WSP4888 goşa N-kanal 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET
Umumy düşündiriş
WSP4888 sinhron tok öwrüjilerinde ulanmak üçin dykyz öýjük gurluşy bolan ýokary öndürijilikli tranzistordyr. Ajaýyp RDSON we derwezäniň tölegleri bilen bu programmalar üçin iň esasy saýlama bolýar. Mundan başga-da, WSP4888 RoHS we Green Product talaplaryna laýyk gelýär we ygtybarly işlemek üçin 100% EAS kepilligi bilen üpjün edilýär.
Aýratynlyklary
Ösen çukur tehnologiýasy, ýokary öýjükli dykyzlygy we aşa pes derwezeli zarýady, CdV / dt täsirini ep-esli azaldýar. Enjamlarymyz 100% EAS kepilligi we ekologiýa taýdan arassa görnüşleri bilen gelýär.
MOSFET-lerimiz, ýokary senagat standartlaryna laýyk gelmegini üpjün etmek üçin berk hil gözegçilik çärelerini görýärler. Her bölüm öndürijilik, çydamlylyk we ygtybarlylyk üçin önümiň uzak ömrüni üpjün edýär. Onuň berk dizaýny, enjamlaryň üznüksiz işlemegini üpjün edip, aşa iş şertlerine garşy durmaga mümkinçilik berýär.
Bäsdeşlik nyrhlary: Iň ýokary hiline garamazdan, MOSFET-lerimiz ýokary bäsdeşlige ukyply, öndürijilige zyýan bermezden ep-esli tygşytlamagy üpjün edýär. Consumershli sarp edijileriň ýokary hilli önümlere elýeterli bolmalydygyna ynanýarys we nyrh strategiýamyz bu ygrarlylygy görkezýär.
Giň utgaşyklyk: MOSFET-lerimiz dürli elektron ulgamlary bilen utgaşykly bolup, öndürijiler we ahyrky ulanyjylar üçin köp taraply saýlama bolýar. Esasy dizaýn üýtgetmelerini talap etmezden umumy öndürijiligi ýokarlandyryp, bar bolan ulgamlara bökdençsiz birleşýär.
Goýmalar
MB / NB / UMPC / VGA ulgamlarynda ulanmak üçin ýokary ýygylykly nokat-sinhron bak öwrüji , Sanly önümler, kiçi öý enjamlary we sarp ediş elektronikasy.
degişli material belgisi
AOS AO4832 AO4838 AO4914, NTMS4916N, WISHAY Si4128DY, INFINEON BSO150N03MD G, Sinopower SM4803DSK, dintek DTM4926 DTM4936, ruichips RU30D10H
Möhüm parametrler
Nyşan | Parametr | Reýting | Bölümler |
VDS | Zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesi | 30 | V |
VGS | Derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi | ± 20 | V |
ID @ TC = 25 ℃ | Üznüksiz zeýkeş akymy, VGS @ 10V1 | 9.8 | A |
ID @ TC = 70 ℃ | Üznüksiz zeýkeş akymy, VGS @ 10V1 | 8.0 | A |
IDM | Pulsirlenen zeýkeş akymy2 | 45 | A |
EAS | Puleke impulsly güýç energiýasy3 | 25 | mJ |
IAS | Güýç akymy | 12 | A |
PD @ TA = 25 ℃ | Jemi güýç paýlanyşy4 | 2.0 | W |
TSTG | Saklaýyş temperatura aralygy | -55-den 150-e çenli | ℃ |
TJ | Işleýän çatryk temperatura diapazony | -55-den 150-e çenli | ℃ |
Nyşan | Parametr | Şertler | Min. | Görnüşi. | Maks. | Bölüm |
BVDSS | Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi | VGS = 0V, ID = 250uA | 30 | --- | --- | V |
VD BVDSS / △ TJ | BVDSS temperatura koeffisiýenti | 25 ℃, ID = 1mA salgylanma | --- | 0.034 | --- | V / ℃ |
RDS (ON) | Statik drena-çeşmesine garşylyk2 | VGS = 10V, ID = 8.5A | --- | 13.5 | 18 | mΩ |
VGS = 4.5V, ID = 5A | --- | 18 | 25 | |||
VGS (th) | Derwezäniň çäk naprýa .eniýesi | VGS = VDS, ID = 250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
VGS (th) | VGS (th) Temperatura koeffisiýenti | --- | -5.8 | --- | mV / ℃ | |
IDSS | Zeýkeş çeşmesiniň syzmagy tok | VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Derwezäniň çeşmesiniň syzmagy | VGS = ± 20V, VDS = 0V | --- | --- | ± 100 | nA |
gfs | Geçiriji geçiriji | VDS = 5V, ID = 8A | --- | 9 | --- | S |
Rg | Derwezä garşylyk | VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz | --- | 1.8 | 2.9 | Ω |
Qg | Jemi derwezäniň zarýady (4.5V) | VDS = 15V, VGS = 4.5V, ID = 8.8A | --- | 6 | 8.4 | nC |
Qgs | Derwezäniň çeşmesi | --- | 1.5 | --- | ||
Qgd | Derweze-zeýkeş zarýady | --- | 2.5 | --- | ||
Td | Gijä goýmak wagty | VDD = 15V, VGEN = 10V, RG = 6Ω ID = 1A, RL = 15Ω | --- | 7.5 | 9.8 | ns |
Tr | Wagtyň ýokarlanmagy | --- | 9.2 | 19 | ||
Td (öçürilen) | Öçürmek gijikdirme wagty | --- | 19 | 34 | ||
Tf | Güýz wagty | --- | 4.2 | 8 | ||
Öpmek | Giriş ukyby | VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHz | --- | 590 | 701 | pF |
Kaz | Çykyş ukyby | --- | 98 | 112 | ||
Crss | Tersine geçiriş ukyby | --- | 59 | 91 |