MOSFET-leriň çynlakaý ýylylyk öndürmegini çözmek üçin pikirler

Mesele tapdyňyzmy ýa bilemok, MOSFET iş wagtynda käwagt çynlakaý yssy elektrik geçiriji enjam hökmünde çykyş edýär, ýyladyş meselesini çözmek isleýärMOSFET, ilki bilen näme sebäp bolýandygyny kesgitlemeli, şonuň üçin meseläniň nirededigini anyklamak üçin synagdan geçirmeli. Açylmagy arkalyMOS ýyladyş mesele, dogry açar nokadyny saýlamaga gidiň, meseläni çözmegiň açary bolan derňew bilen gabat gelmeýär.

Elektrik üpjünçiligi synagynda, pin naprýa .eniýesiniň beýleki enjamlarynyň dolandyryş zynjyryny ölçemekden başga-da, degişli naprýa .eniýe tolkun formasyny ölçemek üçin ossiloskop. Haçan-da kommutasiýa elektrik üpjünçiliginiň kadaly işlemeýändigini, elektrik üpjünçiliginiň nirede işleýändigini görkezip biljekdigini kesgitlemek üçin baranymyzda, PWM kontrolleýjiniň çykyşy adaty däl, impulsyň aýlawy we amplitudasy adaty däl, MOSFET-i üýtgetmek transformatoryň ikinji we esasy tarapyny goşmak bilen dogry işlemezlik we seslenmäniň netijesi ýerlikli däl.

Synag nokadynyň ýerlikli saýlanmagy möhümmi, dogry saýlama ygtybarly we ygtybarly ölçeg bolup biler, ýöne sebäbini tapmak üçin çalt çözmäge mümkinçilik berýär.

Adatça MOSFET ýyladyşynyň sebäbi:

1: G-polýus sürüjiniň naprýa .eniýesi ýeterlik däl.

2: Zeýkeşiň we çeşmäniň üsti bilen Id tok gaty ýokary.

3: Sürüjiniň ýygylygy gaty ýokary.

Şeýlelik bilen MOSFET-de synagyň merkezi, meseläniň düýp manysy bolan işini takyk synap görüň.

Osiloskop synagyny ulanmaly bolanymyzda, giriş naprýa .eniýesiniň kem-kemden ýokarlanmagyna aýratyn üns bermelidigini bellemelidiris, eger iň ýokary naprýa .eniýeni ýa-da toguň dizaýn çäginden daşgarydygyny görsek, bu gezek üns bermelidiris; MOSFET-iň gyzdyrylmagy, eger anomaliýa bar bolsa, MOSFET-iň zaýalanmagynyň öňüni almak üçin derrew elektrik üpjünçiligini öçürmeli, meseläniň ýerleşýän ýerini çözmeli.