MOSFET-ler nähili işleýär?

1, MOSFETgiriş

FieldEffect Transistor gysgaltmasy (FET)) ady MOSFET. köp polýusly tranzistor diýlip hem atlandyrylýan ýylylyk geçirijisine gatnaşmak üçin az sanly göterijiler tarapyndan. Naprýatageeniýäni özleşdirýän görnüşli ýarymgeçiriji mehanizmine degişlidir. Çykyş garşylygy ýokary (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), pes ses, az energiýa sarp etmek, statiki aralyk, birleşdirmek aňsat, ikinji gezek bökdençlik hadysasy ýok, deňziň ätiýaçlandyryş meselesi we beýleki artykmaçlyklary indi üýtgedi güýçli hyzmatdaşlaryň bipolýar tranzistory we güýç birikmesi tranzistory.

2, MOSFET aýratynlyklary

1, MOSFET naprýatageeniýe dolandyryş enjamy, ony VGS (derwezäniň çeşmesi naprýa) eniýesi) dolandyryş belgisi (drena DC DC) arkaly;

2, MOSFETçykýan DC polýus kiçi, şonuň üçin çykyş garşylygy uly.

3, az mukdarda göterijiniň ýylylygy geçirmek üçin ulanylmagy, şonuň üçin has gowy durnuklylyk ölçegi bar;

4, elektrik azaltmak koeffisiýentiniň peseliş ýolundan, triod peseltmek koeffisiýentiniň peseliş ýolundan kiçi;

5, MOSFET şöhlelenmä garşy ukyp;

6, dargadylan bölejik bölejikleri sebäpli dörän oligon dispersiýasynyň nädogry işjeňliginiň ýoklugy sebäpli ses pes.

3 、 MOSFET mesele ýörelgesi

MOSFETbir sözlemde işleýiş ýörelgesi, "drena - - derwezäniň kanalyndan akýan ID bilen derwezäniň naprýa mastereniýesiniň esasy ID-siniň ters tarapy bilen emele gelen pn çatrygynyň arasyndaky kanal", has takygy, ID giňlikden geçýär; ýoluň, ýagny kanalyň kesiş meýdany, könelişme gatlagyny öndürýän pn çatrygynyň ters tarapynyň üýtgemegi bolup, üýtgeýiş gözegçiliginiň giňelmeginiň sebäbi. VGS = 0 bilen doýmadyk deňizde, geçiş gatlagynyň giňelmegi gaty uly bolmanlygy sebäpli, zeýkeş çeşmesiniň arasynda VDS magnit meýdanynyň goşulmagyna görä, çeşme deňzindäki käbir elektronlar tarapyndan çekilýär. zeýkeş, ýagny zeýkeşden çeşmä çenli DC ID işjeňligi bar. Derwezeden zeýkeşlere çenli ulaldylan orta gatlak, kanalyň tutuş bedenini blokirleme görnüşini, ID-ni doly edýär. Bu forma çümmük diýiň. Geçiş gatlagyny DC güýji däl-de, tutuş päsgelçilik kanalyna simwollaşdyrmak kesilýär.

Geçiş gatlagynda elektronlaryň we deşikleriň erkin hereketi bolmansoň, ideal görnüşde izolýasiýa häsiýetleri diýen ýaly bar we umumy tok akymy kyn. Thenöne soň zeýkeşiň arasyndaky elektrik meýdany, aslynda, iki geçiş gatlagynyň aşaky böleginiň golaýyndaky drena and we derwezäniň polýusy, sebäbi drift elektrik meýdany ýokary tizlikli elektronlary geçiş gatlagyndan çekýär. Drift meýdanynyň intensiwligi, ID sahnasynyň dolulygyny hemişe diýen ýaly öndürýär.

Zynjyrda ösen P-kanal MOSFET we ösen N-kanal MOSFET kombinasiýasy ulanylýar. Giriş pes bolanda, P-kanal MOSFET geçirýär we çykyş elektrik üpjünçiliginiň polo positiveitel terminalyna birikdirilýär. Giriş ýokary bolanda, N-kanal MOSFET geçirýär we çykyş elektrik üpjünçiligi meýdançasyna birikdirilýär. Bu zynjyrda, P-kanal MOSFET we N-kanal MOSFET elmydama ters ýagdaýlarda işleýärler, faza girişleri we çykyşlary tersine.