MOSFET-leriň aýratynlyklary we ulanylyş çäreleri

I. MOSFET kesgitlemesi

Naprýatageeniýe bilen işleýän, ýokary tokly enjamlar hökmünde, MOSFET zynjyrlarda, esasanam güýç ulgamlarynda köp sanly programma bar. Parazit diodlary diýlip hem atlandyrylýan MOSFET beden diodlary integral zynjyrlaryň daşbasma usulynda ýok, ýöne ýokary toklar bilen hereket edende we induktiw ýükler bolanda ters goragy we häzirki dowamy üpjün edýän aýratyn MOSFET enjamlarynda bolýar.

Bu diodyň barlygy sebäpli, MOSFET enjamy, zarýad beriş gutaran zarýad beriş zynjyryndaky ýaly, tok aýrylýar we batareýa daşyna öwrülýär, bu adatça islenilmeýän netije.

MOSFET-leriň aýratynlyklary we ulanylyş çäreleri

Umumy çözgüt, ters elektrik üpjünçiliginiň öňüni almak üçin arka tarap diod goşmakdyr, ýöne diodyň aýratynlyklary öňe çykýan naprýa 0.eniýeniň 0,6 ~ 1V peselmeginiň zerurlygyny kesgitleýär, bu bolsa galyndylara sebäp bolanda ýokary toklarda çynlakaý ýylylyk öndürmegine sebäp bolýar. energiýasy we umumy energiýa netijeliligini peseltmek. Başga bir usul, energiýa netijeliligini gazanmak üçin MOSFET-iň pes garşylygyndan peýdalanyp, arka-arka MOSFET goşmakdyr.

Geçirijiden soň, MOSFET-iň ugrukdyryjy däldigini, şonuň üçin basyşly geçirijiden soň, sim bilen deňdigini, diňe garşylykly, döwlet naprýa dropeniýesiniň peselmeginiň ýokdugyny, adatça birnäçe milliohm garşylyk bilen doýýandygyny bellemelidiris.wagtynda milliohmswe DC we AC güýjüniň geçmegine mümkinçilik berýän ugrukdyryjy däl.

II. MOSFET-leriň aýratynlyklary

1, MOSFET naprýatageeniýe bilen dolandyrylýan enjam, ýokary toklary herekete getirmek üçin itergi tapgyry zerur däl;

2 input inputokary giriş garşylygy;

3, giň iş ýygylygy diapazony, ýokary kommutasiýa tizligi, pes ýitgi

4, AC amatly ýokary impedans, pes ses.

5 、Birnäçe parallel ulanmak, çykyş tokyny köpeltmek

Ikinjiden, seresaplylyk döwründe MOSFET-leriň ulanylmagy

1, çyzgy dizaýnynda MOSFET-iň ygtybarly ulanylmagyny üpjün etmek üçin, turbageçirijiniň kuwwatynyň ýaýramagyndan, iň ýokary syzyş çeşmesiniň naprýa .eniýesinden, derwezäniň naprýa .eniýesinden we tok we beýleki parametrleriň çäk bahalaryndan ýokary bolmaly däldir.

2, ulanylýan MOSFET-leriň dürli görnüşleriberk giriň zynjyryň zerur taraplaýyn elýeterliligine laýyklykda, MOSFET ofsetiniň polýarlygyna laýyk gelmek.

3. MOSFET gurlanda, ýyladyş elementine ýakyn bolmazlyk üçin gurnama ýagdaýyna üns beriň. Armaturalaryň titremeginiň öňüni almak üçin gabygyny berkitmeli; çeňňegiň egilmeginiň we syzmagynyň öňüni almak üçin 5 mm ululykdan has uly derejede amala aşyrylmalydyr.

4, aşa ýokary giriş impedansy sebäpli, daşamak we saklamak wagtynda MOSFET-ler gysgaldylmalydyr we derwezäniň daşarky ýüze çykmagynyň öňüni almak üçin metal gorag bilen gaplanmalydyr.

5. Izolýasiýa derwezesi MOSFET lehimlenende, çeşme-zeýkeş derwezesiniň tertibini ýerine ýetiriň we tok öçüriň.

MOSFET-leriň howpsuz ulanylmagyny üpjün etmek üçin MOSFET-leriň aýratynlyklaryna we amaldan peýdalanmak üçin görülmeli çärelere doly düşünmeli, ýokardaky gysgaça mazmun size kömek eder diýip umyt edýärin.