Köplenç ulanylýan ýokary güýçli MOSFET-leriň iş prinsipine giriş

Häzirki wagtda köp ulanylýan ýokary güýçliMOSFETiş ýörelgesini gysgaça tanyşdyrmak. Öz işine nähili düşünýändigini görüň.

Metal-oksid-ýarymgeçiriji, ýagny metal-oksid-ýarymgeçiriji, bu at, MOSFET-iň integral zynjyrdaky gurluşyny suratlandyrýar, ýagny ýarymgeçiriji enjamyň belli bir gurluşynda, kremniniň dioksidi we metal bilen birleşmegi, emele gelmegi derwezesinden

MOSFET-iň çeşmesi we drenajy biri-birine garşy, ikisi hem P görnüşli arkada emele gelen N görnüşli zonalar. Köplenç ýagdaýda iki ugur birmeňzeş, sazlamanyň iki ujy enjamyň işleýşine täsir etmese-de, şeýle enjam simmetrik hasaplanýar.

Klassifikasiýa: kanalyň material görnüşine we her N-kanalyň we P-kanalyň ikisiniň izolirlenen derweze görnüşine görä; geçiriji re modeime görä: MOSFET tükenmek we güýçlendirmek üçin bölünýär, şonuň üçin MOSFET N-kanalyň tükenmegine we güýçlendirilmegine bölünýär; P-kanalyň tükenmegi we dört esasy kategoriýany güýçlendirmek.

MOSFET iş prinsipi - gurluş aýratynlyklaryMOSFETgeçirijä gatnaşýan diňe bir polýarlyk göterijini (poli) alyp barýar, bir polýar tranzistor. Geçiriji mehanizm pes güýçli MOSFET bilen birmeňzeş, ýöne gurluşyň uly tapawudy bar, pes kuwwatly MOSFET gorizontal geçiriji enjam, kuwwatly MOSFET dik geçiriji gurluşyň köpüsi, MOSFET-i ep-esli gowulandyrýan VMOSFET diýlip hem atlandyrylýar. enjamyň naprýa .eniýesi we tok çydamlylygy. Esasy aýratynlygy, demir derwezäniň we kanalyň arasynda kremniniň izolýasiýasynyň bir gatlagynyň bolmagy we şonuň üçin ýokary giriş garşylygy bar, turba n diffuziýa zonasynyň iki ýokary konsentrasiýasynda n görnüşli geçiriji kanal emele getirýär. n-kanaly güýçlendirmek MOSFET-ler derwezä öňe taraplyk bilen ulanylmaly we diňe derwezäniň çeşmesiniň naprýa .eniýesi n-kanal MOSFET tarapyndan döredilen geçiriji kanalyň çäk naprýa .eniýesinden has ýokary bolanda ulanylmalydyr. n-kanalyň tükenmegi görnüşi MOSFET-ler, n-kanal MOSFET-ler bolup, derwezäniň naprýa .eniýesi ulanylmadyk ýagdaýynda geçiriji kanallar döredilýär (derwezäniň naprýa .eniýesi nol).

MOSFET-iň işleýiş prinsipi, "induksiýa zarýady" tarapyndan emele gelen geçiriji kanalyň ýagdaýyny üýtgetmek, soň bolsa zeýkeş akymyna gözegçilik etmek maksadyna ýetmek üçin VGS ulanyp, "induksion zarýadyň" mukdaryna gözegçilik etmekdir. Turbalar öndürilende, köp sanly polo positiveitel ionlaryň döremeginde izolýasiýa gatlagynyň üsti bilen, şonuň üçin interfeýsiň beýleki tarapynda has negatiw zarýad bolup biler, bu negatiw zarýadlar N-de hapalaryň ýokary aralaşmagyna sebäp bolup biler. geçiriji kanalyň emele gelmegi bilen baglanyşykly sebit, hatda VGS = 0-da uly syzdyryjy tok belgisi bar. derwezäniň naprýa .eniýesi üýtgedilende, kanalda döredilen zarýadyň mukdary hem üýtgedilýär, geçirijilik kanalynyň giňligi we kanalyň darlygy we üýtgemegi, şeýlelik bilen derwezäniň naprýa .eniýesi bilen syzýan tok belgisi. häzirki ID derwezäniň naprýa .eniýesi bilen üýtgeýär.

Indi programmaMOSFETdurmuş derejämizi ýokarlandyrmak bilen bir hatarda adamlaryň okuwyny, iş netijeliligini ep-esli ýokarlandyrdy. Käbir ýönekeý düşünişmek arkaly muňa has rasional düşünýäris. Diňe bir gural hökmünde ulanylmaz, onuň aýratynlyklaryna, iş ýörelgesine has köp düşünmek, bu hem bize gyzykly bolar.