGS bolanda > VGS (th) (VGS (th) açyk naprýa .eniýe diýilýär), sebäbi bu wagt derwezäniň naprýa .eniýesi has güýçli, derwezäniň aşagyndaky P görnüşli ýarymgeçiriji gatlakda has köp ýygnanýar. elektronlar, çukur, zeýkeş we aragatnaşyk çeşmesini emele getirip bilersiňiz. Eger şu wagt zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesi goşulsa, zeýkeş toguny kesgitläp bolýar. derwezäniň aşagynda emele gelen geçiriji kanaldaky elektronlar, P görnüşli ýarymgeçirijiniň polýarlygy bilen daşaýjy deşik sebäpli ters görnüşe garşy gatlak diýilýär. VGS artmagy bilen, ID köpelmegini dowam etdirer. ID = 0 VGS = 0V, we zeýkeş akymy diňe VGS> VGS (th) -dan soň ýüze çykýar, şonuň üçin MOSFET-iň bu görnüşine güýçlendiriji MOSFET diýilýär.
Zeýkeş akymynda VGS-iň dolandyryş baglanyşygyny iD = f (VGS (th)) | VDS = const, geçiş häsiýetli egrisi diýlip atlandyrylýar we geçiriş häsiýetli egriniň eňňidiniň ululygy, gm, derwezäniň çeşmesiniň naprýa .eniýesi bilen zeýkeş akymynyň dolandyryşyny görkezýär. gm ululygy mA / V, şonuň üçin gm transkonduksiýa diýilýär.
Iş wagty: Awgust-04-2024
