Ylmyň we tehnologiýanyň yzygiderli ösmegi bilen bir hatarda, elektron enjamlaryny dizaýn edýän inersenerler, harytlaryň talaplaryna laýyk gelmegi üçin, akylly ylym we tehnologiýanyň yzyndan gitmegi, harytlar üçin has amatly elektron böleklerini saýlamagy dowam etmeli. gezek. OndaMOSFET elektron enjam öndürmegiň esasy düzüm bölekleridir, şonuň üçin degişli MOSFET-i saýlamak islemek, onuň aýratynlyklaryna we dürli görkezijilerine düşünmek has möhümdir.
MOSFET modelini saýlamak usulynda, görnüşiň gurluşyndan (N görnüşli ýa-da P görnüşli), işleýiş naprýa .eniýesi, tok kommutasiýa öndürijiligi, gaplaýyş elementleri we belli markalary, dürli önümleriň, talaplaryň ulanylmagy bilen baglanyşykly yzyndan dürli, yzyndakylary düşündirerisMOSFET gaplama.
SoňMOSFET çip ýasalýar, ulanylmazdan ozal gaplanmalydyr. Gysgaça aýtsak, gaplamak MOSFET çip korpusyny goşmakdyr, bu ýagdaýda goldaw nokady, tehniki hyzmat, sowadyş täsiri bar we şol bir wagtyň özünde çipiň topraklanmagyny we goragyny goraýar, MOSFET komponentlerine we beýleki komponentlerine aňsat. jikme-jik elektrik üpjünçiligi zynjyry.
Çykyş güýji MOSFET bukjasy iki kategoriýany goýdy we ýerüsti gurnama synagy. Goýmak, PCB-de deşik lehimleme lehimleriniň üsti bilen MOSFET pin. Faceerüsti gurnama, PCB kebşirleýiş gatlagynyň üstünde lehimlemegiň MOSFET nokatlary we ýylylygy aýyrmak usulydyr.
Çip çig maly, gaýtadan işlemek tehnologiýasy MOSFET-leriň öndürijiliginiň we hiliniň esasy elementidir, MOSFET öndürijileriniň öndürijiligini ýokarlandyrmagyň ähmiýeti çipiň esasy gurluşynda, degişlilikde dykyzlygy we gaýtadan işlemek tehnologiýasy derejesinde bolar we bu tehniki kämilleşdiriş gaty ýokary çykdajylara maýa goýlar. Gaplamak tehnologiýasy çipiň dürli öndürijiligine we hiline gönüden-göni täsir eder, şol bir çipiň ýüzi başga görnüşde gaplanmalydyr, şeýlelik bilen çipiň işleýşini ýokarlandyryp biler.
Iş wagty: 30-2024-nji maý
