MOSFET saýlama nokatlary

SaýlamakMOSFETgaty möhüm, erbet saýlama tutuş zynjyryň elektrik energiýasyna täsir edip biler, dürli MOSFET komponentleriniň nuanslaryny we dürli kommutator zynjyrlarynyň parametrlerini özleşdirip biler, in engineenerlere köp kynçylyklaryň öňüni almaga kömek edip biler, Guanhua Weiye-iň käbir maslahatlary MOSFET-leri saýlamak üçin.

Ilki bilen P-kanal we N-kanal

Birinji ädim, N-kanal ýa-da P-kanal MOSFET-leriň ulanylyşyny kesgitlemek. Kuwwat programmalarynda, MOSFET ýer we ýük magistral naprýa .eniýesine birikdirilendeMOSFETpes woltly gapdal wyklýuçatelini emele getirýär. Pes woltly gapdal kommutasiýa wagtynda, N-kanal MOSFET-ler ulanylýar, bu enjamy öçürmek ýa-da açmak üçin zerur naprýa .eniýäni göz öňünde tutýar. MOSFET awtobusa we ýük meýdançasyna birikdirilende ýokary woltly gapdal wyklýuçatel ulanylýar. P-kanal MOSFET-ler, adatça naprýa driveeniýe sürüjisi sebäpli ulanylýar. Programma üçin dogry komponentleri saýlamak üçin, enjamy sürmek üçin zerur naprýa .eniýäni we dizaýnda durmuşa geçirmegiň nähili aňsatdygyny kesgitlemek möhümdir. Indiki ädim, zerur naprýa ratingeniýe derejesini ýa-da komponentiň göterip biljek iň ýokary naprýa .eniýesini kesgitlemekdir. Naprýatageeniýe derejesi näçe ýokary bolsa, enjamyň bahasy şonça-da ýokarydyr. Iş ýüzünde naprýa .eniýe derejesi magistraldan ýa-da awtobus naprýa .eniýesinden uly bolmaly. Bu, MOSFET-iň şowsuz bolmazlygy üçin ýeterlik gorag üpjün eder. MOSFET saýlamak üçin, zeýkeşden çeşmä, ýagny iň ýokary VDS garşy durup boljak iň ýokary naprýa .eniýäni kesgitlemek möhümdir, şonuň üçin MOSFET-iň çydap biljek iň ýokary naprýa .eniýesiniň temperatura bilen üýtgeýändigini bilmek möhümdir. Dizaýnerler naprýa rangeeniýe diapazonyny ähli işleýiş temperatura diapazonyndan barlamaly. Bahalandyrylan naprýa .eniýe, zynjyryň işlemezligi üçin bu aralygy ýapmak üçin ýeterlik aralyk bolmaly. Mundan başga-da, beýleki howpsuzlyk faktorlaryny induksiýa naprýa .eniýe geçirijileri hasaplamaly.

Ikinjiden, häzirki reýtingi kesgitläň

MOSFET-iň häzirki reýtingi zynjyryň gurluşyna baglydyr. Häzirki reýting, ähli ýagdaýlarda ýüküň çydap biljek iň ýokary tokydyr. Naprýatageeniýe korpusyna meňzeşlikde, dizaýner, saýlanan MOSFET-iň ulgamyň ýokary tok döredýän hem bolsa, bu bahalandyrylan toky göterip biljekdigine göz ýetirmeli. Häzirki göz öňünde tutulmaly iki ssenariýa üznüksiz re andim we impuls tüpeňleri. MOSFET tok enjamdan yzygiderli geçende, üznüksiz geçiriş re iniminde durnukly ýagdaýda. Impuls tüpeňleri enjamyň içinden akýan köp sanly ululyklary (ýa-da tok toklaryny) aňladýar, bu ýagdaýda iň ýokary tok kesgitlenenden soň, bu iň ýokary tok bilen çydap bilýän enjamy gönüden-göni saýlamak meselesi.

Bahalandyrylan tok saýlanylandan soň, geçirijiniň ýitgisi hem hasaplanýar. Aýratyn ýagdaýlarda,MOSFETgeçiriji ýitgiler diýlip atlandyrylýan geçiriji prosesde ýüze çykýan elektrik ýitgileri sebäpli ideal komponentler däl. "Işledilende", MOSFET enjamyň RDS (ON) tarapyndan kesgitlenýän we temperatura bilen ep-esli üýtgeýän üýtgeýän rezistor hökmünde çykyş edýär. Enjamyň güýjüni ýitirmek Iload2 x RDS (ON) -dan hasaplanyp bilner we garşylyk temperatura bilen üýtgänsoň, güýç ýitgisi proporsional üýtgeýär. MOSFET-de ulanylýan naprýa Veniýe VGS näçe ýokary bolsa, RDS (ON) şonça pes bolar; tersine, RDS (ON) näçe ýokary bolsa. Ulgam dizaýneri üçin ulgam naprýa .eniýesine baglylykda söwda nokatlary ýüze çykýar. Göçme dizaýnlar üçin aşaky woltlar has aňsat (we has ýygy), senagat dizaýnlary üçin has ýokary woltlar ulanylyp bilner. RDS (ON) garşylygy tok bilen birneme ýokarlanýar.

Tehnologiýa komponent aýratynlyklaryna ägirt uly täsir edýär we käbir tehnologiýalar iň ýokary VDS ýokarlandyrylanda RDS (ON) köpelmegine sebäp bolýar. Şeýle tehnologiýalar üçin, VDS we RDS (ON) peseldilmeli bolsa, ululykdaky ululygyň ýokarlanmagy talap edilýär, şeýlelik bilen paketiň ululygyny we degişli ösüş bahasyny ýokarlandyrýar. Senagatda wafli ululygynyň ýokarlanmagyna gözegçilik etmäge synanyşýan birnäçe tehnologiýa bar, olaryň iň möhümi çukur we zarýad balans tehnologiýalarydyr. Çukur tehnologiýasynda, garşylykly RDS (ON) azaltmak üçin, adatça pes woltlar üçin saklanýan wafli çuňňur çukur goýulýar.

III. Heatylylygyň ýaýramagynyň talaplaryny kesgitläň

Indiki ädim ulgamyň ýylylyk talaplaryny hasaplamakdyr. Iki dürli ssenariýa göz aýlamaly, iň erbet we hakyky waka. TPV, iň erbet ýagdaý üçin netijeleri hasaplamagy maslahat berýär, sebäbi bu hasaplama has uly howpsuzlyk çägini üpjün edýär we ulgamyň işlemezligini üpjün edýär.

IV. Öndürijilik

Ahyrynda, MOSFET-iň kommutasiýa öndürijiligi. Geçiş işine täsir edýän köp parametr bar, möhümleri derwezäniň / zeýkeşiň, derwezäniň / çeşmäniň we zeýkeş / çeşmäniň sygymlylygydyr. Bu mümkinçilikler, her gezek açylanda zarýad bermek zerurlygy sebäpli komponentde kommutasiýa ýitgilerini emele getirýär. Netijede, MOSFET-iň kommutasiýa tizligi peselýär we enjamyň netijeliligi peselýär. Geçmek wagtynda enjamdaky umumy ýitgileri hasaplamak üçin dizaýner açylanda (Eon) we öçürilende (Eoff) ýitgileri hasaplamaly. Muny aşakdaky deňleme bilen aňladyp bolar: Psw = (Eon + Eoff) x kommutasiýa ýygylygy. Derwezäniň zarýady (Qgd) kommutasiýa işine iň uly täsir edýär.