WSD60N10GDN56 N-kanal 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

önümleri

WSD60N10GDN56 N-kanal 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

gysga düşündiriş:

Bölüm belgisi :WSD60N10GDN56

BVDSS :100V

ID :60A

RDSON :8.5mΩ

Kanal :N-kanal

Bukja :DFN5X6-8


Önümiň jikme-jigi

Arza

Haryt bellikleri

WINSOK MOSFET önümine syn

WSD60N10GDN56 MOSFET naprýa 100eniýesi 100V, tok 60A, garşylyk 8.5mΩ, kanal N-kanal we paket DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET amaly ýerleri

Elektron çilimler MOSFET, simsiz zarýad berýän MOSFET, hereketlendirijiler MOSFET, dronlar MOSFET, lukmançylyk kömegi MOSFET, awtoulag zarýad berijileri MOSFET, dolandyryjylar MOSFET, sanly önümler MOSFET, kiçi öý enjamlary MOSFET, sarp ediş elektronikasy MOSFET.

MOSFET amaly meýdanlaryWINSOK MOSFET beýleki marka material belgilerine gabat gelýär

AOS MOSFET AON6226, AON6294, AON6298, AONS6292, AONS6692, AONS66923.Onsemi, FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.WISHAY MOSFET SiR84DP, SiR87ADP.INFINEON , TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS icarymgeçiriji MOSFET PDC92X.

MOSFET parametrleri

Nyşan

Parametr

Reýting

Bölümler

VDS

Zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesi

100

V

VGS

Derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi

± 20

V

ID@TC= 25 ℃

Üznüksiz zeýkeş akymy

60

A

IDP

Pulsirlenen zeýkeş akymy

210

A

EAS

Güýç energiýasy, ýeke impuls

100

mJ

PD@TC= 25 ℃

Jemi güýç paýlanyşy

125

W.

TSTG

Saklaýyş temperatura aralygy

-55-den 150-e çenli

TJ 

Işleýän çatryk temperatura diapazony

-55-den 150-e çenli

 

Nyşan

Parametr

Şertler

Min.

Görnüşi.

Maks.

Bölüm

BVDSS 

Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi VGS= 0V, I.D= 250uA

100

---

---

V

  Statik drena-çeşmesi garşylyk VGS = 10V, ID = 10A.

---

8.5

10. 0

RDS (ON)

VGS = 4.5V, ID = 10A.

---

9.5

12. 0

VGS (th)

Derwezäniň çäk naprýa .eniýesi VGS=VDS, MenD= 250uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

Zeýkeş çeşmesiniň syzmagy tok VDS= 80V, V.GS= 0V, T.J= 25 ℃

---

---

1

uA

IGSS

Derwezäniň çeşmesiniň syzmagy VGS= ± 20V, V.DS= 0V

---

---

± 100

nA

Qg 

Jemi derwezäniň zarýady (10V) VDS= 50V, V.GS= 10V, I.D= 25A

---

49.9

---

nC

Qgs 

Derwezäniň çeşmesi

---

6.5

---

Qgd 

Derweze-zeýkeş zarýady

---

12.4

---

Td

Gijä goýmak wagty VDD= 50V, V.GS= 10V,RG= 2.2Ω, I.D= 25A

---

20.6

---

ns

Tr 

Wagtyň ýokarlanmagy

---

5

---

Td (öçürilen)

Öçürmek gijikdirme wagty

---

51.8

---

Tf 

Güýz wagty

---

9

---

Cçykarmak 

Giriş ukyby VDS= 50V, V.GS= 0V, f = 1MHz

---

2604

---

pF

Kaz

Çykyş ukyby

---

362

---

Crss 

Tersine geçiriş ukyby

---

6.5

---

IS 

Üznüksiz çeşme VG=VD= 0V, tok güýji

---

---

60

A

ISP

Pulsed çeşme tok

---

---

210

A

VSD

Diod öňe naprýa .eniýe VGS= 0V, I.S= 12A, T.J= 25 ℃

---

---

1.3

V

trr 

Tersine dikeldiş wagty IF = 12A, dI / dt = 100A / µs, T.J= 25 ℃

---

60.4

---

nS

Qrr 

Tersine dikeldiş tölegi

---

106.1

---

nC


  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň