MOSFET ýokary giriş garşylygy, pes ses, ýylylyk durnuklylygy, elektron zynjyrlarda toplumlaýyn artykmaçlyklary we uly kuwwat akymy sebäpli uly işleýän naprýa powereniýe elektrik üpjünçiligi zynjyry giňden ulanylýar; dogry ulanmak, MOSFET pinini kesgitlemek, polýarlyk gaty möhümdir, şol bir tranzistor bilen, MOSFET pinini ussatlyk bilen kesgitlemeli, polýarlyk ilki bilen onuň gurluşyna we esasy ýörelgelerine düşünmeli.MOSFETgoşa derwezeli turbanyň dört elektrik derejesi bar bolsa, pinde G derwezesi, D çeşmesi we S çeşmesi üç sany elektrik derejesi bar.
MOSFET-leri çatryklara bölmek mümkinMOSFETwe gurluşyk boýunça izolirlenen gatlak derwezesi MOSFET-ler, izolirlenen gatlak derwezesi MOSFET-ler güýçlendirmek we könelmek üçin bölünýär; çatryk MOSFETs “çatryk” pn çatrygyny, izolirlenen gatlak derwezesini aňladýar MOSFETs izolirlenen gatlak derwezesi derwezäniň we çeşmäniň gatlagyny aňladýar, ortasynda drena. Silikon dioksid kabel gaby, olaryň arasynda geçiriji baglanyşyk ýok. Geçiriji kanalyň aýratynlyklaryna görä, MOSFET çatrygy we izolirlenen gatlak paneli MOSFET elektroniki wedeşik görnüşli kanal,MOSFET geçiriji ygtybarly kanaldyr. iki görnüşli erkin elektron. MOSFET, geçirijilik ukybynyň kanalyny üýtgetmek üçin derwezä we iş naprýa .eniýesiniň orta çeşmesine görä naprýa .eniýe bilen dolandyrylýan kristal tranzistora degişlidir. Üçburç akym bilen dolandyrylýan kristal triod hökmünde klassifikasiýa edilýär we kollektor çatryk akymynyň ululygy akymyň üýtgemegine görä üýtgedilýär.
OLUKEY, köp ýyllaryň dowamynda hünär tejribesi bolan, oňat iş gatnaşyklaryny ýola goýmak üçin asyl zawod, “ýokary hilli, ilkinji hyzmat” maksadyna we içerde we daşary ýurtlarda köp tehnologiýaly kärhanalara eýerip, diri galmagyň ygtybarlylygyna. gowy karz, ajaýyp hyzmat we giň ynam we goldaw bilen paýlamak.