N görnüşi, P görnüşi MOSFET iş prinsipi birmeňzeş, MOSFET esasan drena current akymynyň çykyş tarapyny üstünlikli dolandyrmak üçin derwezäniň naprýa .eniýesiniň giriş tarapyna goşulýar, MOSFET goşulan naprýa througheniýe arkaly naprýatageeniýe bilen dolandyrylýan enjamdyr. enjamyň aýratynlyklaryna gözegçilik etmek üçin derwezä, zarýad saklaýyş täsiri sebäpli ýüze çykýan esasy tok sebäpli kommutasiýa wagtyny ýerine ýetirýän üçburçdan tapawutlylykda, programmalary çalyşmakda, MOSFET-iň kommutasiýa programmalarynda,MOSFET kommutasiýa tizligi triodyňkydan has çalt.
Köplenç ulanylýan MOSFET açyk drena circuit zynjyrynda, drena open açyk drena ,, açyk zeýkeş zynjyry diýlip atlandyrylýan ýük bilen birikdirilýär, ýük naprýa .eniýeniň näderejede ýokarydygyna, açylmagyna, öçürilmegine ukyplydyr tok ýüklemek, iň oňat analog kommutasiýa enjamy, bu kommutasiýa enjamlaryny ýerine ýetirmek üçin MOSFET-iň ýörelgesi, has köp zynjyr görnüşinde kommutasiýa etmek üçin MOSFET.
Elektrik üpjünçiligi programmalaryny çalyşmak nukdaýnazaryndan bu programma zerur MOSFET Esasy tok öwrüjisinde köplenç ulanylýan DC-DC elektrik üpjünçiligi ýaly wagtal-wagtal alyp barmak, öçürmek, kommutasiýa funksiýasyny ýerine ýetirmek üçin iki MOSFET-e bil baglaýar, bu wyklýuçateller energiýany saklamak, energiýany ýüklere goýbermek üçin induktorda gezekleşýär ýüzlerçe kHz ýa-da hatda 1 MGs-dan köp, esasanam ýygylyk näçe ýokary bolsa, magnit komponentleri şonça-da az. Adaty iş wagtynda MOSFET geçirijä deňdir, mysal üçin, ýokary güýçli MOSFET, kiçi woltly MOSFET, zynjyr, elektrik üpjünçiligi MOS-nyň iň az geçirijilik ýitgisidir.
MOSFET PDF parametrleri, MOSFET öndürijileri döwletdäki impedansy kesgitlemek üçin RDS (ON) parametrini üstünlikli kabul etdiler, programmalary çalyşmak üçin RDS (ON) enjamyň iň möhüm häsiýetidir; maglumat tablisalary RDS (ON) kesgitleýär, derwezäniň (ýa-da sürüjiniň) naprýa; eniýesi VGS we wyklýuçatelden akýan tok bilen baglanyşykly, ýeterlik derwezäniň sürüjisi üçin RDS (ON) birneme statiki parametrdir; Geçirijide bolan MOSFET-ler ýylylyk öndürmäge meýilli we çatryklaryň temperaturasynyň ýuwaş-ýuwaşdan ýokarlanmagy RDS (ON) ýokarlanmagyna sebäp bolup biler;MOSFET maglumat tablisalarynda MOSFET paketiniň ýarymgeçiriji birikmesiniň ýylylygy bölüp çykarmak ukyby hökmünde kesgitlenýän termiki impedans parametrini kesgitleýär we RθJC diňe birleşýän termiki impedans hökmünde kesgitlenýär.
1, ýygylyk gaty ýokary, käwagt sesiň aşa köp yzarlanmagy gönüden-göni ýokary ýygylyga sebäp bolar, ýitginiň üstünde MOSFET ýokarlanýar, ýylylyk näçe köp bolsa, ýeterlik ýylylyk paýlanyş dizaýny, ýokary tok, nominal ýaly gowy iş etmeýär MOSFET-iň häzirki gymmaty, ýetmek üçin gowy ýylylygyň ýaýramagynyň zerurlygy; Şahsyýeti iň ýokary tokdan az, çynlakaý yssy bolup biler, ýeterlik kömekçi gyzdyryjy enjamlaryň zerurlygy.
2, MOSFET saýlama säwlikleri we güýç höküminde ýalňyşlyklar, MOSFET içerki garşylyk doly göz öňünde tutulmaýar, MOSFET ýyladyş meselesi bilen iş salyşanyňyzda kommutasiýa impedansynyň ýokarlanmagyna gönüden-göni sebäp bolar.
3, MOSFET ýylylygynyň gönüden-göni sebäbi bolan, meselem, N-MOS kommutasiýa, G-, MOSFET kommutasiýa ýagdaýynda däl-de, çyzykly işleýiş ýagdaýynda işlemegine sebäp bolup, ýylylyk döredýär. derejeli naprýa; eniýe doly geçirijilik üçin P-MOS başga, elektrik üpjünçiliginden birnäçe V-den ýokary bolmaly; doly açyk bolmadyk ýagdaýynda naprýa .eniýeniň düşmegi gaty uly, bu bolsa sarp edilişe getirer, ekwiwalent DC impedansy has uludyr, naprýa dropeniýeniň peselmegi hem artar, U * Menem artaryn, ýitgi ýylylyga sebäp bolar.
Iş wagty: Awgust-01-2024
