MOSFET nädip saýlamaly?

MOSFET nädip saýlamaly?

Iş wagty: 28-2024-nji sentýabr

Dogry MOSFET saýlamak, belli bir programmanyň talaplaryna laýyk gelýändigini anyklamak üçin birnäçe parametrleri göz öňünde tutýar. MOSFET saýlamak üçin esasy ädimler we pikirler:

MOSFET nädip saýlamaly (1)

1. Görnüşini kesgitläň

 

- N-kanal ýa-da P-kanal: Zynjyryň dizaýnyna esaslanýan N-kanal ýa-da P-kanal MOSFET-i saýlaň. Adatça, N-kanal MOSFET-ler pes taraplaýyn kommutasiýa üçin, P-kanal MOSFET-ler bolsa ýokary taraplaýyn kommutasiýa üçin ulanylýar.

 

2. Naprýa .eniýe bahalary

 

- Zeýkeş çeşmesiniň iň ýokary naprýa .eniýesi (VDS): Zeýkeş çeşmesinden iň ýokary naprýa .eniýäni kesgitläň. Bu baha, howpsuzlyk üçin ýeterlik margin bilen zynjyrdaky hakyky naprýa stresseniýeden ýokary bolmaly.

- Derwezäniň iň ýokary naprýa .eniýesi (VGS): MOSFET-iň hereketlendiriji zynjyryň naprýa .eniýe talaplaryna laýyk gelýändigine we derwezäniň çeşmesiniň naprýa .eniýe çäginden geçmändigine göz ýetiriň.

 

3. Häzirki mümkinçilikler

 

- Bahalandyrylan tok (ID): Zynjyrda garaşylýan iň ýokary tokdan uly ýa-da deň bolan bahaly tokly MOSFET saýlaň. MOSFET-iň bu şertlerde iň ýokary toky dolandyryp biljekdigini üpjün etmek üçin impulsyň ýokary tokyny göz öňünde tutuň.

 

4. Garşylyk (RDS)

 

- Garşylyk: Garşylyk, MOSFET geçirilende garşylykdyr. Pes RDS (açyk) bilen MOSFET saýlamak güýç ýitgisini azaldýar we netijeliligini ýokarlandyrýar.

 

5. Geçiş ýerine ýetirijiligi

 

- Geçiş tizligi: kommutasiýa ýygylygyny (FS) we MOSFET-iň ýokarlanmak / düşmek wagtlaryny göz öňünde tutuň. Frequokary ýygylykly programmalar üçin çalt kommutasiýa aýratynlyklary bolan MOSFET saýlaň.

- Potensial: Derwezäniň drenajy, derwezäniň çeşmesi we zeýkeş çeşmesiniň kuwwaty kommutasiýa tizligine we netijeliligine täsir edýär, şonuň üçin bu saýlama wagtynda göz öňünde tutulmalydyr.

 

6. Paket we ýylylyk dolandyryşy

 

- Bukjanyň görnüşi: PCB giňişligine, ýylylyk talaplaryna we önümçilik prosesine esaslanýan degişli paket görnüşini saýlaň. Bukjanyň göwrümi we ýylylyk öndürijiligi MOSFET-iň gurulmagyna we sowadylmagyna täsir eder.

- malylylyk talaplary: Esasanam iň erbet şertlerde ulgamyň ýylylyk zerurlyklaryny derňäň. Gyzgynlyk sebäpli ulgamyň näsazlygynyň öňüni almak üçin bu şertlerde kadaly işläp bilýän MOSFET saýlaň.

 

7. Temperatura aralygy

 

- MOSFET-iň işleýiş temperaturasynyň ulgamyň daşky gurşaw talaplaryna laýyk gelýändigine göz ýetiriň.

 

8. Applicationörite ýüz tutmalar

 

- Pes woltly programmalar: 5V ýa-da 3V elektrik üpjünçiligini ulanýan programmalar üçin MOSFET-iň derwezäniň naprýa .eniýe çäklerine üns beriň.

- Giň woltly programmalar: Derwezäniň naprýa .eniýesiniň süýşmegini çäklendirmek üçin gurlan Zener diody bolan MOSFET talap edilip bilner.

- Iki woltly programmalar: sideokarky MOSFET-i pes tarapdan täsirli dolandyrmak üçin ýörite zynjyr dizaýnlary zerur bolup biler.

 

9. Ygtybarlylyk we hil

 

- Öndürijiniň abraýyny, hiliniň kepilligini we komponentiň uzak möhletli durnuklylygyny göz öňünde tutuň. Ygtybarly programmalar üçin awtoulag derejeli ýa-da beýleki kepillendirilen MOSFET-ler talap edilip bilner.

 

10. Bahasy we elýeterliligi

 

- MOSFET-iň bahasyny we üpjün edijiniň öňdebaryjy wagtlaryny we üpjünçiligiň durnuklylygyny göz öňünde tutuň, komponentiň öndürijilige we býudjet talaplaryna laýyk gelmegini üpjün ediň.

 

Saýlaw ädimleriniň gysgaça mazmuny:

 

- N-kanal ýa-da P-kanal MOSFET zerurlygyny kesgitläň.

- Zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesini (VDS) we derwezeli çeşme naprýa .eniýesini (VGS) dörediň.

- Iň ýokary toklary dolandyryp bilýän bahaly tok (ID) bilen MOSFET saýlaň.

- Netijeliligi ýokarlandyrmak üçin pes RDS (açyk) MOSFET saýlaň.

- MOSFET-iň kommutasiýa tizligini we sygymlylygyň öndürijilige täsirini göz öňünde tutuň.

- Kosmos, ýylylyk zerurlyklary we PCB dizaýnyna esaslanýan laýyk paket görnüşini saýlaň.

- Işleýiş temperatura diapazonynyň ulgamyň talaplaryna laýyk gelýändigine göz ýetiriň.

- Naprýatageeniýe çäklendirmeleri we zynjyryň dizaýny ýaly aýratyn zerurlyklary hasaba alyň.

- Öndürijiniň ygtybarlylygyna we hiline baha beriň.

- Bahasy we üpjünçilik zynjyrynyň durnuklylygy.

 

MOSFET saýlanylanda, enjamyň maglumat tablisasyna ýüz tutmak we ähli dizaýn şertlerine laýyk gelýändigi üçin jikme-jik derňew we hasaplamalar geçirmek maslahat berilýär. Simulýasiýa we synaglary ýerine ýetirmek, saýlawyňyzyň dogrulygyny barlamak üçin möhüm ädimdir.