Iki aýlawly kristal trioddan tapawutlylykda, ýasalýan ýaly duýulýarMOSFETgeçiriji elektrik akymyny ulanmaýar, diňe GS naprýa .eniýesiniň belli bir bahadan ýokary bolmagyny talap edýär. Muny etmek has aňsat, bize belli bir nyrh gerek.
MOSFET-iň gurluşy üçin GS, GD-de tapyp bileris, käbir parazit kuwwatlylygy bolar we MOSFET sürüjisi, aslynda, kuwwatlylygy güýçlendirmek we boşatmakdyr. Kondensatorlary güýçlendirmek üçin diňe tok gerek, sebäbi zarýad beriş pursatynda kondensator gysga utgaşma ýaly kondensator bilen deňdir, bu gezek dessine tok umumy ýagdaýyň bahasyndan ýokary bolar. Şonuň üçin MOSFET sürüjiniň zynjyr programmasyny saýlaýarys ýa-da dizaýn edýäris, dessine gysga utgaşdyryjy tokyň ululygyna üns bermeli ilkinji zat.
Ikinjiden, ýokary derejeli hereketlendiriji üçin giňden ulanylýan NMOS, derwezäniň naprýa .eniýesini geçirende çeşme naprýa .eniýesinden ýokary bolmalydyr. Öz wagtynda ýokary derejeli hereketlendiriji MOSFET, çeşme naprýa .eniýesi we drena naprýa .eniýesiniň ululygy birmeňzeş, şonuň üçin bu gezek derwezäniň naprýa .eniýesi Vcc-den 4V ýa-da 10V uly bolmaly. Şol bir ulgamda, Vcc derwezesiniň naprýa .eniýesinden has uly bolmak isleýän bolsaňyz, naprýa .eniýe zynjyryna gözegçilik etmekde ýöriteleşmeli. Motor hereketlendirijileriniň köpüsi zarýad nasoslaryndan durýar, MOSFET-i sürmek üçin ýeterlik gysga utgaşdyryjy tok almak üçin degişli daşarky kondensatory saýlamalydygymyzy bellemelidiris.
“Olueky” esasy topary Şençzhenen şäherinde ýerleşýän komponentlerde ýöriteleşýär. Esasy:MOSFET, MCU, IGBT we beýleki enjamlar. Esasy agent önümleriWINSOK, Cmsemicon. önümler harby, senagat gözegçiligi, täze energiýa, lukmançylyk önümleri, 5G, zatlaryň interneti, akylly öý we dürli sarp ediş elektronikasynda giňden ulanylýar. Hytaý bazaryna esaslanýan asyl global umumy agentiň artykmaçlyklaryna bil baglamak. Müşderiler üçin her dürli ösen ýokary tehnologiýaly elektron böleklerini tanatmak, öndürijilere ýokary hilli önüm öndürmek we ajaýyp hyzmat bermek üçin ajaýyp hyzmatyň artykmaçlyklaryndan peýdalanmak.