N-kanal MOSFET-iň nämedigini bilýärsiňizmi?

I. Esasy gurluşy we düzümi

N-kanal MOSFET aşakdaky esasy komponentlerden durýar:

Derweze:dolandyryş terminaly, çeşme bilen zeýkeşiň arasyndaky geçiriji kanaly dolandyrmak üçin derwezäniň naprýa .eniýesini üýtgedip.· ·

Çeşme:Häzirki akym, adatça zynjyryň otrisatel tarapyna birikdirilýär.· ·

Zeýkeş: häzirki akym, adatça zynjyryň ýüküne baglydyr.

Substrate:Adatça MOSFET-ler üçin substrat hökmünde ulanylýan P görnüşli ýarymgeçiriji material.

Izolýator：Derwezäniň we kanalyň arasynda ýerleşýän adatça kremniniň dioksidinden (SiO2) ýasalýar we izolýator hökmünde çykyş edýär.

II. Işleýiş ýörelgesi

N-kanal MOSFET-iň işleýiş prinsipi, aşakdaky ýaly dowam edýän elektrik meýdanynyň täsirine esaslanýar:

Kesilen ýagdaýy:Derwezäniň naprýa .eniýesi (Vgs) bosagadaky naprýa .eniýeden pes bolanda, derwezäniň aşagyndaky P görnüşli substratda N görnüşli geçiriji kanal emele gelmeýär, şonuň üçin çeşme bilen zeýkeşiň arasyndaky kesiş ýagdaýy bolýar. we tok akyp bilmeýär.

Geçirijilik ýagdaýy:Derwezäniň naprýa .eniýesi (Vgs) bosagadaky naprýa .eniýeden (Vt) ýokary bolanda, derwezäniň aşagyndaky P görnüşli substratdaky deşikler yza çekilýär we könelişme gatlagyny emele getirýär. Derwezäniň naprýa .eniýesiniň hasam ýokarlanmagy bilen, elektron görnüşli P görnüşli substratyň ýüzüne çekilýär we N görnüşli geçiriji kanal emele gelýär. Bu pursatda çeşme bilen zeýkeşiň arasynda bir ýol emele gelýär we tok akyp biler.

III. Görnüşleri we aýratynlyklary

N-kanal MOSFET-ler, Enhancement-Mode we Depletion-Mode ýaly aýratynlyklaryna görä dürli görnüşlere bölünip bilner. Şolaryň arasynda, Enhancement-Mode MOSFET-ler derwezäniň naprýa noeniýesi nol bolanda kesilen ýagdaýynda bolýar we geçirmek üçin polo positiveitel derwezäniň naprýa; eniýesini ulanmaly; “Depletion-Mode” MOSFET-ler derwezäniň naprýa .eniýesi nol bolanda eýýäm geçiriji ýagdaýynda.

N-kanal MOSFET-leriň ajaýyp aýratynlyklary bar:

Inputokary giriş impedansy:MOSFET-iň derwezesi we kanaly izolýasiýa gatlagy bilen izolirlenýär, netijede gaty ýokary giriş impedansy bolýar.

Pes ses:MOSFET-leriň işlemegi azlyk göterijileriň sanjymyny we birleşmegini öz içine almaýandygy sebäpli, ses pes.

Kuwwatlylygy az sarp etmek: MOSFET-ler hem daşarky, hem-de daşarky ýagdaýlarda az energiýa sarp edýär.

Speedokary tizlikli kommutasiýa aýratynlyklary:MOSFET-ler gaty çalt kommutasiýa tizligine eýedir we ýokary ýygylykly zynjyrlar we ýokary tizlikli sanly zynjyrlar üçin amatlydyr.

IV. Ulanylýan ýerler

N-kanal MOSFET-ler ajaýyp öndürijiligi sebäpli dürli elektron enjamlarynda giňden ulanylýar:

Sanly zynjyrlar:Logiki derwezäniň zynjyrlarynyň esasy elementi hökmünde sanly signallary gaýtadan işlemegi we dolandyrmagy amala aşyrýar.

Analog zynjyrlar:Güýçlendiriji we süzgüç ýaly analog zynjyrlarda esasy komponent hökmünde ulanylýar.

Kuwwat elektronikasy:Elektrik üpjünçiligini we motor hereketlendirijilerini üýtgetmek ýaly güýçli elektron enjamlaryna gözegçilik etmek üçin ulanylýar.

Beýleki ugurlar:LED yşyklandyryş, awtoulag elektronikasy, simsiz aragatnaşyk we beýleki ugurlar hem giňden ulanylýar.

Gysgaça aýtsak, N-kanal MOSFET möhüm ýarymgeçiriji enjam hökmünde häzirki zaman elektron tehnologiýalarynda çalşyp bolmajak rol oýnaýar.