MOSFET Tersine garşy aýlaw

Ilki bilen, MOSFET tersine garşy zynjyryň esasy ýörelgesi

MOSFET-iň kommutasiýa aýratynlyklaryny ulanyp, MOSFET tersine garşy zynjyr, zynjyry açmak we öçürmek üçin derwezäniň (G) naprýa .eniýesini dolandyrmak arkaly. Elektrik üpjünçiliginiň polýarlygy dogry bolanda, derwezäniň naprýa; eniýesi MOSFET-i geçiriji ýagdaýynda edýär, tok kadaly akyp biler; tok üpjünçiliginiň polýarlygy tersine öwrülende, derwezäniň naprýa .eniýesi MOSFET geçirijisini edip bilmez, şeýlelik bilen zynjyry keser.

Ikinjiden, MOSFET tersine garşy zynjyryň anyk durmuşa geçirilmegi

1. N-kanal MOSFET tersine garşy zynjyr

N-kanal MOSFET-ler adatça tersine garşy zynjyrlary amala aşyrmak üçin ulanylýar. Zynjyrda, N-kanal MOSFET-iň çeşmesi (S) ýüküň otrisatel terminalyna, drena ((D) elektrik üpjünçiliginiň polo positiveitel terminalyna we derwezä (G) birikdirildi. rezistor arkaly ýa-da dolandyryş zynjyry bilen dolandyrylýan tok üpjünçiliginiň negatiw terminaly.

Öňe birikdirme: tok üpjünçiliginiň polo positiveitel terminaly D bilen, negatiw terminal bolsa S. bilen birikdirilýär Bu wagt rezistor MOSFET üçin derwezäniň çeşmesiniň naprýa .eniýesini (VGS) üpjün edýär we VGS bosagadan uly bolanda MOSFET-iň naprýa .eniýesi (Vth), MOSFET geçirýär we tok tok üpjünçiliginiň polo positiveitel terminalyndan MOSFET-iň üsti bilen ýüke akýar.

Tersine öwrülende: tok üpjünçiliginiň polo positiveitel terminaly S bilen, negatiw terminal bolsa D. bilen birikdirilýär. Bu wagt MOSFET kesilen ýagdaýynda we derwezäniň naprýa .eniýesi sebäpli ýüküň zeperlenmeginden goramak üçin zynjyr kesilýär. MOSFET alyp barmak üçin ýeterlik VGS emele getirip bilmeýär (VGS 0-dan az ýa-da Vth-den az bolup biler).

2. Kömekçi komponentleriň roly

Resistor: MOSFET üçin derwezäniň çeşmesiniň naprýa .eniýesini üpjün etmek we derwezäniň aşa köp zeper ýetmeginiň öňüni almak üçin derwezäniň tokyny çäklendirmek üçin ulanylýar.

Naprýa .eniýe sazlaýjysy: derwezäniň çeşmesiniň naprýa .eniýesiniň aşa ýokary bolmagynyň we MOSFET-iň bozulmagynyň öňüni almak üçin ulanylýan goşmaça komponent.

Parazit diody: MOSFET-iň içinde parazit diody (beden diody) bar, ýöne tersine garşy zynjyrlarda zyýanly täsiriniň öňüni almak üçin, täsiri adatça hasaba alynmaýar ýa-da öňüni alýar.

Üçünjiden, MOSFET tersine garşy zynjyryň artykmaçlyklary

Pes ýitgi: MOSFET garşylygy az, garşylyk naprýa .eniýesi peselýär, şonuň üçin zynjyryň ýitgisi az bolýar.

Relokary ygtybarlylyk: tersine garşy funksiýa ýönekeý zynjyr dizaýnynyň üsti bilen amala aşyrylyp bilner we MOSFET-iň özi ýokary ygtybarlylyk derejesine eýe.

Çeýeligi: dürli amaly talaplary kanagatlandyrmak üçin dürli MOSFET modelleri we zynjyr dizaýnlary saýlanyp bilner.

Çäreler

MOSFET tersine garşy zynjyryň dizaýnynda, naprýatageeniýe, tok, kommutasiýa tizligi we beýleki parametrleri goşmak bilen, MOSFET-leriň programma talaplaryna laýyk gelmegini üpjün etmeli.

Zynjyryň işleýşine ýaramaz täsirlerden gaça durmak üçin, parazit kuwwatlylygy, parazit induksiýasy we ş.m. ýaly beýleki komponentleriň täsirini göz öňünde tutmaly.

Amaly goşundylarda, zynjyryň durnuklylygyny we ygtybarlylygyny üpjün etmek üçin ýeterlik synag we barlamak hem zerurdyr.

Gysgaça aýtsak, MOSFET tersine garşy zynjyr, ters güýç polýarlygynyň öňüni almagy talap edýän dürli programmalarda giňden ulanylýan ýönekeý, ygtybarly we pes ýitgili elektrik üpjünçiligini goramak shemasydyr.